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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Real - Promedio Rectificado (IO) Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
W10M GeneSiC Semiconductor W10M -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wom Estándar Wom descascar 1 (ilimitado) W10MGN EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
GBL005 GeneSiC Semiconductor GBL005 4.7100
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBPC1506T GeneSiC Semiconductor GBPC1506T 2.4180
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC1506 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBPC35005T GeneSiC Semiconductor GBPC35005T 2.8650
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC35005 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 A Fase única 50 V
GBPC3501T GeneSiC Semiconductor GBPC3501T 2.8650
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3501 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 A Fase única 100 V
GBPC5001T GeneSiC Semiconductor GBPC5001T 4.0155
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5001 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 A Fase única 100 V
GBPC5002T GeneSiC Semiconductor GBPC5002T 4.0155
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5002 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 200 V 50 A Fase única 200 V
GBPC5006T GeneSiC Semiconductor GBPC5006T 4.0155
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC5006 Estándar GBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 A Fase única 600 V
GBU10B GeneSiC Semiconductor Gbu10b 1.6300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU10 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu10bgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 A Fase única 100 V
GBU15G GeneSiC Semiconductor Gbu15g 0.6120
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu15ggn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBU15K GeneSiC Semiconductor GBU15K 0.6120
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu15kgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
GBU4K GeneSiC Semiconductor Gbu4k 0.4725
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu4kgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
GBU4M GeneSiC Semiconductor Gbu4m 0.4725
RFQ
 ECAD 6996 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU4 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu4mgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU6J GeneSiC Semiconductor Gbu6j 1.5300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
GBU8B GeneSiC Semiconductor GBU8B 1.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
GBU8G GeneSiC Semiconductor Gbu8g 1.5700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 400 V 8 A Fase única 400 V
GBU8J GeneSiC Semiconductor Gbu8j 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
GBU8M GeneSiC Semiconductor Gbu8m 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU8 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Gbu8mgn EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
KBJ25005G GeneSiC Semiconductor KBJ25005G 0.8955
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ25005 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 A Fase única 50 V
KBJ2504G GeneSiC Semiconductor KBJ2504G 0.8955
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ2504 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ2504GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
KBJ2508G GeneSiC Semiconductor KBJ2508G 0.8955
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ2508 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ2508GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
KBJ401G GeneSiC Semiconductor KBJ401G 0.5160
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ401 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ401GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0.5160
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ408 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ408GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
KBL403G GeneSiC Semiconductor KBL403G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL Estándar KBL descascar 1 (ilimitado) KBL403GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
KBL604G GeneSiC Semiconductor KBL604G 0.5805
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBL KBL604 Estándar KBL descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBL604GGN EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0.3750
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBP203GN EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µA @ 200 V 2 A Fase única 200 V
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0.3750
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBP206GN EAR99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
KBPC2501T GeneSiC Semiconductor KBPC2501T 2.2995
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC2501 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 A Fase única 100 V
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
 ECAD 9671 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC3504 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 A Fase única 400 V
KBPC5004T GeneSiC Semiconductor KBPC5004T 2.5875
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC5004 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µA @ 400 V 50 A Fase única 400 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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