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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Max	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Resistencia @ if, f	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Figura de Ruido (db typ @ f)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
IPD60R180P7SAUMA1	1.8000	RFQ	48	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD60R			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal							600 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 5.6a, 10v	4V @ 280 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1081 pf @ 400 V	-	72W (TC)
IRFS38N20DTRLP	3.8800	RFQ	1	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS38			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal							200 V	43a (TC)	10V	54mohm @ 26a, 10v	5V @ 250 µA	91 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 300W (TC)
IRFC4020D	-	RFQ	7235	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto													descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001577750	Obsoleto	0000.00.0000	1										-
BC847BWE6433HTMA1	-	RFQ	9554	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC847				250 MW			PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																														45 V	100 mA								15NA (ICBO)				NPN	600mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IPB65R190CFDATMA1	2.0368	RFQ	7727	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB65R190			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							650 V	17.5a (TC)	10V	190mohm @ 7.3a, 10v	4.5V @ 730 µA	68 NC @ 10 V	± 20V	1850 pf @ 100 V	-	151W (TC)
BA 892 E6433	-	RFQ	8071	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)		SC-80	BA 892							SCD-80	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000				100 mA																							1.1pf @ 3V, 1MHz										Estándar - Single	35V				500mohm @ 10 Ma, 100MHz
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal							80 V	30A (TC)	4.5V, 10V	28mohm @ 23a, 10v	2.5V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 16V	1890 pf @ 25 V	-	120W (TC)
IPP100N06S2L05AKSA2	4.4300	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP100			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal							55 V	100A (TC)	4.5V, 10V	4.7mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	5660 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IKFW50N60DH3XKSA1	8.3000	RFQ	1089	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IKFW50	Estándar			145 W			PG-TO247-3-AI	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30						400V, 40a, 8ohm, 15V																				64 ns			Parada de Campo de Trinchera	600 V	53 A	160 A	2.3V @ 15V, 40A	1.22MJ (Encendido), 610 µJ (apaguado)	210 NC	25ns/212ns
Auirf3205z	2.8900	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	AuIRF3205			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518518	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							55 V	75A (TC)	10V	6.5mohm @ 66a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3450 pf @ 25 V	-	170W (TC)
Auirfs3006-7p	-	RFQ	1124	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)				Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal							60 V	240a (TC)	10V	2.1mohm @ 168a, 10v	4V @ 250 µA	300 NC @ 10 V	± 20V	8850 pf @ 50 V	-	375W (TC)
BSC030P03NS3GAUMA1	2.8000	RFQ	37	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC030			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P							30 V	25.4a (TA), 100A (TC)	6V, 10V	3mohm @ 50a, 10v	3.1V @ 345 µA	186 NC @ 10 V	± 25V	14000 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 125W (TC)
Bfn38e6327htsa1	-	RFQ	8719	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA					1.5 W			PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																														300 V	200 MA								100NA (ICBO)				NPN	500mv @ 2 mm, 20 mm	30 @ 30mA, 10V	70MHz
TD600N16KOFXPSA1	329.1350	RFQ	8662	Infineon Technologies	TD	Banda	Activo		125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo						Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante			448-TD600N16KOFXPSA1	EAR99	8541.30.0080	2					300 mA														1.6 kV	1.05 ka	2 V	21000A @ 50Hz	250 Ma	600 A				1 scr, 1 diodo
TT92N12KOFKHPSA1	-	RFQ	5749	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 130 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TT92N					Cátodo Común: Todos SCRS			descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	15					200 MA														1.2 kV	160 A	1.4 V	2050a @ 50Hz	120 Ma	104 A				2 SCRS
IPP048N12N3GXKSA1	4.7900	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP048			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							120 V	100A (TC)	10V	4.8mohm @ 100a, 10V	4V @ 230 µA	182 NC @ 10 V	± 20V	12000 pf @ 60 V	-	300W (TC)
SPU01N60C3	0.4200	RFQ	147	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA				Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal							600 V	800 mA (TC)	10V	6ohm @ 500 mA, 10V	3.9V @ 250 µA	5 NC @ 10 V	± 20V	100 pf @ 25 V	-	11W (TC)
BF888H6327XTSA1	0.2385	RFQ	8925	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BF888				160MW			PG-SOT343-4-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000								27dB																						4v	30mera												NPN		250 @ 25A, 3V	47 GHz	0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRF3709ZCLPBF	-	RFQ	3522	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA				Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf3709zclpbf	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							30 V	87a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2130 pf @ 15 V	-	79W (TC)
TD500N16KOFHPSA2	295.2000	RFQ	8892	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TD500N16					Conexión de la Serie - SCR/Diodo			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA														1.8 kV	900 A	2.2 V	17000A @ 50Hz	250 Ma	500 A				1 scr, 1 diodo
IRL6372TRPBF	0.9900	RFQ	4	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRL6372			Mosfet (Óxido de metal)	2W			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)								30V	8.1A		17.9mohm @ 8.1a, 4.5V	1.1V @ 10 µA	11NC @ 4.5V		1020pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IPW65R15OCFDAFKSA1	-	RFQ	5270	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo													-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
IRF1405ZPBF	2.7900	RFQ	3	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF1405			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal							55 V	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	4780 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IKD10N60RAATMA2	-	RFQ	3514	Infineon Technologies	Trenchstop®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Ikd10n	Estándar			150 W			PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500						400V, 10a, 23ohm, 15V																				62 ns			Zanja	600 V	20 A	30 A	2.1V @ 15V, 10a	-	64 NC	14NS/192NS
PTVA123501ECV2XWSA1	-	RFQ	2346	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	105 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera			1.2GHz ~ 1.4GHz	Ldmos				H-36248-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001237182	EAR99	8541.29.0095	50	Dual		10 µA				350W	17dB																	-
BCP5516H6327XTSA1	0.2968	RFQ	6485	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BCP55				2 W			PG-SOT223-4-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																														60 V	1 A								100NA (ICBO)				NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	100MHz
BB659CH7902XTSA1	-	RFQ	5397	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-80	BB659							SCD-80	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																											2.75pf @ 28V, 1MHz										Soltero	30 V										15.3	C1/C28	-
FS400R07A1E3S7BOMA1	360.8100	RFQ	15	Infineon Technologies	Hybridpack ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS400R07				1250 W		Rectificador de Puente Trifásico	Ag-Hybrid1-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	16	Inversor de puente entero																												Parada de Campo de Trinchera	705 V	500 A		1.7V @ 15V, 400A						100 µA	Si	28 NF @ 25 V
SIGC25T60SNCX1SA2	-	RFQ	6401	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Morir	SIGC25	Estándar						Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1						400V, 30a, 11ohm, 15V																							Escrutinio	600 V	30 A	90 A	2.5V @ 15V, 30a	-		44ns/324ns
BSC886N03LSGATMA1	-	RFQ	3127	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC886			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal							30 V	13A (TA), 65A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	2100 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 39W (TC)