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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | SIDC14D60F6X1SA1 | - | ![]() | 9251 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Morir | SIDC14D60 | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 V @ 45 A | 27 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C | 45a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4710PBF | - | ![]() | 7179 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP4710 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 72a (TC) | 10V | 14mohm @ 45a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 6160 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Auirfsl8409 | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-262-3 dirige a Cortos, i²pak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001516096 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 195a (TC) | 10V | 1.2mohm @ 100a, 10v | 3.9V @ 250 µA | 450 NC @ 10 V | ± 20V | 14240 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP92PL6327HTSA1 | - | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | BSP92 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 260MA (TA) | 4.5V, 10V | 12ohm @ 260mA, 10V | 2V @ 130 µA | 5.4 NC @ 10 V | ± 20V | 104 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7730TRLPBF | 2.0637 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS7730 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (TO-263AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 195a (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10v | 3.7V @ 250 µA | 407 NC @ 10 V | ± 20V | 13660 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ff225r17me4bosa1 | 186.9900 | ![]() | 3799 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF225R17 | 1500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 340 A | 2.3V @ 15V, 225a | 3 MA | Si | 18.5 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 2040 E6814 | 0.0800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 8 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | 1 GHz | Mosfet | PG-SOT143-4 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 µA | 15 Ma | - | 23dB | 1.6db | 5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR2405PBF | - | ![]() | 5605 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 55 V | 56a (TC) | 10V | 16mohm @ 34a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 2430 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLI540N | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI540N | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 23a (TC) | 4V, 10V | 44mohm @ 12a, 10v | 2V @ 250 µA | 74 NC @ 5 V | ± 16V | 1800 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB054N08N3GATMA1 | 2.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB054 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 6V, 10V | 5.4mohm @ 80a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 40 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD600N16KOFXPSA1 | 329.1350 | ![]() | 8662 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TD | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Conexión de la Serie - SCR/Diodo | descascar | ROHS3 Cumplante | 448-TD600N16KOFXPSA1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.6 kV | 1.05 ka | 2 V | 21000A @ 50Hz | 250 Ma | 600 A | 1 scr, 1 diodo | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7526D1TRPBF | - | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | Micro8 ™ | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.2a, 10v | 1V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI60R280C6 | 1.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 280mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 430 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF100P219AKMA1 | 7.5600 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 100 V | 203A (TC) | 6V, 10V | 1.7mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 278 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 12020 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 341W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGW30N60TP | 1.1200 | ![]() | 2402 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | 200 W | PG-TO247-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 232 | 400V, 30A, 10.5ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 53 A | 90 A | 1.8v @ 15V, 30a | 710 µJ (Encendido), 420 µJ (apaguado) | 130 NC | 15ns/179ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3705Zl | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3705Zl | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 52a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 2880 pf @ 25 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR183E6433HTMA1 | - | ![]() | 9453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR183 | 200 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD65R660CFDBTMA1 | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 6a (TC) | 10V | 660mohm @ 2.1a, 10v | 4.5V @ 200 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 615 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N08S406AKSA1 | 3.1300 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80N08 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 80a, 10v | 4V @ 90 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 4800 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR4105ZTRL | - | ![]() | 9090 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP048N12N3 G | - | ![]() | 3908 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS20R06XL4BOMA1 | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FS20R06 | 89 W | Estándar | AG-Easy750-1 | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | SP000100283 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico | - | 600 V | 26 A | 2.55V @ 15V, 20a | 5 Ma | Si | 900 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfiz48n | - | ![]() | 6030 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfiz48n | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 36A (TC) | 10V | 16mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 89 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4RC20FTR | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRG4RC20F | Estándar | 66 W | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V, 12a, 50ohm, 15V | - | 600 V | 22 A | 44 A | 2.1V @ 15V, 12A | 190 µJ (Encendido), 920 µJ (apaguado) | 27 NC | 26ns/194ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC42T60UNX7SA1 | - | ![]() | 1099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC42T60 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 400V, 50A, 6.8OHM, 15V | Escrutinio | 600 V | 50 A | 150 A | 3.15V @ 15V, 50A | - | 48ns/350ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6626 | - | ![]() | 7081 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 V | 16a (TA), 72a (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 16a, 10v | 2.35V @ 250 µA | 29 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2380 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP843H6327 | 0.1700 | ![]() | 194 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-82A, SOT-343 | 125MW | Sot-343 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 24.5dB | 2.25V | 55mA | NPN | 150 @ 15 mm, 1.8v | - | 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHW15N120R3FKSA1 | 3.9300 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Ihw15n120 | Estándar | 254 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 14.6ohm, 15V | Zanja | 1200 V | 30 A | 45 A | 1.7V @ 15V, 15a | 700 µJ (apaguado) | 165 NC | -/300ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddb6u134n16rrbosa1 | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ddb6u134 | 500 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Soltero | Escrutinio | 1600 V | 70 A | 2.75V @ 15V, 70a | 500 µA | Si | 5.1 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N06S214ATMA1 | - | ![]() | 8960 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD50 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-11 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 50A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 32a, 10v | 4V @ 80 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1485 pf @ 25 V | - | 136W (TC) |
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