SIC
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Imagen Número de producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad disponible Peso (kg) MFR Serie Paquete Estado del producto Temperatura de funcionamiento Tipo de montaje Paquete / estuche Número de producto base Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de proveedor Ficha de datos Estado de ROHS Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) Estatus de alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de FET Drene a la fuente de voltaje (VDSS) Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds Característica de FET Disipación de potencia (Max) Voltaje - Desglose del emisor del colector (máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Actual - Corte de colección (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE Frecuencia - Transición Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de emisor (R2)
AON7402 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7402 -
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8powervdfn AON740 MOSFET (óxido de metal) 8-DFN-EP (3x3) descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 13.5A (TA), 39A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 17.8 NC @ 10 V ± 20V 770 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 26W (TC)
FJPF5027RYDTU onsemi FJPF5027RYDTU -
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A través del agujero TO20-3 PAQUETO COMPLETO FJPF5027 40 W A 220F-3 descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 50 800 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 2V @ 300 mA, 1.5a 15 @ 200Ma, 5V 15MHz
SS9014BTA Fairchild Semiconductor SS9014BTA 1.0000
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 Semiconductor de Fairchild - A granel Obsoleto 150 ° C (TJ) A través del agujero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó clientes potenciales 450 MW A 92-3 descargar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 mA, 100 mA 100 @ 1 mapa, 5v 270MHz
FQA24N50F_F109 onsemi FQA24N50F_F109 -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 onde FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A través del agujero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 MOSFET (óxido de metal) A 3p descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 200mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 4500 pf @ 25 V - 290W (TC)
2SD1815T-TL-H onsemi 2SD1815T-TL-H -
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ECAD 3505 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + pestaña), SC-63 2SD1815 1 W TP-FA descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0075 700 100 V 3 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mM, 1.5a 200 @ 500mA, 5V 180MHz
BCX56-10,135 Nexperia USA Inc. BCX56-10,135 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX56 1.25 W Sot-89 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 180MHz
90025-06TXV Microchip Technology 90025-06TXV -
RFQ
ECAD 7691 0.00000000 Tecnología de microchip - A granel Activo - A través del agujero TO13AA, TO-66-2 TO-66 (TO-213AA) - ROHS no conforme Alcanzar no afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
ADP3110A0001RZR onsemi ADP3110A0001RZR 0.1800
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ECAD 7 0.00000000 onde * A granel Activo - No aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500
PDTA124EM,315 Nexperia USA Inc. PDTA124EM, 315 0.2100
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTA124 250 MW SOT-883 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 22 kohms 22 kohms
PN4391 Fairchild Semiconductor PN4391 1.0000
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ECAD 1098 0.00000000 Semiconductor de Fairchild - A granel Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A través del agujero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW A 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 14pf @ 20V 30 V 50 Ma @ 20 V 4 v @ 1 na 30 ohmios
SMP5460 InterFET SMP5460 -
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ECAD 1264 0.00000000 Interfet SMP5460 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-3 350 MW Sot-23-3 descargar ROHS3 Cumplante Alcanzar no afectado 4966-SMP5460 EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 40 V 4PF @ 15V 2 Ma @ 15 V 2 V @ 1 µA 650 ohmios
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
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ECAD 9816 0.00000000 Semiconductor de Fairchild - A granel Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descargar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal - 25 V 500 mA @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3 ohmios
SMP152TR InterFET SMP152TR -
RFQ
ECAD 6417 0.00000000 Interfet SMP152 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-3 350 MW Sot-23-3 descargar ROHS3 Cumplante Alcanzar no afectado 4966-SMP152TR EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 20 V 15pf @ 10V 14 Ma @ 10 V 1.2 v @ 1 na 42 ohmios
BC859BLT3G onsemi Bc859blt3g -
RFQ
ECAD 9343 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mM, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
