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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | 252.3600 |  | 1381 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Si4435DyTrpbf | 1.0300 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8a, 10v | 1V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDH03G65C5XKSA2 | 2.1100 | | 460 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™+ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Idh03g65 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | PG-TO20-2-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 3 a | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 100pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6N010ATMA1 | 2.5800 | | 8194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ -6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IAUC120 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-34 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 7V, 10V | 1.03mohm @ 60a, 10v | 3V @ 90 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 6878 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS28 | 0.0300 | | 7642 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | BAS28 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2156-Bas28 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FS150R17PE4BOSA1 | 365.9067 | | 5138 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 4 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS150R17 | 835 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 150 A | 2.3V @ 15V, 150a | 1 MA | Si | 13.5 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N011TATMA1 | 8.9100 | | 5880 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 300A (TJ) | 6V, 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ086P03NS3EGATMA1 | 0.9700 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ086 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | Canal P | 30 V | 13.5A (TA), 40A (TC) | 6V, 10V | 8.6mohm @ 20a, 10v | 3.1V @ 105 µA | 57.5 NC @ 10 V | ± 25V | 4785 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BG3123H6327XTSA1 | - | | 7714 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BG3123 | 800MHz | Mosfet | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25 Ma, 20 Ma | 14 MA | - | 25db | 1.8db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ipd11dp10nmatma1 | 1.8500 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD11D | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 3.4a (TA), 22a (TC) | 10V | 111mohm @ 18a, 10v | 4V @ 1.7MA | 74 NC @ 10 V | ± 20V | 3200 pf @ 50 V | - | 3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D650N04TXPSA1 | - | | 9620 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | DO-200AA, A-PUK | D650N04 | Estándar | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 950 MV @ 450 A | 20 Ma @ 400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 650A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIDC03D60C8F1SA1 | - | | 1159 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | SIDC03 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.95 V @ 10 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB049NE7N3GATMA1 | 2.8000 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB049 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 4.9mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 91 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 37.5 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSB053N03LP G | - | | 1041 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 71A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFR5305TRPBF | - | | 4473 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001573302 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 55 V | 31a (TC) | 10V | 65mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7321D2TR | - | | 7221 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 710 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DD104N16KKHPSA1 | - | | 7293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo Pow-R-Blok ™ | DD104N16 | Estándar | Módulo Pow-R-Blok ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1600 V | 104a | 1.4 V @ 300 A | 20 Ma @ 1600 V | 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPT60T040S7XTMA1 | 4.8790 | | 4897 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SPP07N60S5XKSA1 | - | | 1722 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp07n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000681034 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 5.5V @ 350 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 970 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKWH50N65EH7XKSA1 | 6.2400 | | 230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F3L600R10W3S7B11BPSA1 | 146.6700 | | 7719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-F3L600R10W3S7B11BPSA1 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG7PK42UD1MPBF | - | | 8358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IRG7PK | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001542046 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8910TRPBF-1 | - | | 1715 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF89 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SO | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 10a (TA) | 13.4mohm @ 10a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11NC @ 4.5V | 960pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKY75N120CH3XKSA1 | 18.8900 | | 425 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | IKY75N120 | Estándar | 938 W | PG-TO247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 75a, 6ohm, 15V | 292 ns | - | 1200 V | 150 A | 300 A | 2.35V @ 15V, 75a | 3.4mj (Encendido), 2.9mj (apagado) | 370 NC | 38ns/303ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSF050N03LQ3GXUMA1 | - | | 2520 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-Wdson | Mosfet (Óxido de metal) | MG-WDSON-2, Canpak M ™ | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 15A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 3000 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPC30S2SN08NX2MA1 | 3.2013 | | 3812 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | IPC30S2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB439E6327HTSA1 | 0.7700 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | BB439 | PG-SOD323-3D | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 6pf @ 25V, 1 MHz | Soltero | 28 V | 8 | C2/C25 | 600 @ 25V, 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aihd03n60rfatma1 | - | | 6976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | AIHD03 | Estándar | 53.6 W | PG-TO252-3-313 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001346868 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 2.5A, 68OHM, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 5 A | 7.5 A | 2.5V @ 15V, 2.5a | 50 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17.1 NC | 10ns/128ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFB4410ZPBF | 1.6600 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB4410 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 97a (TC) | 10V | 9mohm @ 58a, 10v | 4V @ 150 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4820 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | 0.4200 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ 2 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD235 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-SOT363-PO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 950 mm | 350mohm a 950 mm, 4.5V | 1.2V @ 1.6 µA | 0.32NC @ 4.5V | 63pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico |
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