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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
GBPC3508T GeneSiC Semiconductor GBPC3508T 2.8650
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3508 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
FST7335M GeneSiC Semiconductor FST7335M -
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 35a 700 MV @ 35 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor MUR20010CTR 101.6625
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR20010 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1033 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor MURTA300120 159.9075
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 150a 2.6 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X050A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A150 43.6545
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MBR2X050 Schottky Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 150 V 50A 880 MV @ 50 A 3 Ma @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR200150 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 100A 880 MV @ 100 A 3 Ma @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247 16.5525
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero TO-247-3 GC2X20 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1337 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 90A (DC) 1.8 V @ 20 A 0 ns 18 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRH12045R GeneSiC Semiconductor MBRH12045R 60.0375
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Half-Pak MBRH12045 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 120 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
GKN26/16 GeneSiC Semiconductor GKN26/16 -
RFQ
 ECAD 9467 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
FR20G02 GeneSiC Semiconductor FR20G02 9.0510
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20G02GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 20 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
GBPC1502T GeneSiC Semiconductor GBPC1502T 2.4180
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1502 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
MUR7060 GeneSiC Semiconductor Mur7060 17.5905
RFQ
 ECAD 5311 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR7060GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 70a -
1N3214R GeneSiC Semiconductor 1N3214R 7.0650
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3214R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1003 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MBRF30040 GeneSiC Semiconductor MBRF30040 -
RFQ
 ECAD 7258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3004 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4595R GeneSiC Semiconductor 1N4595R 35.5695
RFQ
 ECAD 7086 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento 1N4595R Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.5 V @ 150 A 4 Ma @ 1200 V -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBPC2506W GeneSiC Semiconductor GBPC2506W 4.2000
RFQ
 ECAD 8886 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2506 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1291 EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
FST160200 GeneSiC Semiconductor FST160200 75.1110
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 80A 920 MV @ 80 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
UFT14060 GeneSiC Semiconductor UFT14060 -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis To-249ab Estándar To-249ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 70a 1.7 V @ 70 A 90 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045L GeneSiC Semiconductor MBRT40045L -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 200a 600 MV @ 200 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA80030 GeneSiC Semiconductor MBRTA80030 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 400A 720 MV @ 400 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12040 GeneSiC Semiconductor MBRF12040 -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 60A 700 MV @ 60 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1202A GeneSiC Semiconductor 1N1202A 4.2345
RFQ
 ECAD 8639 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N1202 Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1042 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
MBRT30045R GeneSiC Semiconductor MBRT30045R 107.3070
RFQ
 ECAD 5209 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT30045 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1073 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 150a 750 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A10 48.6255
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MUR2X100 Estándar Sot-227 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 52 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 1000 V 100A 2.35 V @ 100 A 25 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF20080R GeneSiC Semiconductor MBRF20080R -
RFQ
 ECAD 8971 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 80 V 100A 840 MV @ 100 A 1 ma @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURT20040R GeneSiC Semiconductor MURT20040R 104.4930
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT20040 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT20040RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 400 V 100A 1.35 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC5001W GeneSiC Semiconductor GBPC5001W 4.0155
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC5001 Estándar GBPC-W descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100CT 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR400100 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1022 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 200a 840 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40040RL GeneSiC Semiconductor MBRT40040RL -
RFQ
 ECAD 1556 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR70G05 GeneSiC Semiconductor FR70G05 17.5905
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr70g05gn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.4 V @ 70 A 500 ns 25 µA @ 100 V -40 ° C ~ 125 ° C 70a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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