SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
VS-GT200TS065N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TS065N 90.8800
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Caja Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 517 W Estándar Int-a-pak igbt - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-VS-GT200TS065N 15 Inversor de Medio Puente Zanja 650 V 193 A 2.3V @ 15V, 200a 100 µA No
VS-20MT120PFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120PFP 91.8800
RFQ
ECAD 2525 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 16 MTP 20mt120 240 W Estándar 16 MTP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VS-20MT120PFP 1 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1200 V 57 A 2.16V @ 15V, 20a 200 µA No 1430 pf @ 30 V
VS-GT100LA65UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100LA65UF 37.8600
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT100 230 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VS-GT100LA65UF 1 Piquero Parada de Campo de Trinchera 650 V 94 A 2.1V @ 15V, 100A 80 µA No
VS-GT55LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT55LA120UX 37.4900
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita 291 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-GT55LA120ux EAR99 8541.29.0095 10 Piquero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 68 A 2.8V @ 15V, 50A 50 µA No
VS-GB100TS120NPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TS120NPBF -
RFQ
ECAD 5788 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto Monte del Chasis Int-a-pak GB100 Estándar Int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Escrutinio - No
VS-GB200TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200TH120N -
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB200 1136 W Estándar Doble int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB200TH120N EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente - 1200 V 360 A 2.35V @ 15V, 200a 5 Ma No 14.9 NF @ 25 V
VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETF150Y65N 68.5600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Caja Obsoleto 175 ° C (TJ) Módulo ETF150 600 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-ETF150Y65NGI EAR99 8541.29.0095 60 Inversor de Medio Puente Escrutinio 650 V 201 a 2.17V @ 15V, 150a Si
VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT180DA120U 46.2400
RFQ
ECAD 4466 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT180 1087 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 281 A 2.05V @ 15V, 100A 100 µA No 9.35 NF @ 25 V
VS-92-0173 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-92-0173 -
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - - - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 112-VS-92-0173 Obsoleto 1 - - -
VS-GB300TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300TH120U -
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB300 2119 W Estándar Doble int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB300TH120U EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente - 1200 V 530 A 3.6V @ 15V, 300A 5 Ma No 25.3 NF @ 30 V
VS-GB150TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120N -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB150 1008 W Estándar Doble int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB150TH120N EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente - 1200 V 300 A 2.35V @ 15V, 150a 5 Ma No 11 NF @ 25 V
VS-FB190SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB190SA10 -
RFQ
ECAD 2875 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita FB190 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 190a (TJ) 10V 6.5mohm @ 180a, 10v 4.35V @ 250 µA 250 nc @ 10 V ± 20V 10700 pf @ 25 V - 568W (TC)
50MT060ULS Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50mt060uls -
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 10-MTP 50mt060 445 W Estándar 10-MTP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 100 A 2.55V @ 15V, 100A 250 µA No 14.7 NF @ 30 V
VS-GB200LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200LH120N -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB200 1562 W Estándar Doble int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB200LH120N EAR99 8541.29.0095 12 Soltero - 1200 V 370 A 2.07V @ 15V, 200a (typ) 100 na No 18 NF @ 25 V
VS-GB50YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB50YF120N -
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GB50 330 W Estándar PACK ECONO2 4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB50YF120N EAR99 8541.29.0095 12 - 1200 V 66 A 4.5V @ 15V, 75a 250 µA No
GA200SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60S -
RFQ
ECAD 2692 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GA200 630 W Estándar Sot-227b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 600 V 200 A 1.3V @ 15V, 100A 1 MA No 16.25 NF @ 30 V
VS-CPV364M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4FPBF -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 19-SIP (13 pistas), IMS-2 CPV364 63 W Estándar IMS-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 160 - 600 V 27 A 1.5V @ 15V, 15a 250 µA No 2.2 NF @ 30 V
VS-GT75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-gt75yf120ut 146.1400
RFQ
ECAD 107 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Caja Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 431 W Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-vs-gt75yf120ut EAR99 8541.29.0095 12 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1200 V 118 A 2.6V @ 15V, 75a 100 µA Si
VS-GB90SA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB90SA120U -
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4 GB90 862 W Estándar Sot-227 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS-GB90SA120UGI EAR99 8541.29.0095 160 Soltero Escrutinio 1200 V 149 A 3.9V @ 15V, 75a 250 µA No
VS-VSHPS1444 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1444 -
RFQ
ECAD 8826 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto VSHP14 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-vs-vshps1444 Obsoleto 160
VS-GT105NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT105NA120UX -
RFQ
ECAD 6939 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT105 463 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 160 Soltero Zanja 1200 V 134 A 75 µA No
VS-S1683 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1683 -
RFQ
ECAD 6770 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto S1683 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-VS-S1683 Obsoleto 12
VS-GT100DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100DA120U -
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT100 893 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VSGT100DA120U EAR99 8541.29.0095 180 Soltero Zanja 1200 V 258 A 2.1V @ 15V, 100A 100 µA No
VS-GT200SA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200SA60UP -
RFQ
ECAD 5873 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela La Última Vez Que Compre - ROHS3 Cumplante 112-VS-GT200SA60UP 1
VS-GB75YF120UT Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-gb75yf120ut -
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GB75 480 W Estándar PACK ECONO2 4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Vsgb75yf120ut EAR99 8541.29.0095 12 - 1200 V 100 A 4.5V @ 15V, 100A 250 µA Si
VS-GB400AH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400AH120U -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (5) GB400 2841 W Estándar Doble int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB400AH120U EAR99 8541.29.0095 12 Soltero - 1200 V 550 A 3.6V @ 15V, 400A 5 Ma No 33.7 NF @ 30 V
VS-GA300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA300TD60S -
RFQ
ECAD 9566 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Dual int-a-pak (3 + 8) GA300 1136 W Estándar Dual int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGA300TD60S EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente - 600 V 530 A 1.45V @ 15V, 300A 750 µA No
VS-GA100TS60SF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS60SF -
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak GA100 780 W Estándar Int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente PT 600 V 220 A 1.28V @ 15V, 100A 1 MA No 16.25 NF @ 30 V
VS-GB300TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300TH120N -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB300 1645 W Estándar Doble int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB300TH120N EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente - 1200 V 500 A 2.45V @ 15V, 300A 5 Ma No 21.2 NF @ 25 V
2N3904PH Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2n3904ph -
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3904 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock