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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIE844DF-T1-GE3 | - |  | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (u) | SIE844 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (u) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 44.5a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 12.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2150 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SQJA68EP-T1_GE3 | 0.8300 | | 6991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8L | Sqja68 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 92mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | Si444447ady-t1-ge3 | 0.5900 | | 6834 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4447 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 7.2a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 20 V | - | 4.2W (TC) | |||||
 | SI7958DP-T1-E3 | - | | 5656 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7958 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.2a | 16.5mohm @ 11.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sum60030e-ge3 | 1.9173 | | 7457 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SUM60030 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 7910 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI7478DP-T1-GE3 | 2.8700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7478 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | Sqj570ep-t1_be3 | 1.1000 | | 7498 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ570 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC) | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj570ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 100V | 15A (TC), 9.5A (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15NC @ 10V, 20NC @ 10V | 600pf @ 25V, 650pf @ 25V | - | |||||||
 | IRFR120TR | - | | 7774 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | SI7818DN-T1-E3 | 1.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7818 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 135mohm @ 3.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| Sqm50020el_ge3 | 3.6400 | | 1146 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM50020 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 15100 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Sir450DP-T1-RE3 | 1.5600 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 36A (TA), 113A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 114 NC @ 10 V | +20V, -16V | 5920 pf @ 20 V | - | 4.8W (TA), 48W (TC) | ||||||
 | SIS444DN-T1-GE3 | 0.3497 | | 1167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS444 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 3065 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | 1.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4465 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 8 V | 13.7a (TA), 20a (TC) | 1.8V, 4.5V | 9mohm @ 14a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 85 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | ||||||
| SI4470EY-T1-E3 | - | | 2790 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4470 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 9a (TA) | 6V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 70 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.85W (TA) | |||||
 | IRFP264 | - | | 1336 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP264 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP264 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 250 V | 38a (TC) | 10V | 75mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||
| SI4812BDY-T1-GE3 | - | | 6359 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4812 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.3a (TA) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 9.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.4W (TA) | ||||||
 | IRL520STRR | - | | 1731 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 9.2a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 5.5a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
| IRFR020PBF | - | | 6937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR020 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| SI7940DP-T1-GE3 | - | | 4799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7940 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 12V | 7.6a | 17mohm @ 11.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI6562CDQ-T1-GE3 | 1.0200 | | 8040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6562 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.6w, 1.7w | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 6.7a, 6.1a | 22mohm @ 5.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 850pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | IRLR110TRPBF-BE3 | 0.6321 | | 1917 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 742-IRLR110TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | IRF840APBF | 1.9400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF840APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1018 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI2329DS-T1-GE3 | 0.5900 | | 6689 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2329 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 6a (TC) | 1.2V, 4.5V | 30mohm @ 5.3a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 5V | 1485 pf @ 4 V | - | 2.5W (TC) | ||||
 | SiHF5N50D-E3 | 1.3700 | | 9065 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF5 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 30W (TC) | |||||
| Sq4284ey-t1_be3 | 1.6200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4284 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.9W (TC) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | 742-sq4284ey-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 8a (TC) | 13.5mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45nc @ 10V | 2200pf @ 25V | - | |||||||
| SUM18N25-165-E3 | - | | 3948 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum18 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 18a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | ||||
| SI2343DS-T1-E3 | 0.6600 | | 32 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2343 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.1a (TA) | 4.5V, 10V | 53mohm @ 4a, 10v | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||
 | SI1031X-T1-GE3 | - | | 5878 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 155MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||||
 | SIHP21N80AE-GE3 | 4.3500 | | 976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP21 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 17.4a (TC) | 10V | 235mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 30V | 1388 pf @ 100 V | - | 32W (TC) | |||||
| SIHP065N60E-GE3 | 7.2600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP065 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 100 V | - | 250W (TC) |
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