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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-ETL015Y120H | - | ![]() | 2877 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Emipak-2b | ETL015 | 89 W | Estándar | Emipak-2b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 56 | Zanja | 1200 V | 22 A | 3.03V @ 15V, 15a | 75 µA | Si | 1.07 NF @ 30 V | |||
![]() | VS-GB200LH120N | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB200 | 1562 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB200LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 370 A | 2.07V @ 15V, 200a (typ) | 100 na | No | 18 NF @ 25 V | |
![]() | 50mt060uls | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 10-MTP | 50mt060 | 445 W | Estándar | 10-MTP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Soltero | - | 600 V | 100 A | 2.55V @ 15V, 100A | 250 µA | No | 14.7 NF @ 30 V | |||
![]() | VS-GT105NA120UX | - | ![]() | 6939 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT105 | 463 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Zanja | 1200 V | 134 A | 75 µA | No | ||||
![]() | VS-GA100TS60SF | - | ![]() | 5865 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GA100 | 780 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | PT | 600 V | 220 A | 1.28V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.25 NF @ 30 V | |||
![]() | VS-GB100TH120N | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100TH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | - | 1200 V | 200 A | 2.35V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 8.58 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB100TP120U | - | ![]() | 8769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | - | Monte del Chasis | Int-a-pak | GB100 | 735 W | Estándar | Int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100TP120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio puente | - | 1200 V | 150 A | 3.9V @ 15V, 100A | 2 MA | No | 4.3 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GT100NA120UX | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT100 | 463 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSGT100NA120UX | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Soltero | Zanja | 1200 V | 134 A | 2.85V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||
CPV362M4U | - | ![]() | 7618 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV362 | 23 W | Estándar | IMS-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 V | 7.2 A | 1.95V @ 15V, 7.2a | 250 µA | No | 530 pf @ 30 V | |||
![]() | VS-ETF150Y65U | - | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Emipak-2b | ETF150 | 417 W | Estándar | Emipak-2b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | Inversor de Tres Niveles | Zanja | 650 V | 142 A | 2.06V @ 15V, 100A | 100 µA | No | 6.6 NF @ 30 V | ||
![]() | VS-GP300TD60S | - | ![]() | 5442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Dual int-a-pak (3 + 8) | GP300 | 1136 W | Estándar | Dual int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | Pt, trinchera | 600 V | 580 A | 1.45V @ 15V, 300A | 150 µA | No | |||
![]() | VS-150MT060WDF | - | ![]() | 7943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | 150MT060 | 543 W | Estándar | 12 MTP Pressfit | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | PÍCARO DE DOBLE DOLAR | - | 600 V | 138 A | 2.48V @ 15V, 80A | 100 µA | Si | 14 NF @ 30 V | ||
![]() | VS-GT200TP065N | - | ![]() | 7892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GT200 | 600 W | Estándar | Int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio puente | Zanja | 650 V | 221 A | 2.12V @ 15V, 200a | 60 µA | No | |||
![]() | VS-100MT060WDF | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 16 MTP | 100mt060 | 462 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS100MT060WDF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | - | 600 V | 121 A | 2.29V @ 15V, 60A | 100 µA | Si | 9.5 NF @ 30 V | ||
![]() | VS-20MT050XC | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | - | - | - | 20mt050 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20MT050XC | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | No | ||||||
![]() | VS-20MT120UFAPBF | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 16 MTP | 20mt120 | 240 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20MT120UFAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor de puente entero | Escrutinio | 1200 V | 20 A | 4.66V @ 15V, 40A | 250 µA | No | 3.79 NF @ 30 V | |
![]() | VS-70MT060WSP | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | 70MT060 | 378 W | Rectificador de Puente de Una Sola Fase | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS70MT060WSP | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Soltero | - | 600 V | 96 A | 2.15V @ 15V, 40A | 100 µA | Si | 7.43 nf @ 30 V | |
![]() | VS-GT50TP60N | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak (3 + 4) | GT50 | 208 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGT50TP60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio puente | Zanja | 600 V | 85 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1 MA | No | 3.03 NF @ 30 V | |
![]() | VS-GA100TS60SFPBF | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GA100 | 780 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGA100TS60SFPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | PT | 600 V | 220 A | 1.28V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.25 NF @ 30 V | |
![]() | VS-GA200SA60UP | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GA200 | 500 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGA200SA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 600 V | 200 A | 1.9V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.5 NF @ 30 V | |
![]() | VS-GB100DA60UP | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB100 | 447 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSGB100DA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Soltero | - | 600 V | 125 A | 2.8V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||
![]() | VS-GB100LH120N | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 200 A | 1.77V @ 15V, 100A (typ) | 1 MA | No | 8.96 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB100TH120U | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 1136 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | Escrutinio | 1200 V | 200 A | 3.6V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 8.45 nf @ 20 V | |
![]() | VS-GB15XP120KTPBF | - | ![]() | 5764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | GB15 | 187 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB15XP120KTPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor trifásico | Escrutinio | 1200 V | 30 A | 3.66V @ 15V, 30a | 250 µA | Si | 1.95 nf @ 30 V | |
![]() | VS-GB300LH120N | - | ![]() | 5475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 1645 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB300LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 500 A | 2V @ 15V, 300A (typ) | 5 Ma | No | 21.2 NF @ 25 V | |
![]() | VS-GB75YF120N | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GB75 | 480 W | Estándar | PACK ECONO2 4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB75YF120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 V | 100 A | 4.5V @ 15V, 100A | 250 µA | No | |||
![]() | VS-GT140DA60U | 68.0600 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT140 | 652 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Zanja | 600 V | 200 A | 2V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||
CPV362M4K | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV362 | 23 W | Estándar | IMS-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *CPV362M4K | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 V | 5.7 A | 1.93V @ 15V, 3A | 250 µA | No | 450 pf @ 30 V | ||
![]() | VS-GT80DA60U | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT80 | 454 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-GT80DA60U | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Interruptor Único | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 123 A | 2.45V @ 15V, 80A | 100 µA | No | 10.8 NF @ 25 V | |
![]() | VS-VSHPS1445 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-vs-vshps1445 | Obsoleto | 160 |
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