SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBRTA50030 GeneSiC Semiconductor MBRTA50030 -
RFQ
ECAD 7293 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 250a 700 MV @ 250 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20035RL GeneSiC Semiconductor MBRH20035RL -
RFQ
ECAD 8217 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky, Polaridad Inversa D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 200 V 200a -
MBRH30030RL GeneSiC Semiconductor MBRH30030RL -
RFQ
ECAD 2434 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 580 MV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
UFT14010 GeneSiC Semiconductor UFT14010 -
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis To-249ab Estándar To-249ab - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 70a 1 V @ 70 A 75 ns 25 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH240100R GeneSiC Semiconductor MBRH240100R 76.4925
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH240100 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 840 MV @ 240 A 1 ma @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor MBR20020CTR 90.1380
RFQ
ECAD 9966 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR20020 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 200a (DC) 650 MV @ 100 A 5 Ma @ 20 V
MSRTA6001R GeneSiC Semiconductor MSRTA6001R 109.2000
RFQ
ECAD 6261 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo de 3-SMD MSRTA6001 - Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MSRTA6001RGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - 1600 V 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA200120 GeneSiC Semiconductor MURTA200120 145.3229
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 100A 2.6 V @ 100 A 25 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor MBR40020CT 98.8155
RFQ
ECAD 7553 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR40020 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR40020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 200a 650 MV @ 200 A 5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKR130/18 GeneSiC Semiconductor GKR130/18 35.8210
RFQ
ECAD 2516 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1800 V -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor MBR60020CT 129.3585
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR60020 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR60020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL -
RFQ
ECAD 7697 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 30 V 300A 580 MV @ 300 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT60060 GeneSiC Semiconductor MBRT60060 140.2020
RFQ
ECAD 9162 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60060GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 300A 800 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR3545 GeneSiC Semiconductor MBR3545 17.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Schottky Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR3545GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 680 MV @ 35 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MSRT200120A GeneSiC Semiconductor MSRT200120A 48.2040
RFQ
ECAD 5487 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT200 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 200a (DC) 1.2 v @ 200 a 10 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
BR68 GeneSiC Semiconductor BR68 0.7425
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, BR-6 Estándar BR-6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) BR68GN EAR99 8541.10.0080 200 1 v @ 3 a 10 µA @ 800 V 6 A Fase única 800 V
MBRT50060 GeneSiC Semiconductor MBRT50060 -
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT50060GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 250a 800 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST7360M GeneSiC Semiconductor FST7360M -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 35a 750 MV @ 35 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
FST12020 GeneSiC Semiconductor FST12020 70.4280
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis To-249ab Schottky To-249ab descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FST12020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 120A (DC) 650 MV @ 120 A 2 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF40020 GeneSiC Semiconductor MBRF40020 -
RFQ
ECAD 2932 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 200a 700 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12080R GeneSiC Semiconductor MBRH12080R 60.0375
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 MBRH12080 Schottky, Polaridad Inversa D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRH12080RGN EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 840 MV @ 120 A 4 Ma @ 20 V 120a -
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor MBR300200CT 94.5030
RFQ
ECAD 1393 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR300200 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 150a 920 MV @ 150 A 3 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C
1N1206A GeneSiC Semiconductor 1N1206A 4.2345
RFQ
ECAD 1852 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento 1N1206 Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1079 EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 12 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
MBRF50040R GeneSiC Semiconductor MBRF50040R -
RFQ
ECAD 6333 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045RL GeneSiC Semiconductor MBRT40045RL -
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 45 V 200a 600 MV @ 200 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA400100A 60.2552
RFQ
ECAD 5122 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA400100 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1000 V 400A (DC) 1.2 V @ 400 A 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40G GeneSiC Semiconductor S40g 6.3770
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40ggn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 190 ° C 40A -
MBR30040CT GeneSiC Semiconductor MBR30040CT 94.5030
RFQ
ECAD 5768 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30040 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR30040CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30060R GeneSiC Semiconductor MURF30060R -
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB Estándar To-244 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor Murta40020 159.9075
RFQ
ECAD 2399 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 200a 1.3 V @ 200 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock