SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP045N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000457560 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
PTFB212507SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB212507SHV1R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 9114 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo PTFB212507 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001015178 EAR99 8541.29.0095 250
SPD04N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPD04N60C3ATMA1 1.9900
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 50W (TC)
IRG4PC50UD-EPBF Infineon Technologies IRG4PC50UD-EPBF -
RFQ
ECAD 6292 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC50 Estándar 200 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 480V, 27a, 5ohm, 15V 50 ns - 600 V 55 A 220 A 2V @ 15V, 27A 990 µJ (Encendido), 590 µJ (apaguado) 180 NC 46ns/140ns
IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies IPB90R340C3ATMA1 -
RFQ
ECAD 3542 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB90R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 15A (TC) 10V 340mohm @ 9.2a, 10v 3.5V @ 1MA 94 NC @ 10 V ± 20V 2400 pf @ 100 V - 208W (TC)
IPB80N08S406ATMA1 Infineon Technologies IPB80N08S406ATMA1 -
RFQ
ECAD 7077 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 80a (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 90 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRF540ZSTRL Infineon Technologies Irf540zstrl -
RFQ
ECAD 4899 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1770 pf @ 25 V - 92W (TC)
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies SPP100N08S2L-07 -
RFQ
ECAD 6925 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp100n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 100A (TC) 10V 6.8mohm @ 68a, 10v 2V @ 250 µA 246 NC @ 10 V ± 20V 7130 pf @ 25 V - 300W (TC)
BSC007N04LS6SCATMA1 Infineon Technologies BSC007N04LS6SCATMA1 4.0000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 48a (TA), 381a (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 8400 pf @ 20 V - 3W (TA), 188W (TC)
BSD816SNL6327 Infineon Technologies BSD816SNL6327 -
RFQ
ECAD 3499 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT363-6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 20 V 1.4a (TA) 1.8V, 2.5V 160mohm @ 1.4a, 2.5V 950MV @ 3.7 µA 0.6 NC @ 2.5 V ± 8V 180 pf @ 10 V - 500MW (TA)
IPP80CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP80CN10NGHKSA1 -
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP80C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
BBY5305WE6327 Infineon Technologies BBY5305WE6327 0.1200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Sot-323 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 1 3.1pf @ 3V, 1MHz 1 par Cátodo Común 6 V 2.6 C1/C3 -
94-2518PBF Infineon Technologies 94-2518pbf -
RFQ
ECAD 6904 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - 94-2518 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BC817-16W Infineon Technologies BC817-16W 0.0200
RFQ
ECAD 207 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo BC817 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
SIGC15T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA4 -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC15 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 90 A 1.9V @ 15V, 30a - -
ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC007N04NM6ATMA1 3.3300
RFQ
ECAD 3685 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC007N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 48a (TA), 381a (TC) 6V, 10V 0.7mohm @ 50A, 10V 2.8V @ 1.05MA 117 NC @ 10 V ± 20V 8400 pf @ 20 V - 3W (TA), 188W (TC)
SPD08N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD08N50C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD08N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 560 V 7.6a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRFH7934TR2PBF Infineon Technologies IRFH7934TR2PBF -
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 24a (TA), 76A (TC) 3.5mohm @ 24a, 10v 2.35V @ 50 µA 30 NC @ 4.5 V 3100 pf @ 15 V -
IRFPS3810PBF Infineon Technologies Irfps3810pbf -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA Mosfet (Óxido de metal) Super-247 ™ (TO74AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 170A (TC) 10V 9mohm @ 100a, 10v 5V @ 250 µA 390 NC @ 10 V ± 30V 6790 pf @ 25 V - 580W (TC)
BSC882N03LSG Infineon Technologies BSC882N03LSG -
RFQ
ECAD 3996 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 m Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 34 V - 10V 4.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA ± 20V 3700 pf @ 15 V - -
BCR185WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR185WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 8365 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR185 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
IRF9389TRPBF Infineon Technologies IRF9389TRPBF 0.6700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF9389 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 30V 6.8a, 4.6a 27mohm @ 6.8a, 10V 2.3V @ 10 µA 14nc @ 10V 398pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP 1.7200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1010 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPI100N04S303MATMA2 Infineon Technologies IPI100N04S303MATMA2 -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo IPI100 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000465798 0000.00.0000 350
TD162N16KOFTIMHPSA1 Infineon Technologies TD162N16KOFTIMHPSA1 -
RFQ
ECAD 7082 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie - SCR/Diodo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 8 200 MA 1.6 kV 260 A 2 V 5200A @ 50Hz 150 Ma 162 A 1 scr, 1 diodo
IM240S6Y2BAKSA1 Infineon Technologies IM240S6Y2BAKSA1 -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 Infineon Technologies IM240-M6 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 23 DIP (0.573 ", 14.55 mm) IGBT descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 15 Inversor de 3 fase 3 A 600 V 1900 VRMS
AUIRLR2703TRL Infineon Technologies Auirlr2703trl -
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirlr2703 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521330 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 20A (TC) 45mohm @ 14a, 10v 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V 450 pf @ 25 V - 45W (TC)
IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP057N06N3GXKSA1 1.6200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP057 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 5.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 58 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 30 V - 115W (TC)
BCW60DE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW60DE6327HTSA1 0.0492
RFQ
ECAD 5475 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFR5305TRR Infineon Technologies IRFR5305TRR -
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 55 V 31a (TC) 10V 65mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock