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Transistores (2247)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOSP21357 | 1.2300 |  | 6826 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AOSP213 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 16a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 25V | 2830 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||
 | AON7804_102 | - | | 2939 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON780 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-DFN (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 9A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 888pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | AOI950A70 | 1.3900 | | 3 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos5 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | AOI950 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251a | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1820 | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 700 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1a, 10v | 4.1V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 461 pf @ 100 V | - | 56.5W (TC) | |||
 | AON6418 | - | | 4267 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Sdmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON641 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 36a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1229 pf @ 15 V | - | 6W (TA), 25W (TC) | |||||
| Ao9926bl | - | | 9975 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO9926 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7.6a | 23mohm @ 7.6a, 10V | 1.1V @ 250 µA | 12.5nc @ 10V | 630pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | AOC2412 | - | | 5507 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | AOC24 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-Alphadfn (1.57x1.57) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 1.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1842 pf @ 10 V | - | 550MW (TA) | |||||
 | AOT14N50FD | - | | 1873 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 470mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 2010 pf @ 25 V | - | 278W (TC) | ||||
 | AON7566 | 0.2155 | | 9727 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alfamos | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON75 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 34a (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 15 V | - | 30W (TC) | ||||
| AOSP21321 | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AOSP213 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 11a (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 11a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 25V | 1180 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | ||||
| AON6530 | - | | 4311 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON653 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 28.5A (TA), 72A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1315 pf @ 15 V | - | 5.6W (TA), 35.5W (TC) | |||||
| AOT66916L | 3.8100 | | 1 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT66916 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1846 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 35.5a (TA), 120a (TC) | 6V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 6180 pf @ 50 V | - | 8.3W (TA), 277W (TC) | |||
| AO4480 | 0.7400 | | 153 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO44 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1920 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA) | ||||
| AON7466 | 0.1431 | | 9520 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON746 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 25V | 1150 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 25W (TC) | ||||
 | AO3434TS | - | | 5611 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Variante Sot-23-3 | AO34 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-AO3434TSTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.5a (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4.2a, 10v | 1.8V @ 250 µA | 7.2 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||
| AO4840L | - | | 6569 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO484 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6a (TA) | 31mohm @ 6a, 10v | 3V @ 250 µA | 8.3nc @ 10V | 404pf @ 20V | - | |||||||
 | Aous66620 | 0.4413 | | 4864 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-POWERSMD, planos de cables | Aous666 | Mosfet (Óxido de metal) | Ultraso-8 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 785-Oous66620tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 19.5a (TA), 46a (TC) | 8V, 10V | 9mohm @ 20a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1070 pf @ 30 V | - | 6.2W (TA), 52W (TC) | ||||
 | Aous66923 | 0.7071 | | 7572 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-POWERSMD, planos de cables | Aous669 | Mosfet (Óxido de metal) | Ultraso-8 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.5a (TA), 58A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 pf @ 50 V | - | 6.2W (TA), 73W (TC) | ||||
| AOT410L | 2.7900 | | 2806 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Sdmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT410 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1237-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 12A (TA), 150A (TC) | 7V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 129 NC @ 10 V | ± 25V | 7950 pf @ 50 V | - | 1.9W (TA), 333W (TC) | |||
| AON7548_101 | - | | 8441 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alfamos | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON75 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 24a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1086 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 23W (TC) | |||||
| AOT11S65L | 1.2424 | | 3261 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos ™ | Tubo | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT11 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 10V | 399mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 13.2 NC @ 10 V | ± 30V | 646 pf @ 100 V | - | 198W (TC) | ||||
| AOT462_001 | - | | 2902 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT46 | Un 220 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 70A (TC) | |||||||||||||||||
 | Ao6402al | - | | 5852 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | AO640 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7a (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 820 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||
 | AOB11C60 | - | | 7680 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AOB11 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 440mohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 2000 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | AOTF095A60L | 4.9600 | | 1 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Amos5 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | AOTF095 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-AOTF095A60L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 38a (TJ) | 10V | 95mohm @ 19a, 10v | 3V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 4010 pf @ 100 V | - | 41W (TC) | |||
| AOT296L | 1.0064 | | 6824 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT296 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 9.5A (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2785 pf @ 50 V | - | 2.1W (TA), 107W (TC) | ||||
| AO4454 | - | | 8390 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Sdmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO44 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 6.5a (TA) | 7V, 10V | 36mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 25V | 1450 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA) | |||||
| AO4566 | 0.1628 | | 6309 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO45 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 12.2 NC @ 10 V | ± 20V | 542 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||
| AON7200_101 | - | | 1199 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AON72 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15.8a (TA), 40a (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 62W (TC) | |||||
| AO4828 | 0.2311 | | 9849 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AO482 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | - | 56mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 10.5nc @ 10V | 540pf @ 30V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | AON2701L#A | - | | 7564 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | AON27 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DFN (2x2) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 120mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 700 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.5W (TA) |
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