SIC
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Productos de Semiconducores discretos (191)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
GPA060A060MN-FD SemiQ GPA060A060MN-FD -
RFQ
 ECAD 7066 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 347 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 400V, 60a, 10ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 120 A 180 A 2.3V @ 15V, 60A 2.66MJ (Encendido), 1.53mj (apaguado) 225 NC 45ns/150ns
GP3D030A065B SemiQ GP3D030A065B 8.4600
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero To-247-2 GP3D030 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 V @ 30 A 0 ns 75 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 30A 1247pf @ 1v, 1 MHz
GP3D030A120U SemiQ GP3D030A120U 15.7900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D030 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 15A 1.6 v @ 15 a 0 ns 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD160A008S1-D3 SemiQ GSXD160A008S1-D3 41.7555
RFQ
 ECAD 5831 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 160A 840 MV @ 160 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD100A006S1-D3 SemiQ GSXD100A006S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GPA040A120MN-FD SemiQ GPA040A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 480 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 40a, 5ohm, 15V 200 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 80 A 120 A 2.6V @ 15V, 40A 5.3mj (Encendido), 1.1mj (apaguado) 480 NC 55ns/200ns
GP2D010A120C SemiQ GP2D010A120C -
RFQ
 ECAD 8853 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-252-2L (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1045-5 EAR99 8541.10.0080 75 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 635pf @ 1v, 1 MHz
GSXD050A012S1-D3 SemiQ GSXD050A012S1-D3 35.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 120 V 50A 880 MV @ 50 A 3 Ma @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD120A018S1-D3 SemiQ GSXD120A018S1-D3 37.0575
RFQ
 ECAD 2977 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 180 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 180 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF120A120S1-D3 SemiQ GSXF120A120S1-D3 39.6525
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF120 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 120a 2.35 V @ 120 A 135 ns 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXF060A020S1-D3 SemiQ GSXF060A020S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXF060 Estándar Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 60A 1 V @ 60 A 75 ns 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D060A120U SemiQ GP2D060A120U -
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 94a (DC) 1.8 V @ 30 A 500 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD120A010S1-D3 SemiQ GSXD120A010S1-D3 37.0575
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 120a 840 MV @ 120 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD160A010S1-D3 SemiQ GSXD160A010S1-D3 45.3900
RFQ
 ECAD 4825 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD160 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 160A 840 MV @ 160 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD080A015S1-D3 SemiQ GSXD080A015S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD080 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 80A 880 MV @ 80 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D040A120U SemiQ GP3D040A120U 18.1023
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GP3D040 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 20A 1.65 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD120A020S1-D3 SemiQ GSXD120A020S1-D3 41.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD120 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 200 V 120a 920 MV @ 120 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D030A065B SemiQ GP2D030A065B -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Semiq * Tubo Descontinuado en sic - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1
GSXD060A006S1-D3 SemiQ GSXD060A006S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 3708 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 60 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C
GSXD060A015S1-D3 SemiQ GSXD060A015S1-D3 33.2649
RFQ
 ECAD 1187 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD060 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 60A 880 MV @ 60 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP3D010A120A SemiQ GP3D010A120A 6.0000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GP3D010 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.65 v @ 10 a 0 ns 20 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 608pf @ 1V, 1 MHz
GSXD100A010S1-D3 SemiQ GSXD100A010S1-D3 33.9200
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD100 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 100 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C
GCMX040B120S1-E1 SemiQ GCMX040B120S1-E1 29.3400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GCMX040 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GCMX040B120S1-E1 EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 57a (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 121 NC @ 20 V +25V, -10V 3185 pf @ 1000 V - 242W (TC)
GP2T040A120U SemiQ GP2T040A120U 20.8400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 1560-GP2T040A120U EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 63A (TC) 20V 52mohm @ 40a, 20V 4V @ 10mA 118 NC @ 20 V +25V, -10V 3192 pf @ 1000 V - 322W (TC)
GP2D003A065A SemiQ GP2D003A065A -
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1034-5 EAR99 8541.10.0080 50 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 v @ 3 a 0 ns 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 158pf @ 1V, 1 MHz
GP2D030A120U SemiQ GP2D030A120U -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados 1560-1233-5 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 50A (DC) 1.8 V @ 15 A 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD050A008S1-D3 SemiQ GSXD050A008S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GSXD050 Schottky Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 13 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 80 V 50A 840 MV @ 50 A 1 ma @ 80 V -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D020A065B SemiQ GP2D020A065B -
RFQ
 ECAD 7087 0.00000000 Semiq AMP+™ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To-247-2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY To-247-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.65 V @ 20 A 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1054pf @ 1V, 1 MHz
GHXS015A120S-D3 SemiQ GHXS015A120S-D3 39.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiq - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita GHXS015 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Sot-227 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1200 V 15A 1.7 V @ 15 A 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GPA025A120MN-ND SemiQ GPA025A120MN-ND -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Semiq - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 312 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 600V, 25A, 10ohm, 15V 480 ns Npt y trinchera 1200 V 50 A 75 A 2.5V @ 15V, 25A 4.15mj (Encendido), 870 µJ (apagado) 350 NC 57ns/240ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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