SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
P3000Z45X168HPSA1 Infineon Technologies P3000Z45X168HPSA1 14.0000
RFQ
 ECAD 4006 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños - - - P3000Z Estándar - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero - - No
IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies IST019N08NM5AUMA1 4.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Ist019n Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 32A (TA), 290A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 148 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 6600 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
DD230S20KHPSA1 Infineon Technologies DD230S20KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 2000 V 261a 1.74 V @ 800 A 160 mA @ 2000 V 150 ° C
BB814E7801GR1HTSA1 Infineon Technologies BB814E7801GR1HTSA1 0.0900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PG-SOT23-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000 22.7pf @ 8V, 1MHz 1 par Cátodo Común 18 V 2.25 C2/C8 200 @ 2v, 100mhz
IPB120N10S405ATMA1 Infineon Technologies IPB120N10S405ATMA1 3.9600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 5mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 120 µA 91 NC @ 10 V ± 20V 6540 pf @ 25 V - 190W (TC)
SIPC03S2N03LX3MA1 Infineon Technologies SIPC03S2N03LX3MA1 0.3144
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños SIPC03 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000014961 0000.00.0000 5,000
IPI60R600CPAKSA1 Infineon Technologies IPI60R600CPAKSA1 -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 60W (TC)
FS25R12KT3BPSA1 Infineon Technologies FS25R12KT3BPSA1 80.9700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS25R12 145 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 40 A 2.15V @ 15V, 25A 5 Ma Si 1.8 nf @ 25 V
BAT24-02LSE6327 Infineon Technologies BAT24-02LSE6327 0.5000
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) 0201 (0603 Métrica) PG-TSSLP-2-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 110 Ma 100 MW 0.23pf @ 0V, 1MHz Schottky - Single 4v -
BAS40-60B5000 Infineon Technologies BAS40-60B5000 -
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo BAS40 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 10,000
IRF6714MTR1PBF Infineon Technologies IRF6714MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 7328 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 29a (TA), 166a (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10v 2.4V @ 100 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 3890 pf @ 13 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPP16CNE8N G Infineon Technologies IPP16CNE8N G -
RFQ
 ECAD 1111 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP16C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 85 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 53a, 10v 4V @ 61 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 3230 pf @ 40 V - 100W (TC)
IPW65R15OCFDAFKSA1 Infineon Technologies IPW65R15OCFDAFKSA1 -
RFQ
 ECAD 5270 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
AUIRLR3636TRL Infineon Technologies Auirlr3636trl 1.5173
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirlr3636 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001520624 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 50A (TC) 6.8mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 100 µA 49 NC @ 4.5 V 3779 pf @ 50 V - 143W (TC)
BTS282Z E3180A Infineon Technologies BTS282Z E3180A -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Infineon Technologies Tempfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-7-180 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 49 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 36a, 10v 2V @ 240 µA 232 NC @ 10 V ± 20V 4800 pf @ 25 V Diodo de Deteca de Temperatura 300W (TC)
SIGC25T60UNX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60UNX7SA1 -
RFQ
 ECAD 5193 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC25 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 30A, 1.8OHM, 15V Escrutinio 600 V 30 A 90 A 3.15V @ 15V, 30a - 16ns/122ns
DZ540N20KHPSA1 Infineon Technologies DZ540N20KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 6480 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo DZ540N20 Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2000 V 1.64 v @ 2200 A 40 Ma @ 2000 V -40 ° C ~ 150 ° C 732a -
IPA80R310CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA1 -
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA80R Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 6.8a (TC) 310mohm @ 11a, 10v 3.9V @ 1MA 91 NC @ 10 V 2320 pf @ 100 V - 35W (TC)
BAT54WH6327 Infineon Technologies BAT54WH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 8290 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky PG-SOT323-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
IKD06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKD06N60RC2ATMA1 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ikd06n60 Estándar 51.7 W PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 6a, 49ohm, 15V 98 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 11.7 A 18 A 2.3V @ 15V, 6a 170 µJ (Encendido), 80 µJ (apaguado) 31 NC 6ns/129ns
IPT014N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IPT014N08NM5ATMA1 6.8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IP5014N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 37a (TA), 331A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 150a, 10v 3.8V @ 280 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 14000 pf @ 40 V - 300W (TC)
FF150R12ME3G Infineon Technologies FF150R12ME3G 114.1500
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 695 W Estándar Agonod-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 200 A 2.15V @ 15V, 150a 5 Ma Si 10.5 NF @ 25 V
BUZ32H3045AATMA1 Infineon Technologies BUZ32H3045AATMA1 -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buz32 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 9.5A (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 75W (TC)
IDW20G65C5BXKSA1 Infineon Technologies IDW20G65C5BXKSA1 -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001224934 EAR99 8541.10.0080 240 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 650 V 10a (DC) 1.7 V @ 10 A 180 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1 2.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB123 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 58a (TC) 6V, 10V 12.3mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 94W (TC)
GATELEADWH406XPSA1 Infineon Technologies Gateleadwh406xpsa1 29.6100
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - Gateleadwh406 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - -
IDD03SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD03SG60CXTMA1 -
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD03SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 3 a 0 ns 15 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 1v, 1 MHz
FS75R12KE3_B3 Infineon Technologies FS75R12KE3_B3 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 355 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Escrutinio 1200 V 100 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
BBY5602WH6327XTSA1 Infineon Technologies BBY5602WH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-80 BBY56 SCD-80 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 12.1pf @ 4V, 1MHz Soltero 10 V 3.3 C1/C3 -
SGB30N60 Infineon Technologies Sgb30n60 -
RFQ
 ECAD 5148 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SGB30 Estándar 250 W PG-TO263-3-2 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 30a, 11ohm, 15V Escrutinio 600 V 41 A 112 A 2.4V @ 15V, 30a 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar