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Productos de semiconductoros discretos (779)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
BZX84C16	0.1600	RFQ	7276	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.63%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000																900 MV @ 10 Ma		100 na @ 11.2 V						16 V	40 ohmios
SR2200	0.3500	RFQ	8674	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Schottky		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													200 V		850 MV @ 2 A		100 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	50pf @ 4V, 1 MHz
YJL3404A	0.2900	RFQ	3	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	5.6a (TA)	4.5V, 10V	24mohm @ 5.6a ,, 10v	2.2V @ 250 µA	12.22 NC @ 10 V	± 20V	526 pf @ 15 V	-	1.2W (TA)
Yjq3622a	0.4300	RFQ	3621	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn		Mosfet (Óxido de metal)		8-DFN (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal	30 V	30A	4.5V, 10V	13mohm @ 20a, 10v	2.5V @ 250 µA	23.6 NC @ 10 V	± 20V	1015 pf @ 15 V	Estándar	21W (TC)
KBU806	0.8000	RFQ	4806	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, KBU		Estándar		Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		400																1.1 v @ 4 a		10 µA @ 600 V		8 A		Fase única	600 V
GBU1010A	0.7100	RFQ	3431	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1,000																1 v @ 5 a		5 µA @ 1000 V		10 A		Fase única	1 kV
BZX84C5V6	0.1600	RFQ	1770	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 7.14%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C5		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000																900 MV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 V	40 ohmios
Yjq4666b	0.4700	RFQ	8598	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-udfn almohadilla exposición		Mosfet (Óxido de metal)		6-DFN (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	7a (TC)	1.8V, 4.5V	36.5mohm @ 7a, 4.5V	1V @ 250 µA	40.1 NC @ 4.5 V	± 10V	852 pf @ 10 V	-	2.2W (TC)
BZX84C36	0.1600	RFQ	7361	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.56%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000																900 MV @ 10 Ma		100 na @ 25.2 V						36 V	90 ohmios
Sf24g	0.3200	RFQ	8682	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial		Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													200 V		950 MV @ 2 A	35 ns	2.5 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2a	32pf @ 4V, 1MHz
ABS1510	0.3500	RFQ	9594	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-SMD, Ala de Gaviota		Estándar		Abdomenal	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		4.000																950 MV @ 700 Ma		5 µA @ 1000 V		1.5 A		Fase única	1 kV
SS24A	0.2300	RFQ	9507	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													40 V		500 MV @ 2 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2a	-
GBU1508	0.7100	RFQ	8845	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBU		Estándar		Gbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1,000																1 V @ 7.5 A		5 µA @ 800 V		15 A		Fase única	800 V
MBRL3045CT	0.9300	RFQ	5738	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3		Schottky		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	45 V	30A	550 MV @ 15 A		200 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C
GBJ2006	0.9000	RFQ	1807	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ		Estándar		GBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		750																1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		20 A		Fase única	600 V
GBPC3510	2.0800	RFQ	3600	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, GBPC	GBPC35	Estándar		GBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 A		Fase única	1 kV
GBP310S	0.4800	RFQ	6735	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, GBP		Estándar		GBP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		2,100																1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		3 A		Fase única	1 kV
KBJ406	0.6000	RFQ	2922	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, KBJ		Estándar		4KBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1,000																1 v @ 2 a		5 µA @ 600 V		4 A		Fase única	600 V
KBPC3510	1.8900	RFQ	3646	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrado, KBPC		Estándar		KBPC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 1000 V		35 A		Fase única	1 kV
GBJ2506	0.9400	RFQ	9788	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-SIP, GBJ		Estándar		GBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		750																1 V @ 12.5 A		5 µA @ 600 V		25 A		Fase única	600 V
Sf38g	0.3800	RFQ	7029	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial		Estándar		DO-201AD (DO-27)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		250	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													600 V		1.7 v @ 3 a	35 ns	2.5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1 MHz
D4UB100A	0.5300	RFQ	5122	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP		Estándar		D3K	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1.500																1 v @ 2 a		5 µA @ 1000 V		4 A		Fase única	1 kV
GBJ208	0.5200	RFQ	7893	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, KBJ		Estándar		2KBJ	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1.320																1 V @ 1 A		5 µA @ 800 V		2 A		Fase única	800 V
KBPC5006	1.8700	RFQ	9821	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 Cuadrado, KBPC-W		Estándar		KBPC-W	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		50																1.1 v @ 25 a		10 µA @ 600 V		50 A		Fase única	600 V
DB155	0.3700	RFQ	8572	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4 EDIP (0.300 ", 7.62 mm)		Estándar		DB-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		2.500																1 V @ 700 Ma		5 µA @ 600 V		1.5 A		Fase única	600 V
MBR20150FCT	0.8200	RFQ	9687	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA		Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												1 par Cátodo Común	150 V	20A	850 MV @ 10 A		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C
KBU810	0.7900	RFQ	8800	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Caja	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	4-ESIP, KBU		Estándar		Kbu	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		400																1.1 v @ 4 a		10 µA @ 1000 V		8 A		Fase única	1 kV
BZT52C6V8	0.1500	RFQ	7848	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5.88%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOD-123			500 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99		3.000																900 MV @ 10 Ma		2 µA @ 4 V						6.8 V	15 ohmios
MBR0540	0.2000	RFQ	5047	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SOD-123		Schottky		SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)													40 V		550 MV @ 500 Ma		200 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	500mA	40pf @ 4V, 1 MHz
BSS84	0.1400	RFQ	354	Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	60 V	170MA (TA)	4.5V, 10V	8ohm @ 150 mm, 10v	2V @ 250 µA	1.77 NC @ 10 V	± 20V	43 pf @ 30 V	-	350MW (TA)