SIC
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Productos de semiconductoros discretos (2160)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos
MBR40040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTRL -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 200a 600 MV @ 200 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40030CTL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTL -
RFQ
 ECAD 4971 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20020 GeneSiC Semiconductor MBRT20020 98.8155
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT20020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 100A 750 MV @ 100 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR16G02 GeneSiC Semiconductor FR16G02 8.1330
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR16G02GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 900 MV @ 16 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRT60020R GeneSiC Semiconductor MBRT60020R 140.2020
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT60020 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT60020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 300A 750 MV @ 300 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S40V Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40vrgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 160 ° C 40A -
MURH10020R GeneSiC Semiconductor MURH10020R 49.5120
RFQ
 ECAD 6820 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Murh10020 Polaridad Inversa Estándar D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Murh10020rgn EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V 100A -
MBR12045CT GeneSiC Semiconductor MBR12045CT 68.8455
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR12045 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1019 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 120A (DC) 650 MV @ 60 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT100140D GeneSiC Semiconductor MSRT100140D 87.1935
RFQ
 ECAD 9947 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT100 Estándar Tres Torre descascar ROHS3 Cumplante 1242-MSRT100140D EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 100A 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1400 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30020CTRL -
RFQ
 ECAD 4998 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 20 V 150a 580 MV @ 150 A 3 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH15035RL GeneSiC Semiconductor MBRH15035RL -
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky, Polaridad Inversa D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 600 MV @ 150 A 3 Ma @ 35 V 150a -
FR12BR05 GeneSiC Semiconductor FR12BR05 6.8085
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR12BR05GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MSRTA20060AD GeneSiC Semiconductor Msrta20060ad 85.9072
RFQ
 ECAD 5387 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRTA200 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 600 V 200a 1.1 v @ 200 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR12B02GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 12 A 200 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBR3520 GeneSiC Semiconductor MBR3520 14.3280
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Schottky Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR3520GN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 680 MV @ 35 A 1.5 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor MUR20020CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MUR20020 Estándar Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR20020CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46 -
RFQ
 ECAD 4907 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-46-3 GA05JT03 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) A-46 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1252 EAR99 8541.29.0095 200 - 300 V 9A (TC) - 240mohm @ 5a - - - 20W (TC)
GKN26/08 GeneSiC Semiconductor GKN26/08 -
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Estándar Do-4 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 5 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.55 V @ 60 A 4 Ma @ 800 V -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MURT20020R GeneSiC Semiconductor MURT20020R 104.4930
RFQ
 ECAD 8451 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MURT20020 Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT20020RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 75 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT30040RL GeneSiC Semiconductor MBRT30040RL -
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 40 V 150a 600 MV @ 150 A 3 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
GA040TH65-227SP GeneSiC Semiconductor GA040TH65-227SP 1.0000
RFQ
 ECAD 6507 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo GA040 Soltero descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.30.0080 10 780 Ma 6.5 kV 69 A - 30 Ma 40 A 1 SCR
MBR6060R GeneSiC Semiconductor MBR6060R 21.3105
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental MBR6060 Schottky, Polaridad Inversa Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR6060RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 60 A 5 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 60A -
MURT30020 GeneSiC Semiconductor MURT30020 118.4160
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30020GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40060R GeneSiC Semiconductor MBRT40060R 118.4160
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MBRT40060 Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT40060RGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 200a 800 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR12KR05 GeneSiC Semiconductor FR12KR05 7.0500
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Fr12kr05gn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 800 MV @ 12 A 500 ns 25 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 12A -
MBR8020 GeneSiC Semiconductor MBR8020 21.1680
RFQ
 ECAD 9258 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR8020GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 750 MV @ 80 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 80A -
MSRTA6001 GeneSiC Semiconductor MSRTA6001 109.2000
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo de 3-SMD - Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MSRTA6001GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) - 1600 V 600A (DC) -55 ° C ~ 150 ° C
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA -
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 225 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 257-3 SIC (Transistor de Unión de CARBURO de Silicio) Un 257 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) 1242-1148 EAR99 8541.29.0095 10 - 650 V 7A (TC) (165 ° C) - 170mohm @ 7a - - 720 pf @ 35 V - 80W (TC)
1N6098 GeneSiC Semiconductor 1N6098 24.1300
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N6098 Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1107 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 700 MV @ 50 A 5 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 50A -
MBRH15020RL GeneSiC Semiconductor MBRH15020RL -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky, Polaridad Inversa D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 580 MV @ 150 A 3 Ma @ 20 V 150a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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