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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | IRF6636TR1PBF | - | ![]() | 8690 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Directfet ™ isométrico st | Mosfet (Óxido de metal) | Directfet ™ st | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 20 V | 18a (TA), 81a (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 18a, 10v | 2.45V @ 250 µA | 27 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2420 pf @ 10 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP125L6327HTSA1 | - | ![]() | 1802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 120MA (TA) | 4.5V, 10V | 45ohm @ 120 mA, 10V | 2.3V @ 94 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP120N06S4H1AKSA1 | - | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP120N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 21900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT500N16KOFXPSA1 | 311.0450 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | Infineon Technologies | TT | Banda | Activo | 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Conexión de la Serie: Todos los SCRS | descascar | ROHS3 Cumplante | 448-TT500N16KOFXPSA1 | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300 mA | 1.6 kV | 900 A | 2.2 V | 17000A @ 50Hz | 250 Ma | 500 A | 2 SCRS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 | 90.3700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | FF33MR12 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 30 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD600N14KHPSA2 | - | ![]() | 3838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Monte del Chasis | Módulo | DD600N14 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 1400 V | 600A | 1.32 v @ 1800 a | 40 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI60R280C6 | 1.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 600 V | 13.8a (TC) | 280mohm @ 6.5a, 10v | 3.5V @ 430 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGW40N60H3FKSA1 | 5.7700 | ![]() | 230 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IGW40N60 | Estándar | 306 W | PG-TO247-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 7.9ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 160 A | 2.4V @ 15V, 40A | 1.68mj | 223 NC | 19ns/197ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI50R250CP | 1.1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 250mohm @ 7.8a, 10v | 3.5V @ 520 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1420 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIPC69SN60C3X3SA1 | 5.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0040 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirfs4127trl | 4.4729 | ![]() | 2865 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Auirfs4127 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001518830 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 72a (TC) | 10V | 22mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 5380 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP054NE8NGHKSA2 | - | ![]() | 7756 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP054M | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 85 V | 100A (TC) | 10V | 5.4mohm @ 100a, 10v | 4V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 12100 pf @ 40 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC011N06LM5ATMA1 | 4.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | ISC011N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-17 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 60 V | 37a (TA), 288a (TC) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 50A, 10V | 2.3V @ 116 µA | 170 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 30 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Spp11n65c3 | - | ![]() | 6767 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC886N03LSGATMA1 | - | ![]() | 3127 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSC886 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 13A (TA), 65A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB45N06S409ATMA1 | - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB45N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 10V | 9.1mohm @ 45a, 10v | 4V @ 34 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 3785 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61DE6327 | 0.0400 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,454 | 32 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | PNP | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 380 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC027N03S G | - | ![]() | 5533 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 25A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 50A, 10V | 2V @ 90 µA | 51 NC @ 5 V | ± 20V | 6540 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR7843TRLPBF | 1.6200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR7843 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 161a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 20V | 4380 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR12N25DTRPBF | - | ![]() | 2319 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001556902 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 14a (TC) | 10V | 260mohm @ 8.4a, 10v | 5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 144W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SpA03N60C3XK | 1.0000 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to20-3-111 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 29.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Auirf7416qtr | - | ![]() | 8954 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 30 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5.6a, 10V | 2.04V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 | 158.8800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolsic ™ | Banda | Activo | - | Monte del Chasis | Módulo | DF14MR12 | Mosfet (Óxido de metal) | - | Ag-Easy1b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | - | 1200V (1.2kv) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7450TR | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 2.5a (TA) | 10V | 170mohm @ 1.5a, 10V | 5.5V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 940 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC50R045CPX1SA1 | - | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | IPC50 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000236099 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1404Strr | - | ![]() | 6396 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 162a (TC) | 10V | 4mohm @ 95a, 10v | 4V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | ± 20V | 7360 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD80R3K3P7ATMA1 | 0.3812 | ![]() | 6913 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD80R3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 800 V | 1.9a (TC) | 10V | 3.3ohm @ 590mA, 10V | 3.5V @ 30 µA | 5.8 NC @ 10 V | ± 20V | 120 pf @ 500 V | - | 18W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bsc150n03ldgatma1 | 1.1100 | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | BSC150 | Mosfet (Óxido de metal) | 26W | PG-TDSON-8-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 13.2NC @ 10V | 1100pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70JE6433 | 0.0400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8.013 | 45 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC7314B | - | ![]() | 6793 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | - | - | - | - | ± 12V | - | - |
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