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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Current - Max	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Resistencia @ if, f
SPB16N50C3ATMA1	-	RFQ	7074	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	SPB16N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			560 V	16a (TC)	10V	280mohm @ 10a, 10v	3.9V @ 675 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 25 V	-	160W (TC)
IRLR3715ztr	-	RFQ	3478	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001558456	EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal			20 V	49a (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 15a, 10v	2.55V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	810 pf @ 10 V	-	40W (TC)
SPA02N80C3XKSA1	1.6700	RFQ	3879	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	SPA02N80		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			800 V	2a (TC)	10V	2.7ohm @ 1.2a, 10v	3.9V @ 120 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	290 pf @ 100 V	-	30.5W (TC)
FF600R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	3198	Infineon Technologies	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF600R17			4300 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	2 Independientes																-	1700 V			2.45V @ 15V, 600A						5 Ma	No	54 NF @ 25 V
SPP42N03S2L13	-	RFQ	7493	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp42n		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			30 V	42a (TC)	4.5V, 10V	12.9mohm @ 21a, 10v	2V @ 37 µA	30.5 NC @ 10 V	± 20V	1130 pf @ 25 V	-	83W (TC)
FS75R12KE3BOSA1	-	RFQ	5014	Infineon Technologies	-	Una granela	Descontinuado en sic	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FS75R12			350 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																Escrutinio	1200 V	105 A		2.15V @ 15V, 75a						5 Ma	Si	5.3 NF @ 25 V
BSP315PL6327HTSA1	-	RFQ	2553	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)			PG-SOT223-4-21	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P			60 V	1.17a (TA)	4.5V, 10V	800mohm @ 1.17a, 10V	2V @ 160 µA	7.8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
BAT1705E6327HTSA1	-	RFQ	8585	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)		TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT1705					PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000			130 Ma											150 MW		0.75pf @ 0V, 1MHz									Schottky - 1 par Cátodo Común	4v				15ohm @ 5mA, 10kHz
Ddb6u134n16rrbosa1	-	RFQ	6980	Infineon Technologies	-	Una granela	Descontinuado en sic	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	Ddb6u134			500 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Soltero																Escrutinio	1600 V	70 A		2.75V @ 15V, 70a						500 µA	Si	5.1 NF @ 25 V
FF150R17KE4HOSA1	168.7000	RFQ	7032	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FF150R17				Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																Parada de Campo de Trinchera	1700 V	150 A		2.3V @ 15V, 150a						1 MA	No	12 NF @ 25 V
IPP014N08NM6AKSA1	3.6906	RFQ	9223	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo										-	ROHS3 Cumplante						50
IPD950P06NMSAUMA1	-	RFQ	1678	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD950		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP004987232	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P			60 V	-	-	-	-		-		-	-
IRFH7936TR2PBF	-	RFQ	2429	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	8-Powertdfn			Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400		N-canal			30 V	20A (TA), 54A (TC)		4.8mohm @ 20a, 10v	2.35V @ 50 µA	26 NC @ 4.5 V		2360 pf @ 15 V	-
IRF6603TR1	-	RFQ	6580	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico Mt			Mosfet (Óxido de metal)			Directfet ™ mt	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	SP001531594	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			30 V	27a (TA), 92a (TC)	4.5V, 10V	3.4mohm @ 25A, 10V	2.5V @ 250 µA	72 NC @ 4.5 V	+20V, -12V	6590 pf @ 15 V	-	3.6W (TA), 42W (TC)
DF450R17N2E4PB11BDLA1	103.6600	RFQ	84	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo				DF450						-		Vendedor indefinido	Vendedor indefinido	2156-DF450R17N2E4PB11BDLA1-448			1
SPD30N03S2L-20G	0.3000	RFQ	8	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo										descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1
IRG5K400HF06B	-	RFQ	4090	Infineon Technologies	-	Caja	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo Powir® 62				1620 W	Estándar	POWIR® 62	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001540486	EAR99	8541.29.0095	15	Medio puente																-	600 V	670 A		2.1V @ 15V, 400A						2 MA	No	25 nf @ 25 V
SPI20N60CFDHKSA1	-	RFQ	3820	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	SPI20N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			650 V	20.7a (TC)	10V	220mohm @ 13.1a, 10V	5V @ 1MA	124 NC @ 10 V	± 20V	2400 pf @ 25 V	-	208W (TC)
IPG16N10S4L61AATMA1	1.1200	RFQ	5670	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8Powervdfn	IPG16N10		Mosfet (Óxido de metal)	29w		PG-TDSON-8-10	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)				100V	16A		61mohm @ 16a, 10v	2.1V @ 90 µA	11NC @ 10V		845pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
FF650R17IE4DB2BOSA1	597.4400	RFQ	3	Infineon Technologies	Primepack ™ 2	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF650R17			4150 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3	2 Independientes																-	1700 V			2.45V @ 15V, 650A						5 Ma	Si	54 NF @ 25 V
IKD10N60RF	-	RFQ	4626	Infineon Technologies	Trenchstop ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Estándar		150 W		PG-TO252-3-313	descascar					EAR99	8542.39.0001	1				400V, 10a, 26ohm, 15V											72 ns		Parada de Campo de Trinchera	600 V	20 A	30 A	2.5V @ 15V, 10a	190 µJ (Encendido), 160 µJ (apaguado)	64 NC	12ns/168ns
IRF3708S	-	RFQ	5225	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3708S	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			30 V	62a (TC)	2.8V, 10V	12mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA	24 NC @ 4.5 V	± 12V	2417 pf @ 15 V	-	87W (TC)
Auirf1405zstrl	2.3975	RFQ	6618	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirf1405		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522112	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			55 V	150A (TC)	10V	4.9mohm @ 75a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	4780 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Bsf053n03lt g	-	RFQ	6069	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Wdson			Mosfet (Óxido de metal)			MG-WDSON-2, Canpak M ™	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			30 V	16a (TA), 71a (TC)	4.5V, 10V	5.3mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 15 V	-	2.2W (TA), 42W (TC)
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI120N		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			100 V	120a (TC)	10V	5.3mohm @ 100a, 10v	3.5V @ 120 µA	91 NC @ 10 V	± 20V	6540 pf @ 25 V	-	190W (TC)
IRFZ48VSTRLPBF	-	RFQ	8932	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			60 V	72a (TC)	10V	12mohm @ 43a, 10V	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	1985 pf @ 25 V	-	150W (TC)
IRFS3307ZTRRPBF	2.9100	RFQ	800	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS3307		Mosfet (Óxido de metal)			D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal			75 V	120a (TC)	10V	5.8mohm @ 75a, 10v	4V @ 150 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	4750 pf @ 50 V	-	230W (TC)
IRF7471PBF	-	RFQ	1335	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7471		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001563538	EAR99	8541.29.0095	4,085		N-canal			40 V	10a (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 10a, 10v	3V @ 250 µA	32 NC @ 4.5 V	± 20V	2820 pf @ 20 V	-	2.5W (TA)
IRF2805SPBF	-	RFQ	3081	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	135A (TC)	10V	4.7mohm @ 104a, 10v	4V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	5110 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRFH5020TRPBF	2.3900	RFQ	568	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IRFH5020		Mosfet (Óxido de metal)			8-PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal			200 V	5.1a (TA)	10V	55mohm @ 7.5a, 10V	5V @ 150 µA	54 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 100 V	-	3.6W (TA), 8.3W (TC)