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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP065 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
![]() | SIA400EDJ-T1-GE3 | 0.6200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Sia400 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 2.5V, 4.5V | 19mohm @ 11a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 12V | 1265 pf @ 15 V | - | 19.2W (TC) | |||||
![]() | SI4102DY-T1-E3 | - | ![]() | 9449 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4102 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 3.8a (TC) | 6V, 10V | 158mohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 370 pf @ 50 V | - | 2.4W (TA), 4.8W (TC) | ||||
![]() | Si7469Adp-T1-RE3 | 1.7600 | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7469 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si7469Adp-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 7.4a (TA), 46a (TC) | 19.3mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 3420 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 73.5W (TC) | ||||||
![]() | Sq7414aen-t1_ge3 | - | ![]() | 7690 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sq7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 30 V | - | 62W (TC) | |||||
IRF840A | - | ![]() | 1316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF840A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
![]() | Sir873dp-t1-ge3 | 1.6300 | ![]() | 9322 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir873 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 37a (TC) | 10V | 47.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1805 pf @ 75 V | - | 104W (TC) | |||||
![]() | SiHD11N80AE-GE3 | 1.8000 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHD11N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 800 V | 8a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 804 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | ||||
![]() | Sum80090e-ge3 | 3.0600 | ![]() | 4696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum80090 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 128a (TC) | 7.5V, 10V | 9mohm @ 30a, 10v | 5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 3425 pf @ 75 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SIA427DJ-T1-GE3 | 0.5700 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA427 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 16mohm @ 8.2a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 50 NC @ 5 V | ± 5V | 2300 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
![]() | VQ1001P-2 | - | ![]() | 1057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | - | VQ1001 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 14 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 4 Canal N | 30V | 830mA | 1.75ohm @ 200 MMA, 5V | 2.5V @ 1MA | - | 110pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | IRF9620SPBF | 2.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||
![]() | SUM90N08-6M2P-E3 | - | ![]() | 2199 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 90A (TC) | 6.2mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | 4620 pf @ 30 V | - | ||||||||
![]() | SI7434Adp-T1-RE3 | 1.9000 | ![]() | 9762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7434 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 3.7a (TA), 12.3a (TC) | 7.5V, 10V | 150mohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 125 V | - | 5W (TA), 54.3W (TC) | |||||
![]() | IRL510L | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL510L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | - | |||
![]() | SI8402DB-T1-E1 | - | ![]() | 3231 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8402 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 5.3a (TA) | 37mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | - | |||||||||
![]() | SI5499DC-T1-GE3 | - | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5499 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 36mohm @ 5.1a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 35 NC @ 8 V | ± 5V | 1290 pf @ 4 V | - | 2.5W (TA), 6.2W (TC) | ||||
![]() | SI7230DN-T1-GE3 | 0.6174 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7230 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
![]() | Sir180DP-T1-RE3 | 1.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32.4a (TA), 60A (TC) | 7.5V, 10V | 2.05mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 4030 pf @ 30 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | |||||
![]() | Siz704dt-t1-ge3 | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz704 | Mosfet (Óxido de metal) | 20W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 12a, 16a | 24mohm @ 7.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12NC @ 10V | 435pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR120TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
![]() | SQ2301ES-T1_BE3 | 0.5300 | ![]() | 202 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2301 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (ilimitado) | 742-sq2301es-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TC) | 2.5V, 4.5V | 120mohm @ 2.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8 NC @ 4.5 V | ± 8V | 425 pf @ 10 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | SiHW70N60EF-GE3 | 8.2809 | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW70 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 70A (TC) | 10V | 38mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 7500 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
![]() | Sir408DP-T1-GE3 | - | ![]() | 2747 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir408 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 44.6W (TC) | ||||
![]() | SI1307DL-T1-GE3 | - | ![]() | 8633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1307 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 850mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 290mohm @ 1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 290MW (TA) | |||||
![]() | SiHB24N65EFT1-GE3 | 6.0100 | ![]() | 385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB24N65EFT1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | SI5446DU-T1-GE3 | - | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | SI5446 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet single | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 6.4mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1610 pf @ 15 V | - | 31W (TC) | ||||||
![]() | SQJQ900E-T1_GE3 | 1.2246 | ![]() | 3428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq900 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 100A (TC) | 3.9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 120NC @ 10V | 5900pf @ 20V | - | |||||||
![]() | SQ2319ADS-T1_GE3 | 0.6900 | ![]() | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 20 V | - | 2.5W (TC) | |||||
![]() | SiHG80N60EF-GE3 | 15.6300 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg80 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 80a (TC) | 10V | 32mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 400 NC @ 10 V | ± 30V | 6600 pf @ 100 V | - | 520W (TC) |
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