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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Max Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FF600R17KF6CB2NOSA1 Infineon Technologies FF600R17KF6CB2NOSA1 -
RFQ
 ECAD 1801 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 4800 W Estándar - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes - 1700 V 3.1V @ 15V, 600A 5 Ma No 40 NF @ 25 V
SPU07N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU07N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Spu07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 83W (TC)
IPB65R310CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R310CFDATMA1 1.5573
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB65R310 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 11.4a (TC) 10V 310mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 400 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 104.2W (TC)
IRLR2905ZTRLPBF Infineon Technologies IRLR2905ZTRLPBF -
RFQ
 ECAD 9723 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 36a, 10v 3V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 16V 1570 pf @ 25 V - 110W (TC)
PTF180101M V1 Infineon Technologies PTF180101M V1 -
RFQ
 ECAD 3058 0.00000000 Infineon Technologies Goldmos® Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) 1.99 GHz Ldmos PG-RFP-10 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 1 µA 180 Ma 10W 16.5dB - 28 V
IRF6706S2TR1PBF Infineon Technologies IRF6706S2TR1PBF 1.1000
RFQ
 ECAD 838 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico S1 Mosfet (Óxido de metal) DirectFet ™ Isométrico S1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 17A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 17a, 10v 2.35V @ 25 µA 20 NC @ 4.5 V ± 20V 1810 pf @ 13 V - 1.8W (TA), 26W (TC)
PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 Infineon Technologies PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 -
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Px8560ed - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
IPB030N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB030N08N3GATMA1 4.1700
RFQ
 ECAD 752 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 160A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 155 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8110 pf @ 40 V - 214W (TC)
BCR158WE6327 Infineon Technologies BCR158WE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR158 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
BAV70E6433HTMA1 Infineon Technologies BAV70E6433HTMA1 0.3300
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 Estándar PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
BAV99SE6327BTSA1 Infineon Technologies BAV99SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAV99 Estándar PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
IRFBA90N20DPBF Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF -
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 273AA Mosfet (Óxido de metal) Super-220 ™ (To-273AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 98a (TC) 10V 23mohm @ 59a, 10v 5V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 30V 6080 pf @ 25 V - 650W (TC)
DF80R12W2H3FB11BPSA1 Infineon Technologies DF80R12W2H3FB11BPSA1 94.6200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF80R12 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 20 A 1.7v @ 15V, 20a 1 MA Si 2.35 NF @ 25 V
BAR6303WE6327HTSA1 Infineon Technologies Bar6303we6327htsa1 0.4500
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 Bar6303 PG-SOD323-3D descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 100 mA 250 MW 0.3pf @ 5V, 1MHz PIN - Single 50V 1ohm @ 10mA, 100MHz
BCR166E6327 Infineon Technologies BCR166E6327 1.0000
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR166 200 MW PG-SOT23-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 47 kohms
BFP450H6327 Infineon Technologies BFP450H6327 -
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 450MW PG-SOT343-4 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 15.5dB 5V 100mA NPN 60 @ 50mA, 4V 24GHz 1.25db @ 1.8Ghz
IKN06N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN06N60RC2ATMA1 0.9500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Ikn06n Estándar 7.2 W PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IKN06N60RC2ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 6a, 49ohm, 15V 42 ns - 600 V 8 A 18 A 2.3V @ 15V, 6a 151 µJ (Encendido), 104 µJ (apaguado) 31 NC 8.8ns/174ns
FS50R12KT3BOSA1 Infineon Technologies FS50R12KT3BOSA1 67.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FS50R12KT3BOSA1-448 5
SPB35N10 G Infineon Technologies SPB35N10 G -
RFQ
 ECAD 9884 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB35N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 35A (TC) 10V 44mohm @ 26.4a, 10V 4V @ 83 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1570 pf @ 25 V - 150W (TC)
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY100N120CH7XKSA1 16.4200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IKY100N120 Estándar 721 W PG-TO247-4-U10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 99 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 212 A 400 A 2.15V @ 15V, 100A 2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado) 714 NC 44ns/359ns
BCR 108 B6327 Infineon Technologies BCR 108 B6327 -
RFQ
 ECAD 9721 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 108 200 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 30,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 170 MHz 2.2 kohms 47 kohms
IRG4BC15UD-STRL Infineon Technologies IRG4BC15UD-STRL -
RFQ
 ECAD 3556 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 49 W D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Irg4bc15udstrl EAR99 8541.29.0095 800 480V, 7.8a, 75ohm, 15V 28 ns - 600 V 14 A 42 A 2.4V @ 15V, 7.8a 240 µJ (Encendido), 260 µJ (apaguado) 23 NC 17ns/160ns
BSP92P E6327 Infineon Technologies BSP92P E6327 -
RFQ
 ECAD 4159 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP92 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 260MA (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 260mA, 10V 2V @ 130 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 104 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
FZ1200R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FZ1200R17KE3B2NOSA1 -
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 8950 W Estándar - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000100600 EAR99 8541.29.0095 2 Interruptor Único - 1700 V 1900 A 2.45V @ 15V, 1.2ka 5 Ma No 110 NF @ 25 V
BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies BSZ215CHXTMA1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ215 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N y p-canal complementario 20V 5.1a, 3.2a 55mohm @ 5.1a, 4.5V 1.4V @ 110 µA 2.8nc @ 4.5V 419pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
F3L400R07ME4B23BOSA1 Infineon Technologies F3L400R07ME4B23BOSA1 277.9700
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo F3L400 1150 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 650 V 450 A 1.95V @ 15V, 400A 1 MA Si 26 NF @ 25 V
IPI80P03P4-05AKSA1 Infineon Technologies IPI80P03P4-05AKSA1 0.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 80a (TC) 10V 5mohm @ 80a, 10v 4V @ 253 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 10300 pf @ 25 V - 137W (TC)
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar AG-62 mm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 800 A 1.75V @ 15V, 800A 100 µA No 122 NF @ 25 V
BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0901nsiatma1 1.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0901 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 28a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 20 NC @ 15 V ± 20V 2600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp11n60cfdxksa1 -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp11n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10v 5V @ 500 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

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