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Transistores (5716)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiJ462DP-T1-GE3 | 1.5000 |  | 6327 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ462 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 46.5a (TC) | 8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | 1400 pf @ 30 V | - | |||||||||
 | SI1472DH-T1-E3 | - | | 7871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1472 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.6a (TC) | 4.5V, 10V | 57mohm @ 4.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA), 2.8W (TC) | ||||
 | SI6415DQ-T1-GE3 | 1.8600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6415 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.4a (TA) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 6.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 70 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI7423DN-T1-E3 | 1.5900 | | 725 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 7.4a (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 11.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Irfd123pbf | 1.3900 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IRFD123 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd123pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.3a (TA) | 10V | 270MOHM @ 780MA, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SI5402DC-T1-GE3 | - | | 7014 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5402 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.9a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | SI7196DP-T1-E3 | - | | 7628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7196 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1577 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 41.6W (TC) | ||||
 | IRL630PBF | 2.3500 | | 4949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRL630pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||
 | SUD40N10-25-T4-E3 | - | | 7738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 10V | 25mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
 | Si4825dy-T1-E3 | - | | 1718 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4825 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 8.1a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 11.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 25V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SiHG73N60E-E3 | 8.7392 | | 1696 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg73 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 73a (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10v | 4V @ 250 µA | 362 NC @ 10 V | ± 30V | 7700 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | |||||
| Si4354dy-t1-e3 | - | | 4280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4354 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 9.5a (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 9.5a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 10.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||||
 | SI7960DP-T1-GE3 | - | | 5090 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7960 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6.2a | 21mohm @ 9.7a, 10V | 3V @ 250 µA | 75nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sizf914dt-t1-ge3 | 0.7095 | | 9526 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Powerpair®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf914 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZF914DT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 23.5a (TA), 40a (TC), 52A (TA), 60A (TC) | 3.8mohm @ 10a, 10v, 0.9mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA | 21nc @ 10V, 98nc @ 10V | 1050pf @ 10V, 4670pf @ 10V | - | ||||||
 | IRFR220TRLPBF | 0.9300 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| IRFR010TRR | - | | 3067 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR010 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 8.2a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 25W (TC) | |||||
 | IRF644NSTRLPBF | - | | 3768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF644 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| SIHP18N50C-E3 | 2.8500 | | 877 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SIHP18N50CE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 18a (TC) | 10V | 270mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2942 pf @ 25 V | - | 223W (TC) | ||||
| SI7460DP-T1-GE3 | 2.2000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | IRF540L | - | | 6623 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf540l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | SI1026X-T1-GE3 | 0.5100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1026 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 305 Ma | 1.4ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6nc @ 4.5V | 30pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIHP10N40D-GE3 | 1.4400 | | 416 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP10 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10v | 5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 30V | 526 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | SiHH085N60EF-T1GE3 | 7.1300 | | 6479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh085 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHHHH085N60EF-T1GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | ||||
| SIJ186DP-T1-GE3 | 1.1400 | | 7074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 23a (TA), 79.4a (TC) | 6V, 10V | 4.5mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 30 V | - | 5W (TA), 57W (TC) | |||||
 | SI3424BDV-T1-E3 | - | | 4865 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3424 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 19.6 NC @ 10 V | ± 20V | 735 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 2.98W (TC) | ||||
 | Irfi734gpbf | - | | 4180 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi734 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi734gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 3.4a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 680 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||
 | Irfu014 | - | | 4937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Irfu | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfu014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
| SiHW47N60EF-GE3 | 6.4775 | | 9219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHW47 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 65mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 225 NC @ 10 V | ± 30V | 4854 pf @ 100 V | - | 379W (TC) | |||||
 | SIRA84DP-T1-GE3 | 0.5700 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira84 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1535 pf @ 15 V | - | 34.7W (TC) | |||||
| Si4948Bey-T1-E3 | 1.3200 | | 289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4948 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 60V | 2.4a | 120mohm @ 3.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 22nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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