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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB211503el-V1-R250 | - |  | 8779 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-33288-6 | 2.17GHz | Ldmos | H-33288-6 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.2 A | 32W | 18dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMST3904,115 | 0.1900 | | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PMST3904 | 200 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6421 | 3.6000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Caja | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 35 W | TO-66 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-2N6421 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 250 V | 2 A | 5 mm | PNP | 750mv @ 125ma, 1a | 25 @ 1a, 10v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1339S-AC | 0.0800 | | 41 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.806 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXGT6N170AHV | 14.5227 | | 4663 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Ixgt6n170 | Estándar | 75 W | TO-268HV (IXGT) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 850V, 6A, 33OHM, 15V | - | 1700 V | 6 A | 14 A | 7V @ 15V, 3a | 590 µJ (Encendido), 180 µJ (apagado) | 18.5 NC | 46ns/220ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dra9115g0l | - | | 7790 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | Dra9115 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SG2023L | - | | 5733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-Clcc | SG2023 | - | 20-Clcc (8.89x8.89) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-SG2023L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 95V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3816-DL-1E | - | | 2697 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 2SK3816 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 40a (TA) | 4V, 10V | 26mohm @ 20a, 10v | - | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 20 V | - | 1.65W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3740 | - | | 3497 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 25 W | TO-66 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-2N3740 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 4 A | 1mera | 600mv @ 125ma, 1a | 40 @ 100mA, 1V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5C466NWFT1G | 1.6800 | | 9075 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 15A (TA), 49A (TC) | 10V | 8.1mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 625 pf @ 25 V | - | 3.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mtd20p06hdl | - | | 4146 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D44C2 | 0.5000 | | 50 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 2383-D44C2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 30 V | 4 A | 10 µA | NPN | 500mv @ 50 mm, 1a | 100 @ 200Ma, 1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF840,215 | - | | 1901 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BF840 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Fqd1n60ctm | 0.2700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.110 | N-canal | 600 V | 1A (TC) | 10V | 11.5ohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 6.2 NC @ 10 V | ± 30V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSC110N15NS5ATMA1 | 3.4500 | | 7904 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 150 V | 76a (TC) | 8V, 10V | 11mohm @ 38a, 10V | 4.6V @ 91 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 75 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stgb19nc60kt4 | 2.7800 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STGB19 | Estándar | 125 W | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 12a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 35 A | 75 A | 2.75V @ 15V, 12A | 165 µJ (Encendido), 255 µJ (apaguado) | 55 NC | 30ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sts8dn6lf6ag | 1.7200 | | 3261 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sts8dn6 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 8a (TA) | 24mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 1340pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixtp2r4n120p | 6.7000 | | 30 | 0.00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Ixtp2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1200 V | 2.4a (TC) | 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1207 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOB288L | 1.0621 | | 2460 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AOB288 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 V | 10.5a (TA), 46A (TC) | 6V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1871 pf @ 40 V | - | 2.1W (TA), 93.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-GB75NA60UF | - | | 4811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB75 | 447 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Escrutinio | 600 V | 109 A | 2V @ 15V, 35a | 50 µA | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H5N2901FN-E | 2.6400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP08CN10N G | - | | 3446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP08C | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 95A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 95a, 10v | 4V @ 130 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6660 pf @ 50 V | - | 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTD23N03R | - | | 8327 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NTD23 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 3.8a (TA), 17.1a (TC) | 4V, 5V | 45mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 3.76 NC @ 4.5 V | ± 20V | 225 pf @ 20 V | - | 1.14W (TA), 22.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Ntmfs4c027nt3g | - | | 1844 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 16.4a (TA), 52a (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 18a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 18.2 NC @ 10 V | ± 20V | 1670 pf @ 15 V | - | 2.51W (TA), 25.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DRC3114Y0L | - | | 9935 | 0.00000000 | Componentes Electrónicos de Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | Sot-723 | DRC3114 | 100 MW | SSSMINI3-F2-B | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 250mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5 MMA, 10V | 10 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SI1413EDH-T1-E3 | - | | 7428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 450MV @ 100 µA (min) | 8 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7204TRPBF | - | | 9032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7204 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 5.3a (TA) | 4.5V, 10V | 60mohm @ 5.3a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 12V | 860 pf @ 10 V | - | 2.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ixta62n25t | - | | 5809 | 0.00000000 | Ixys | Zanja | Tubo | Descontinuado en sic | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Ixta62 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263AA | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 62a (TC) | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT2907A-TP | 0.0663 | | 9921 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | SMBT2907 | 700MW | Sot-23-6l | descascar | 353-SMBT2907A-TP | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 600mA | 50NA | 2 PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 275X2-501N16A-00 | - | | 8481 | 0.00000000 | Ixys-rf | Delaware | Tubo | Obsoleto | 500 V | Almohadilla Expunesta de 8-SMD, Plomo Plano | 275x2-501 | - | Mosfet | DE275 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | DE275X2-501N16A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 Canal N (Dual) | 16A | 1180W | - | - |
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