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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | VS-GT200TS065N | 90.8800 | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Caja | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 517 W | Estándar | Int-a-pak igbt | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-VS-GT200TS065N | 15 | Inversor de Medio Puente | Zanja | 650 V | 193 A | 2.3V @ 15V, 200a | 100 µA | No | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT120PFP | 91.8800 | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 16 MTP | 20mt120 | 240 W | Estándar | 16 MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VS-20MT120PFP | 1 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 57 A | 2.16V @ 15V, 20a | 200 µA | No | 1430 pf @ 30 V | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100LA65UF | 37.8600 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT100 | 230 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VS-GT100LA65UF | 1 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 94 A | 2.1V @ 15V, 100A | 80 µA | No | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT55LA120UX | 37.4900 | ![]() | 157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | 291 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-GT55LA120ux | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 68 A | 2.8V @ 15V, 50A | 50 µA | No | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB100TS120NPBF | - | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | Int-a-pak | GB100 | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Escrutinio | - | No | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GB200TH120N | - | ![]() | 4893 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1136 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB200TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 360 A | 2.35V @ 15V, 200a | 5 Ma | No | 14.9 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
VS-ETF150Y65N | 68.5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Caja | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Módulo | ETF150 | 600 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-ETF150Y65NGI | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Inversor de Medio Puente | Escrutinio | 650 V | 201 a | 2.17V @ 15V, 150a | Si | |||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT180DA120U | 46.2400 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT180 | 1087 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 281 A | 2.05V @ 15V, 100A | 100 µA | No | 9.35 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
![]() | VS-92-0173 | - | ![]() | 1251 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 112-VS-92-0173 | Obsoleto | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GB300TH120U | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 2119 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB300TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 530 A | 3.6V @ 15V, 300A | 5 Ma | No | 25.3 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB150TH120N | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB150 | 1008 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB150TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 300 A | 2.35V @ 15V, 150a | 5 Ma | No | 11 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-FB190SA10 | - | ![]() | 2875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | FB190 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 100 V | 190a (TJ) | 10V | 6.5mohm @ 180a, 10v | 4.35V @ 250 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 10700 pf @ 25 V | - | 568W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 50mt060uls | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 10-MTP | 50mt060 | 445 W | Estándar | 10-MTP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Soltero | - | 600 V | 100 A | 2.55V @ 15V, 100A | 250 µA | No | 14.7 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB200LH120N | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1562 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB200LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 370 A | 2.07V @ 15V, 200a (typ) | 100 na | No | 18 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GB50YF120N | - | ![]() | 8066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GB50 | 330 W | Estándar | PACK ECONO2 4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB50YF120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 V | 66 A | 4.5V @ 15V, 75a | 250 µA | No | |||||||||||||||||||
![]() | GA200SA60S | - | ![]() | 2692 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GA200 | 630 W | Estándar | Sot-227b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 600 V | 200 A | 1.3V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
VS-CPV364M4FPBF | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV364 | 63 W | Estándar | IMS-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 27 A | 1.5V @ 15V, 15a | 250 µA | No | 2.2 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||
![]() | Vs-gt75yf120ut | 146.1400 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Caja | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 431 W | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-vs-gt75yf120ut | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 118 A | 2.6V @ 15V, 75a | 100 µA | Si | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB90SA120U | - | ![]() | 1375 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4 | GB90 | 862 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS-GB90SA120UGI | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Escrutinio | 1200 V | 149 A | 3.9V @ 15V, 75a | 250 µA | No | ||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1444 | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | VSHP14 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-vs-vshps1444 | Obsoleto | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT105NA120UX | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT105 | 463 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Zanja | 1200 V | 134 A | 75 µA | No | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1683 | - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | S1683 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-VS-S1683 | Obsoleto | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100DA120U | - | ![]() | 6448 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT100 | 893 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSGT100DA120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Soltero | Zanja | 1200 V | 258 A | 2.1V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GT200SA60UP | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | ROHS3 Cumplante | 112-VS-GT200SA60UP | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Vs-gb75yf120ut | - | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GB75 | 480 W | Estándar | PACK ECONO2 4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Vsgb75yf120ut | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 V | 100 A | 4.5V @ 15V, 100A | 250 µA | Si | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB400AH120U | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (5) | GB400 | 2841 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB400AH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 550 A | 3.6V @ 15V, 400A | 5 Ma | No | 33.7 NF @ 30 V | |||||||||||||||||
![]() | VS-GA300TD60S | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Dual int-a-pak (3 + 8) | GA300 | 1136 W | Estándar | Dual int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGA300TD60S | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 600 V | 530 A | 1.45V @ 15V, 300A | 750 µA | No | ||||||||||||||||||
![]() | VS-GA100TS60SF | - | ![]() | 5865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GA100 | 780 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | PT | 600 V | 220 A | 1.28V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||
![]() | VS-GB300TH120N | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 1645 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB300TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 500 A | 2.45V @ 15V, 300A | 5 Ma | No | 21.2 NF @ 25 V | |||||||||||||||||
![]() | 2n3904ph | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N3904 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 200 MA | - | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz |
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