SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
VS-40MT120PHAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT120PHAPBF 63.7700
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Módulo de 12 MTP 305 W Estándar 12-MTP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-40MT120PHAPBF EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 2.65V @ 15V, 40A 50 µA No 3.2 NF @ 25 V
VS-ENK025C65S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENK025C65S 71.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos * Caja Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 112-VS-ENK025C65S EAR99 8541.29.0095 100
VS-VSHPS1445 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSHPS1445 -
RFQ
ECAD 3948 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-vs-vshps1445 Obsoleto 160
VS-GA100TS60SFPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS60SFPBF -
RFQ
ECAD 1054 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak GA100 780 W Estándar Int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGA100TS60SFPBF EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente PT 600 V 220 A 1.28V @ 15V, 100A 1 MA No 16.25 NF @ 30 V
VS-GA200SA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60UP -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GA200 500 W Estándar Sot-227 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGA200SA60UP EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 600 V 200 A 1.9V @ 15V, 100A 1 MA No 16.5 NF @ 30 V
VS-GB100DA60UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100DA60UP -
RFQ
ECAD 4740 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GB100 447 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) VSGB100DA60UP EAR99 8541.29.0095 180 Soltero - 600 V 125 A 2.8V @ 15V, 100A 100 µA No
VS-GB100LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100LH120N -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB100 833 W Estándar Doble int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB100LH120N EAR99 8541.29.0095 12 Soltero - 1200 V 200 A 1.77V @ 15V, 100A (typ) 1 MA No 8.96 NF @ 25 V
VS-GB100TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120U -
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB100 1136 W Estándar Doble int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB100TH120U EAR99 8541.29.0095 12 Medio puente Escrutinio 1200 V 200 A 3.6V @ 15V, 100A 5 Ma No 8.45 nf @ 20 V
VS-GB15XP120KTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB15XP120KTPBF -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 12 MTP GB15 187 W Estándar MTP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB15XP120KTPBF EAR99 8541.29.0095 105 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 30 A 3.66V @ 15V, 30a 250 µA Si 1.95 nf @ 30 V
VS-GB300LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300LH120N -
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Doble int-a-pak (3 + 4) GB300 1645 W Estándar Doble int-a-pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB300LH120N EAR99 8541.29.0095 12 Soltero - 1200 V 500 A 2V @ 15V, 300A (typ) 5 Ma No 21.2 NF @ 25 V
VS-GB75YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75YF120N -
RFQ
ECAD 9089 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GB75 480 W Estándar PACK ECONO2 4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGB75YF120N EAR99 8541.29.0095 12 - 1200 V 100 A 4.5V @ 15V, 100A 250 µA No
VS-GT140DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT140DA60U 68.0600
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT140 652 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Zanja 600 V 200 A 2V @ 15V, 100A 100 µA No
VS-GT50TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50TP60N -
RFQ
ECAD 2413 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak (3 + 4) GT50 208 W Estándar Int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSGT50TP60N EAR99 8541.29.0095 24 Medio puente Zanja 600 V 85 A 2.1V @ 15V, 50A 1 MA No 3.03 NF @ 30 V
VS-100MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WDF -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 16 MTP 100mt060 462 W Estándar MTP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS100MT060WDF EAR99 8541.29.0095 105 - 600 V 121 A 2.29V @ 15V, 60A 100 µA Si 9.5 NF @ 30 V
VS-20MT050XC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT050XC -
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Activo - - - 20mt050 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS20MT050XC EAR99 8541.29.0095 10 - - - No
VS-20MT120UFAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFAPBF -
RFQ
ECAD 8023 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 16 MTP 20mt120 240 W Estándar MTP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS20MT120UFAPBF EAR99 8541.29.0095 105 Inversor de puente entero Escrutinio 1200 V 20 A 4.66V @ 15V, 40A 250 µA No 3.79 NF @ 30 V
VS-70MT060WSP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WSP -
RFQ
ECAD 8101 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Banda Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo de 12 MTP 70MT060 378 W Rectificador de Puente de Una Sola Fase MTP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VS70MT060WSP EAR99 8541.29.0095 105 Soltero - 600 V 96 A 2.15V @ 15V, 40A 100 µA Si 7.43 nf @ 30 V
VS-50MT060PHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060PHTAPBF 72.2800
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Módulo de 12 MTP 50mt060 305 W Estándar 12-MTP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VS-50MT060PHTAPBF 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 600 V 121 A 1.64V @ 15V, 50A 100 µA Si 6000 pf @ 25 V
VS-GT75LA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LA60UF 40.2600
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT75 231 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 112-VS-GT75LA60UF 1 Piquero Parada de Campo de Trinchera 600 V 81 A 2.26V @ 15V, 70A 100 µA No
VS-EMF050J60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMF050J60U -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Emipak2 EMF050 338 W Estándar Emipak2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSEMF050J60U EAR99 8541.29.0095 56 Inversor de Tres Niveles - 600 V 88 A 2.1V @ 15V, 50A 100 µA No 9.5 NF @ 30 V
VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT80DA120U 38.9900
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Hexfred® Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GT80 658 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Zanja 1200 V 139 A 2.55V @ 15V, 80A 100 µA No 4.4 NF @ 25 V
CPV363M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4U -
RFQ
ECAD 1226 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 19-SIP (13 pistas), IMS-2 CPV363 36 W Estándar IMS-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 160 Inversor trifásico - 600 V 13 A 2V @ 15V, 13a 250 µA No 1.1 NF @ 30 V
VS-GT100TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TP60N 79.2400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Int-a-pak (3 + 4) GT100 417 W Estándar Int-a-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Medio puente Zanja 600 V 160 A 2.1V @ 15V, 100A 5 Ma No 7.71 NF @ 30 V
VS-CPV363M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4KPBF -
RFQ
ECAD 3037 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 19-SIP (13 pistas), IMS-2 CPV363 36 W Estándar IMS-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 160 - 600 V 11 A 2.1V @ 15V, 6a 250 µA No 740 pf @ 30 V
VS-CPV363M4UPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV363M4UPBF -
RFQ
ECAD 3479 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 19-SIP (13 pistas), IMS-2 CPV363 36 W Estándar IMS-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 160 - 600 V 13 A 2.2V @ 15V, 6.8a 250 µA No 1.1 NF @ 30 V
GB35XF120K Vishay General Semiconductor - Diodes Division GB35XF120K -
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Econo2 GB35 284 W Estándar - descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 14 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 50 A 3V @ 15V, 50A 100 µA No 3.475 nf @ 30 V
VS-GP250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GP250SA60S -
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GP250 893 W Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero Pt, trinchera 600 V 380 A 1.3V @ 15V, 100A 100 µA No
VS-FA40SA50LC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA40SA50LC 24.7261
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita FA40 Mosfet (Óxido de metal) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado VSFA40SA50LC EAR99 8541.29.0095 160 N-canal 500 V 40A (TC) 10V 130mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 420 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 25 V - 543W (TC)
VS-GT150TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT150TS065S 100.8500
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Fred PT® Caja Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 789 W Estándar - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 112-VS-GT150TS065S 15 Inversor de Medio Puente Zanja 650 V 372 A 150 µA No
CPV363M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4F -
RFQ
ECAD 2178 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 19-SIP (13 pistas), IMS-2 CPV363 36 W Estándar IMS-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 84 Inversor trifásico - 600 V 16 A 1.63V @ 15V, 16A 250 µA No 1.1 NF @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock