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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Voltaje - Salida | Tipo de fet | Voltaje | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max | Voltaje - Offset (VT) | Fuga de Corriente a la Puerta Al Ánodo (IGAO) | Corriente - valle (iv) | Corriente - Pico |
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2N5116 | - | ![]() | 8359 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 25pf @ 15V | 30 V | 5 Ma @ 15 V | 1 v @ 1 na | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUDM8005 TR PBFREE | 0.8500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | CMUDM8005 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 650 mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 360mohm @ 350mA, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1.2 NC @ 4.5 V | 8V | 100 pf @ 16 V | - | 300MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM3737 TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | CMLDM3737 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW | SOT-563 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 540ma | 550mohm @ 540 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | 1.58nc @ 4.5V | 150pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6028 TR PBFREE | 2.7700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPP6028 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 6V | 40V | 167 MW | 600 MV | 10 na | 25 µA | 150 na | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPFJ175 TR | 0.9200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPFJ175 | 350 MW | Sot-23 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | - | 30 V | 7 Ma @ 15 V | 3 V @ 10 na | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11015-WR | - | ![]() | 8147 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 120 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 200 @ 30a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3055 PBFree | 4.9812 | ![]() | 9888 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 115 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 70 V | 15 A | 700 µA | NPN | 3V @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2.5MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4391 PBFree | 1.4775 | ![]() | 1032 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 14pf @ 20V | 40 V | 150 Ma @ 20 V | 10 V @ 1 Na | 30 ohmios | 100 Pa | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf246a | - | ![]() | 6065 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf246b | - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Activo | BF246 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4859A | - | ![]() | 7783 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 360 MW | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 2N4859A PBFree | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 10pf @ 10V (VGS) | 30 V | 50 mA @ 15 V | 10 V @ 500 PA | 25 ohmios | 250 PA | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CPDM303-CT20 | - | ![]() | 3771 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | - | - | - | CP398 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Cp398x-ctldm303n-wn | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP398 | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 78mohm @ 1.8a, 2.5V | 1.2V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||
2N2647 | - | ![]() | 7507 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | descascar | No Aplicable | 2n2647cs | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 6V | - | 300 MW | 18 MA | 2 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4949 | - | ![]() | 5297 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 3V | - | 2 MA | 1 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5431 | - | ![]() | 7170 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | - | No Aplicable | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1V | - | 2 MA | 400 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPP6027R BK | - | ![]() | 5831 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | descascar | 1 (ilimitado) | CMPP6027RBK | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 6V | 40V | 167 MW | 1.6 V | 10 na | 50 µA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4392-CT | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Banda | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP206-2N4392-CT | Obsoleto | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4393-CT | - | ![]() | 7572 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP216-2N4393-CT | Obsoleto | 400 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 20 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | 50 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2906A Tre Tin/Plomo | - | ![]() | 3901 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-PN2906ATRETIN/Leadtr | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 500mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT953-M833 BK | - | ![]() | 2625 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | 2.5 W | TLM833 | descascar | 1514-CTLT953-M833BK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 50NA | PNP | 420mv @ 400mA, 4A | 100 @ 1a, 1v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4209 | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-PN4209 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 V | 200 MA | 10NA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10mA, 300mv | 850MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn4258 tre | - | ![]() | 1242 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92 | - | 1514-PN4258Tre | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 V | 50 Ma | 10NA | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 500mA, 1V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM1074-M832D BK | - | ![]() | 6514 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | 1.65 W | TLM832D | descascar | 1514-CTLM1074-M832DBK | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP + Diodo (Aislado) | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3640-5 | - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 1514-PN3640-5 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 V | 80 Ma | 50NA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 10 Mapa, 300mv | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4258-18 | - | ![]() | 2193 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | - | 1514-PN4258-18 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 V | 50 Ma | 10NA | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 500mA, 1V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPFJ175 PBFree | - | ![]() | 2550 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Cinta de Corte (CT) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLM8205 BK | - | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-563 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMLM8205BK | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 50 V | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 20V | 70 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 150MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ6503 LATA/Plomo | - | ![]() | 9951 | 0.00000000 | Central de semiconductores | MJ6503 | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | MJ6503 | 125 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-mj6503tin/plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 8 A | 500 µA | PNP | 5V @ 3a, 8a | 15 @ 2a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJ6503 PBFree | - | ![]() | 6713 | 0.00000000 | Central de semiconductores | MJ6503 | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | MJ6503 | 125 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1514-MJ6503PBFree | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 8 A | 500 µA | PNP | 5V @ 3a, 8a | 15 @ 2a, 5v | - |
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