SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
AON6435 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6435 0.2725
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans AON643 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 12a (TA), 34A (TC) 5V, 10V 17mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 15 V - 4.1W (TA), 31W (TC)
NGTB25N120IHLWG onsemi NGTB25N120IHLWG -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB25 Estándar 192 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V - 1200 V 50 A 200 A 2.3V @ 15V, 25A 800 µJ (apaguado) 200 NC -/235ns
STB15N65M5 STMicroelectronics STB15N65M5 -
RFQ
ECAD 3740 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb15n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V 810 pf @ 100 V - 85W (TC)
STB36NM60N STMicroelectronics Stb36nm60n 6.8900
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB36 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 105mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 250 µA 83.6 NC @ 10 V ± 25V 2722 pf @ 100 V - 210W (TC)
STP130N10F3 STMicroelectronics STP130N10F3 3.5300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP130 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado -497-12984-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 9.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 20V 3305 pf @ 25 V - 250W (TC)
NVTR0202PLT1G onsemi NVTR0202PLT1G 0.3900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 NVTR0202 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 400 mA (TA) 4.5V, 10V 800mohm @ 200 MMA, 10V 2.3V @ 250 µA 2.18 NC @ 10 V ± 20V 70 pf @ 5 V - 225MW (TA)
STD4815NT4G onsemi Std4815nt4g -
RFQ
ECAD 4383 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto Std48 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-STD4815NT4G-488 EAR99 8541.29.0095 2.500
STFI26NM60N STMicroelectronics Stfi26nm60n -
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi26n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 35W (TC)
APTGT75H60T2G Microsemi Corporation Aptgt75h60t2g -
RFQ
ECAD 1814 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SP2 Aptgt75 250 W Estándar SP2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 600 V 100 A 1.9V @ 15V, 75a 250 µA Si 4.62 NF @ 25 V
PSMN2R8-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS, 118 3.7700
RFQ
ECAD 9156 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PSMN2R8 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 120a (TC) 10V 3mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 139 NC @ 10 V ± 20V 9961 pf @ 40 V - 306W (TC)
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100BS, 118 2.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PSMN5R6 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 5.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 141 NC @ 10 V ± 20V 8061 pf @ 50 V - 306W (TC)
FDB045AN08A0-F085 onsemi Fdb045an08a0-f085 2.9546
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB045 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 19a (TA) 6V, 10V 4.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 138 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 25 V - 310W (TC)
AOTF450L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF450L -
RFQ
ECAD 8022 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero AOTF450 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 785-1381-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 5.8a (TC) 10V 700mohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 250 µA 4.4 NC @ 10 V ± 30V 235 pf @ 25 V - 27W (TC)
AON6246 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6246 -
RFQ
ECAD 6525 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans AON62 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 13a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 3420 pf @ 30 V - 2.3W (TA), 83W (TC)
AOD468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD468 0.6615
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 AOD46 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 300 V 11.5A (TC) 10V 420mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 790 pf @ 25 V - 150W (TC)
AOI468 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI468 0.6880
RFQ
ECAD 8021 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Activo -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak AOI46 Mosfet (Óxido de metal) Un 251a descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3,500 N-canal 300 V 11.5A (TC) 10V 420mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 790 pf @ 25 V - 150W (TC)
AO4728 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4728 -
RFQ
ECAD 8557 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. Srfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AO47 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 20A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 4463 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 3.1W (TA)
BVSS84LT1G onsemi Bvss84lt1g 0.4000
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BVSS84 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 2.2 NC @ 10 V ± 20V 36 pf @ 5 V - 225MW (TA)
NCV8440STT1G onsemi NCV8440STT1G -
RFQ
ECAD 2608 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NCV8440 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 59 V 2.6a (TA) 3.5V, 10V 110mohm @ 2.6a, 10v 1.9V @ 100 µA 4.5 NC @ 4.5 V ± 15V 155 pf @ 35 V - 1.69W (TA)
NGB15N41ACLT4G Littelfuse Inc. NGB15N41ACLT4G -
RFQ
ECAD 3889 0.00000000 Littelfuse Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 107 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 300V, 6.5a, 1kohm - 440 V 15 A 50 A 2.2V @ 4V, 10a - -/4 µs
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir698dp-t1-ge3 1.3100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir698 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 7.5a (TC) 6V, 10V 195mohm @ 2.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 210 pf @ 50 V - 3.7W (TA), 23W (TC)
SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHG73N60E-GE3 12.6600
RFQ
ECAD 7443 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sihg73 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 600 V 73a (TC) 10V 39mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 362 NC @ 10 V ± 30V 7700 pf @ 100 V - 520W (TC)
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 300MW (TA)
IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies IRLR3636TRLPBF 1.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR3636 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 100 µA 49 NC @ 4.5 V ± 16V 3779 pf @ 50 V - 143W (TC)
SI4178DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4178DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4178 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8.4a, 10v 2.8V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 25V 405 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 5W (TC)
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies IRLHS2242TR2PBF -
RFQ
ECAD 7601 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 6-Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) 6-PQFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 Canal P 20 V 7.2a (TA), 15a (TC) 31mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 12 NC @ 10 V 877 pf @ 10 V -
IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies IHW30N110R3FKSA1 4.2700
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ihw30n110 Estándar 333 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 600V, 30a, 15ohm, 15V Zanja 1100 V 60 A 90 A 1.75V @ 15V, 30a 1.15mj (apaguado) 180 NC -/350ns
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies Ikw20n60tafksa1 -
RFQ
ECAD 4622 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-247-3 Ikw20n60 Estándar 166 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 400V, 20a, 12ohm, 15V 41 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 770 µJ 120 NC 18ns/199ns
IPA65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies IPA65R190CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17.5a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 4.5V @ 730 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPI90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPI90N04S402AKSA1 3.1900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI90N04 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10v 4V @ 95 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 9430 pf @ 25 V - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock