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Productos de Semiconducores discretos (191)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
GP3D050A060B	-	RFQ	1589	Semiq	*	Tubo	Activo				GP3D050					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	30
GSID200A120S5C1	-	RFQ	8305	Semiq	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	GSID200			Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados	1560-1231	EAR99	8541.29.0095	2	Inversor trifásico											-	1200 V	335 A	2.1V @ 15V, 200a	1 MA	Si	22.4 NF @ 25 V
GSID200A170S3B1	-	RFQ	1307	Semiq	AMP+™	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo D-3	GSID200		1630 W	Estándar	D3	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	4	2 Independientes											-	1200 V	400 A	1.9V @ 15V, 200a	1 MA	No	26 NF @ 25 V
GP3D020A065U	6.3700	RFQ	339	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	TO-247-3	GP3D020	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	30		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	1 par Cátodo Común	650 V	10A	1.6 v @ 10 a	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GP3D010A065A	2.5492	RFQ	6628	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	Un 220-2	GP3D010	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			Un 220-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	50		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		650 V		1.6 v @ 10 a	0 ns	25 µA @ 650 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	419pf @ 1v, 1 MHz
GP3D030A060B	-	RFQ	3879	Semiq	-	Tubo	Activo		-	-	GP3D030	Schottky			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	30		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)							-	-	-
GSXD120A006S1-D3	38.0922	RFQ	6696	Semiq	-	Tubo	Activo		Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD120	Schottky			Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	13		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	60 V	120a	750 MV @ 120 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GP2D010A120U	-	RFQ	3798	Semiq	AMP+™	Tubo	Descontinuado en sic		A Través del Aguetero	TO-247-3		Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	30		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	1 par Cátodo Común	1200 V	17a (DC)	1.8 V @ 5 A		10 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
GP3D010A120B	5.3303	RFQ	9212	Semiq	AMP+™	Tubo	Activo		A Través del Aguetero	To-247-2	GP3D010	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			To-247-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	30		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)		1200 V		1.65 v @ 10 a	0 ns	20 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	608pf @ 1V, 1 MHz
GSXD030A006S1-D3	27.7148	RFQ	4091	Semiq	-	Tubo	Activo		Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXD030	Schottky			Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	13		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	60 V	30A	750 MV @ 30 A		1 ma @ 60 V	-40 ° C ~ 150 ° C
GSXF120A040S1-D3	-	RFQ	9577	Semiq	-	Tubo	Obsoleto		Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	GSXF120	Estándar			Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.10.0080	13		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	400 V	120a	1.3 V @ 120 A	100 ns	25 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C