SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
S70G GeneSiC Semiconductor S70g 9.8985
RFQ
ECAD 7991 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S70ggn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
MBRH20040L GeneSiC Semiconductor MBRH20040L -
RFQ
ECAD 2304 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 200 A 5 Ma @ 40 V 200a -
MURTA20020 GeneSiC Semiconductor MURTA20020 145.3229
RFQ
ECAD 6574 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 24 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 100A 1.3 V @ 100 A 25 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
RFQ
ECAD 3843 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3209R Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N3209RGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 V @ 15 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 15A -
MURT30005 GeneSiC Semiconductor MURT30005 -
RFQ
ECAD 5053 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MURT30005GN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 150a 1.3 V @ 150 A 100 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT10060AD GeneSiC Semiconductor MSRT10060AD 54.0272
RFQ
ECAD 1569 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre MSRT100 Estándar Tres Torre - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 600 V 100A 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
S70B GeneSiC Semiconductor S70B 9.8985
RFQ
ECAD 6419 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S70BGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 70a -
GB100XCP12-227 GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 -
RFQ
ECAD 4226 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4 Estándar Sot-227 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 1200 V 100 A 2V @ 15V, 100A 1 MA No 8.55 NF @ 25 V
MBRTA40030L GeneSiC Semiconductor MBRTA40030L -
RFQ
ECAD 9193 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 200a 580 MV @ 200 A 3 Ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N2135A GeneSiC Semiconductor 1N2135A 8.9025
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N2135 Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1N2135AGN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 60 a 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 60A -
MBRT300100 GeneSiC Semiconductor MBRT300100 107.3070
RFQ
ECAD 6200 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBRT300100GN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 150a 880 MV @ 150 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60045L GeneSiC Semiconductor MBRTA60045L -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Tres Torre Schottky Tres Torre - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 18 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 300A 600 MV @ 300 A 5 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
S6KR GeneSiC Semiconductor S6KR 3.8625
RFQ
ECAD 2891 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento S6K Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S6krgn EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MBR30060CTR GeneSiC Semiconductor MBR30060CTR 94.5030
RFQ
ECAD 1364 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR30060CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 60 V 150a 750 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30060CT GeneSiC Semiconductor MBR30060CT 94.5030
RFQ
ECAD 4668 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30060 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR30060CTGN EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 150a 750 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
GKN71/16 GeneSiC Semiconductor GKN71/16 12.7059
RFQ
ECAD 6483 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental GKN71 Estándar Do-5 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.5 V @ 60 A 10 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 95a -
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
RFQ
ECAD 1926 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis D61-3M Schottky D61-3M - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 30A 700 MV @ 30 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24060 GeneSiC Semiconductor MBRH24060 76.4925
RFQ
ECAD 1741 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis D-67 Schottky D-67 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 36 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 780 MV @ 240 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 240a -
MURT40040 GeneSiC Semiconductor MURT40040 132.0780
RFQ
ECAD 5904 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Tres Torre Estándar Tres Torre descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1081 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 200a 1.35 V @ 200 A 180 ns 25 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30035CT GeneSiC Semiconductor MBR30035CT 94.5030
RFQ
ECAD 8692 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30035 Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1050 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 150a 650 MV @ 150 A 8 Ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
FR20KR05 GeneSiC Semiconductor FR20KR05 9.5700
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) FR20KR05GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 20 A 500 ns 25 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MUR2520R GeneSiC Semiconductor MUR2520R 10.1910
RFQ
ECAD 2903 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-203AA, DO-4, semento MUR2520 Polaridad Inversa Estándar Do-4 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MUR2520RGN EAR99 8541.10.0080 250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 25 A 75 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
S40VR GeneSiC Semiconductor S40VR 6.3770
RFQ
ECAD 6527 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental S40V Polaridad Inversa Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S40vrgn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 V @ 40 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 160 ° C 40A -
MBR120200CTR GeneSiC Semiconductor MBR120200CTR -
RFQ
ECAD 6534 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 200 V 60A 920 MV @ 60 A 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor MBR500100CTR -
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Torre Gemela Schottky, Polaridad Inversa Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR500100CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 100 V 250a 880 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF30030 GeneSiC Semiconductor MBRF30030 -
RFQ
ECAD 9124 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Obsoleto Monte del Chasis TO-244AB MBRF3003 Schottky TO-244AB - 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 25 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 30 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR7560 GeneSiC Semiconductor MBR7560 20.8845
RFQ
ECAD 2015 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) MBR7560GN EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 75 A 1 ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 75a -
GKR130/16 GeneSiC Semiconductor GKR130/16 35.6397
RFQ
ECAD 4222 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, Semento GKR130 Estándar DO-205AA (DO-8) - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 10 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1600 V 1.5 V @ 60 A 22 Ma @ 1600 V -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
MBR30035CTR GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR 98.8100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Monte del Chasis Torre Gemela MBR30035 Schottky, Polaridad Inversa Torre Gemela descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 1242-1089 EAR99 8541.10.0080 40 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 35 V 150a 700 MV @ 150 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
S85G GeneSiC Semiconductor S85g 11.8980
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Semiconductor genesico - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental Estándar Do-5 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) S85ggn EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 85 A 10 µA @ 100 V -65 ° C ~ 180 ° C 85a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock