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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-40MT120PHAPBF | 63.7700 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Módulo de 12 MTP | 305 W | Estándar | 12-MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-40MT120PHAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 75 A | 2.65V @ 15V, 40A | 50 µA | No | 3.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||
![]() | VS-ENK025C65S | 71.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | * | Caja | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 112-VS-ENK025C65S | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-VSHPS1445 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-vs-vshps1445 | Obsoleto | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GA100TS60SFPBF | - | ![]() | 1054 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GA100 | 780 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGA100TS60SFPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | PT | 600 V | 220 A | 1.28V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.25 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GA200SA60UP | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GA200 | 500 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGA200SA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | - | 600 V | 200 A | 1.9V @ 15V, 100A | 1 MA | No | 16.5 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100DA60UP | - | ![]() | 4740 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB100 | 447 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | VSGB100DA60UP | EAR99 | 8541.29.0095 | 180 | Soltero | - | 600 V | 125 A | 2.8V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||||||||||||||
![]() | VS-GB100LH120N | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 833 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 200 A | 1.77V @ 15V, 100A (typ) | 1 MA | No | 8.96 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB100TH120U | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 1136 W | Estándar | Doble int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB100TH120U | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Medio puente | Escrutinio | 1200 V | 200 A | 3.6V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 8.45 nf @ 20 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB15XP120KTPBF | - | ![]() | 5764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | GB15 | 187 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB15XP120KTPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor trifásico | Escrutinio | 1200 V | 30 A | 3.66V @ 15V, 30a | 250 µA | Si | 1.95 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB300LH120N | - | ![]() | 5475 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Doble int-a-pak (3 + 4) | GB300 | 1645 W | Estándar | Doble int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB300LH120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Soltero | - | 1200 V | 500 A | 2V @ 15V, 300A (typ) | 5 Ma | No | 21.2 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | VS-GB75YF120N | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | GB75 | 480 W | Estándar | PACK ECONO2 4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGB75YF120N | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | - | 1200 V | 100 A | 4.5V @ 15V, 100A | 250 µA | No | |||||||||||||||
![]() | VS-GT140DA60U | 68.0600 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT140 | 652 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Zanja | 600 V | 200 A | 2V @ 15V, 100A | 100 µA | No | |||||||||||||||
![]() | VS-GT50TP60N | - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak (3 + 4) | GT50 | 208 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSGT50TP60N | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio puente | Zanja | 600 V | 85 A | 2.1V @ 15V, 50A | 1 MA | No | 3.03 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-100MT060WDF | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 16 MTP | 100mt060 | 462 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS100MT060WDF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | - | 600 V | 121 A | 2.29V @ 15V, 60A | 100 µA | Si | 9.5 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-20MT050XC | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Activo | - | - | - | 20mt050 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20MT050XC | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | - | No | ||||||||||||||||||
![]() | VS-20MT120UFAPBF | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 16 MTP | 20mt120 | 240 W | Estándar | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS20MT120UFAPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Inversor de puente entero | Escrutinio | 1200 V | 20 A | 4.66V @ 15V, 40A | 250 µA | No | 3.79 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-70MT060WSP | - | ![]() | 8101 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo de 12 MTP | 70MT060 | 378 W | Rectificador de Puente de Una Sola Fase | MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS70MT060WSP | EAR99 | 8541.29.0095 | 105 | Soltero | - | 600 V | 96 A | 2.15V @ 15V, 40A | 100 µA | Si | 7.43 nf @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-50MT060PHTAPBF | 72.2800 | ![]() | 7222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Módulo de 12 MTP | 50mt060 | 305 W | Estándar | 12-MTP | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VS-50MT060PHTAPBF | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 121 A | 1.64V @ 15V, 50A | 100 µA | Si | 6000 pf @ 25 V | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT75LA60UF | 40.2600 | ![]() | 4260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT75 | 231 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 112-VS-GT75LA60UF | 1 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 81 A | 2.26V @ 15V, 70A | 100 µA | No | |||||||||||||||||
![]() | VS-EMF050J60U | - | ![]() | 5252 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Emipak2 | EMF050 | 338 W | Estándar | Emipak2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSEMF050J60U | EAR99 | 8541.29.0095 | 56 | Inversor de Tres Niveles | - | 600 V | 88 A | 2.1V @ 15V, 50A | 100 µA | No | 9.5 NF @ 30 V | |||||||||||||
![]() | VS-GT80DA120U | 38.9900 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT80 | 658 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Zanja | 1200 V | 139 A | 2.55V @ 15V, 80A | 100 µA | No | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||
CPV363M4U | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV363 | 36 W | Estándar | IMS-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Inversor trifásico | - | 600 V | 13 A | 2V @ 15V, 13a | 250 µA | No | 1.1 NF @ 30 V | |||||||||||||||
![]() | VS-GT100TP60N | 79.2400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak (3 + 4) | GT100 | 417 W | Estándar | Int-a-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Medio puente | Zanja | 600 V | 160 A | 2.1V @ 15V, 100A | 5 Ma | No | 7.71 NF @ 30 V | ||||||||||||||
![]() | VS-CPV363M4KPBF | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV363 | 36 W | Estándar | IMS-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 11 A | 2.1V @ 15V, 6a | 250 µA | No | 740 pf @ 30 V | ||||||||||||||||
VS-CPV363M4UPBF | - | ![]() | 3479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV363 | 36 W | Estándar | IMS-2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 V | 13 A | 2.2V @ 15V, 6.8a | 250 µA | No | 1.1 NF @ 30 V | ||||||||||||||||
![]() | GB35XF120K | - | ![]() | 4628 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Econo2 | GB35 | 284 W | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 14 | Inversor trifásico | Escrutinio | 1200 V | 50 A | 3V @ 15V, 50A | 100 µA | No | 3.475 nf @ 30 V | |||||||||||||||
VS-GP250SA60S | - | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GP250 | 893 W | Estándar | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Pt, trinchera | 600 V | 380 A | 1.3V @ 15V, 100A | 100 µA | No | ||||||||||||||||
![]() | VS-FA40SA50LC | 24.7261 | ![]() | 2509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | FA40 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-227 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VSFA40SA50LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | N-canal | 500 V | 40A (TC) | 10V | 130mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 420 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 25 V | - | 543W (TC) | |||||||||||
![]() | VS-GT150TS065S | 100.8500 | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Fred PT® | Caja | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 789 W | Estándar | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 112-VS-GT150TS065S | 15 | Inversor de Medio Puente | Zanja | 650 V | 372 A | 150 µA | No | ||||||||||||||||||||
CPV363M4F | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 19-SIP (13 pistas), IMS-2 | CPV363 | 36 W | Estándar | IMS-2 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 84 | Inversor trifásico | - | 600 V | 16 A | 1.63V @ 15V, 16A | 250 µA | No | 1.1 NF @ 30 V |
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