SIC
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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1N1186A 10.3200
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1186 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1078 EAR99 8541.10.0080 100 - 200 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
MURF30010 GeneSiC Semiconductor MURF30010 -
RFQ
 ECAD 9707 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 150a 1 V @ 150 A 25 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N1190 GeneSiC Semiconductor 1N1190 6.2320
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N1190 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1044 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT150 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1000 V 150a 1.2 V @ 150 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 Semiconductor genesico - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Sot-227 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10 - 1200 V 160A (TC) - 10mohm @ 100a - - 14400 pf @ 800 V - 535W (TC)
G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 12.2400
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 Semiconductor genesico G3R ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 G3R160 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-G3R160MT17D EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1700 V 21a (TC) 15V 208mohm @ 12a, 15V 2.7V @ 5MA 51 NC @ 15 V ± 15V 1272 pf @ 1000 V - 175W (TC)
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K 22.5300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 Semiconductor genesico G3R ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 G3R30 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-G3R30MT12K EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 90A (TC) 15V 36mohm @ 50A, 15V 2.69V @ 12MA 155 NC @ 15 V ± 15V 3901 pf @ 800 V - 400W (TC)
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico G3R ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 G3R450 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-G3R450MT17D EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1700 V 9A (TC) 15V 585mohm @ 4a, 15V 2.7V @ 2mA 18 NC @ 15 V ± 15V 454 pf @ 1000 V - 88W (TC)
G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J 5.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor genesico G3R ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA G3R350 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 263-7 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-G3R350MT12J EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1200 V 11a (TC) 15V 420mohm @ 4a, 15V 2.69V @ 2mA 12 NC @ 15 V ± 15V 334 pf @ 800 V - 75W (TC)
G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K 295.6700
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor genesico G2R ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-G2R50MT33K EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 3300 V 63A (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 3.5V @ 10MA (typ) 340 NC @ 20 V +25V, -10V 7301 pf @ 1000 V Estándar 536W (TC)
GBJ10K GeneSiC Semiconductor GBJ10K 0.7470
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ10 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ10K EAR99 8541.10.0080 200 1.05 v @ 5 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
GBJ10D GeneSiC Semiconductor GBJ10D 0.7470
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ10 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ10D EAR99 8541.10.0080 200 1.05 v @ 5 a 10 µA @ 200 V 10 A Fase única 200 V
GBJ20J GeneSiC Semiconductor GBJ20J 0.9120
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ20 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ20J EAR99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 600 V 20 A Fase única 600 V
GBJ20M GeneSiC Semiconductor Gbj20m 0.9120
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ20 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ20M EAR99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 20 A Fase única 1 kV
GBJ10B GeneSiC Semiconductor GBJ10B 0.7470
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ10 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ10B EAR99 8541.10.0080 200 1.05 v @ 5 a 10 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
GBJ15G GeneSiC Semiconductor Gbj15g 0.7875
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ15 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ15G EAR99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 A Fase única 400 V
GBJ15D GeneSiC Semiconductor GBJ15D 0.7875
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ15 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ15D EAR99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
MSRTA300100D GeneSiC Semiconductor MSRTA300100D 159.9075
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo MSRTA300 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRTA300100D EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1000 V 300A 1.1 V @ 300 A 20 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ35M GeneSiC Semiconductor GBJ35M 1.6410
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ35 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ35M EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
GBJ25D GeneSiC Semiconductor GBJ25D 0.9795
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ25 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ25D EAR99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
KBU8J GeneSiC Semiconductor KBU8J 1.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU KBU8 Estándar Kbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 400 1 v @ 8 a 10 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
M3P100A-120 GeneSiC Semiconductor M3P100A-120 -
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 A 10 Ma @ 1200 V 100 A Fase triple 1.2 kV
KBJ410G GeneSiC Semiconductor KBJ410G 0.5160
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ410 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ410GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
KBJ2502G GeneSiC Semiconductor KBJ2502G 0.8955
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJ KBJ2502 Estándar KBJ descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) KBJ2502GGN EAR99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 A Fase única 200 V
KBPC15005T GeneSiC Semiconductor KBPC15005T 2.1795
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, KBPC-T KBPC15005 Estándar KBPC descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
W08M GeneSiC Semiconductor W08M -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-Circular, Wom Estándar Wom descascar 1 (ilimitado) W08mgn EAR99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V 1.5 A Fase única 800 V
GBJ10G GeneSiC Semiconductor Gbj10g 0.7470
RFQ
 ECAD 3356 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBJ GBJ10 Estándar GBJ descascar ROHS3 Cumplante 1242-GBJ10G EAR99 8541.10.0080 200 1.05 v @ 5 a 5 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D 15.2500
RFQ
 ECAD 576 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Gd2x Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) 1242-GD2X20MPS12D EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 39A (DC) 1.8 V @ 20 A 0 ns 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
GBU6B GeneSiC Semiconductor Gbu6b 1.5300
RFQ
 ECAD 382 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 100 V 6 A Fase única 100 V
MBRT12020R GeneSiC Semiconductor MBRT12020R 75.1110
RFQ
 ECAD 9313 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT12020 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT12020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 60A 750 MV @ 60 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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