- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5401DC-T1-E3 | - |  | 5603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5401 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
 | SQD40131EL_GE3 | 1.3500 | | 6953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD40131 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | ||||||||
 | Si4501ady-t1-ge3 | - | | 7897 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4501 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V, 8V | 6.3a, 4.1a | 18mohm @ 8.8a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 20NC @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Irf9610pbf | 1.6700 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9610pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||
 | SI7960DP-T1-E3 | - | | 9652 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7960 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Sir4604ldp-t1-ge3 | 1.4300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir4604 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.6a (TA), 51a (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1180 pf @ 30 V | - | 3.9W (TA), 41.6W (TC) | ||||||||
 | IRFBC40PBF-BE3 | 2.4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFBC40PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||
 | IRFR9210TRPBF | 1.3500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9210 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 200 V | 1.9a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.9 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||
| Irf9510pbf-be3 | 1.1100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9510PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||||||||
| Si4974dy-t1-e3 | - | | 6086 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4974 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6a, 4.4a | 19mohm @ 8a, 10v | 3V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SQJ488EP-T1_BE3 | 1.5800 | | 8990 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj488 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJ488EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 7.1a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 978 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||||
 | IRFBF20S | - | | 2978 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbf20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFBF20S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 1.7a (TC) | 10V | 8ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 54W (TC) | ||||||
 | V30393-T1-E3 | - | | 1069 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30393 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||
 | SQJA80EP-T1_GE3 | 1.3300 | | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja80 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||
 | SI7615DN-T1-GE3 | 1.6300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7615 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 35A (TC) | 6V, 10V | 3.9mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 183 NC @ 10 V | ± 12V | 6000 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SQJ912AEP-T2_GE3 | - | | 4346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ912 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 742-SQJ912AEP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 30A (TC) | 9.3mohm @ 9.7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 38nc @ 10V | 1835pf @ 20V | - | |||||||||||
| U310-E3 | - | | 4316 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AC, TO-52-3 METAL CAN | U310 | 500 MW | TO-206AC (TO-52) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 5PF @ 10V | 25 V | 24 Ma @ 10 V | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||
 | Irfd020pbf | 1.5900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd020 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 V | 2.4a (TC) | 10V | 100mohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | ||||||||
| Irld014 | - | | 7391 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld014 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irld014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 1.7a (TA) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||||
 | SUM40N15-38-E3 | - | | 2587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 40A (TC) | 6V, 10V | 38mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 166W (TC) | ||||||||
| IRFB17N50L | - | | 7460 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 320mohm @ 9.9a, 10V | 5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 25 V | - | 220W (TC) | |||||||
 | SI6410DQ-T1-GE3 | - | | 2942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | SI6410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.8a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 7.8a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 33 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | SIS184LDN-T1-GE3 | 1.6100 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 18.7a (TA), 69.4a (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 30 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||||||
 | IRF830L | - | | 2752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf830l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||
| Si4320dy-t1-ge3 | - | | 7409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4320 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 25A, 10V | 3V @ 250 µA | 70 NC @ 4.5 V | ± 20V | 6500 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | |||||||
 | SIA433EDJ-T1-GE3 | 0.7100 | | 9587 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA433 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 18mohm @ 7.6a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 75 NC @ 8 V | ± 12V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||||||
 | SI3437DV-T1-E3 | 0.9300 | | 294 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3437 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 1.4a (TC) | 6V, 10V | 750mohm @ 1.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||||||
| Irfd214 | - | | 9563 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd214 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irfd214 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 450mA (TA) | 10V | 2ohm @ 270mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | |||||||
| Si4166dy-t1-ge3 | 1.4600 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4166 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30.5A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | ||||||||
 | Sir496dp-t1-ge3 | - | | 1401 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir496 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1570 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)