BF720,115 Nexperia USA Inc. BF720,115 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BF720 1.2 W SOT-223 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 300 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 600mV @ 5 mM, 30 mA 50 @ 25 mM, 20V 60MHz
JANTX2N5002 Microchip Technology Jantx2n5002 448.0624
RFQ
ECAD 9730 0.00000000 Tecnología de microchip Militar, MIL-PRF-19500/534 A granel Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, soporte de semental TO10AA, TO-59-4, Stud 2N5002 2 W TO-59 descargar ROHS no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
TK72A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK72A08N1, S4X 2.2300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Toshiba semiconductor y almacenamiento U-Mosviii-H A granel Activo 150 ° C (TJ) A través del agujero TO20-3 PAQUETO COMPLETO TK72A08 MOSFET (óxido de metal) A 220SIS descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TA) 10V 4.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 1MA 175 NC @ 10 V ± 20V 8200 pf @ 10 V - 45W (TC)
DTC024XMT2L Rohm Semiconductor Dtc024xmt2l 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 DTC024 150 MW VMT3 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -sesgado 150mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 5 mma, 10v 250 MHz 22 kohms 47 kohms
JANSD2N3636L Microchip Technology Jansd2n3636l -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 Tecnología de microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 A granel Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A través del agujero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - ROHS no conforme Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 50 175 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mM, 50 mA 50 @ 50 mapa, 10v -
AOK40N30L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK40N30L 2.1911
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ECAD 9177 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo La última vez que compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A través del agujero TO-247-3 AOK40 MOSFET (óxido de metal) To-247 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado 785-1447-5 EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 300 V 40A (TC) 10V 85mohm @ 20a, 10v 4.1V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 30V 3270 pf @ 25 V - 357W (TC)
HUFA75344P3_F085 onsemi HUFA753444P3_F085 -
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A través del agujero A 220-3 HUFA75 MOSFET (óxido de metal) A 220-3 descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
IRF3808SPBF International Rectifier IRF3808SPBF 1.0000
RFQ
ECAD 5209 0.00000000 Rectificador internacional Hexfet® A granel Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-3, D²PAK (2 cables + pestaña), TO-263AB MOSFET (óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 75 V 106a (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10v 4V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 5310 pf @ 25 V - 200W (TC)
IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T065S7XTMA1 3.5864
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado 2,000
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies IRLMS1902TRPBF -
RFQ
ECAD 9999 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLMS1902 MOSFET (óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.2a (TA) 2.7V, 4.5V 100mohm @ 2.2a, 4.5V 700mv @ 250 µA (min) 7 NC @ 4.5 V ± 12V 300 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
DCP55-13 Diodes Incorporated DCP55-13 -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DCP55 1 W SOT-223-3 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
DDTA115TUA-7 Diodes Incorporated Ddta115tua-7 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo Ddta115 descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
FW257-TL-E onsemi FW257-TL-E -
RFQ
ECAD 1583 0.00000000 onde - A granel Obsoleto 150 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) MOSFET (óxido de metal) 8-SOP - ROHS no conforme Vendedor indefinido 2156-FW257-TL-E-488 1 N-canal 100 V 2a (TA) 4V, 10V 220mohm @ 1a, 10v 2.6V @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 20V 530 pf @ 20 V - 1.4W (TA)
IRFW720BTM Fairchild Semiconductor Irfw720btm 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de Fairchild - A granel Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-3, D²PAK (2 cables + pestaña), TO-263AB MOSFET (óxido de metal) D2PAK (TO-263) descargar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 3.3a (TC) 10V 1.75ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
KSH31CTM onsemi Ksh31ctm -
RFQ
ECAD 4511 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + pestaña), SC-63 KSH31 1.56 W D-Pak descargar 1 (ilimitado) Alcanzar no afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 50 µA NPN 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
UNR9211G0L Panasonic Electronic Components Unr9211g0l -
RFQ
ECAD 4111 0.00000000 Componentes electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 UNR9211 125 MW SSMINI3-F3 descargar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -sesgado 250 mv a 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V 150 MHz 10 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock