SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRF6636TR1PBF Infineon Technologies IRF6636TR1PBF -
RFQ
ECAD 8690 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 20 V 18a (TA), 81a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 18a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2420 pf @ 10 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BSP125L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP125L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 1802 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120 mA, 10V 2.3V @ 94 µA 6.6 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPP120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies IPP120N06S4H1AKSA1 -
RFQ
ECAD 9186 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP120N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 200 µA 270 NC @ 10 V ± 20V 21900 pf @ 25 V - 250W (TC)
TT500N16KOFXPSA1 Infineon Technologies TT500N16KOFXPSA1 311.0450
RFQ
ECAD 2125 0.00000000 Infineon Technologies TT Banda Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar ROHS3 Cumplante 448-TT500N16KOFXPSA1 EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 1.6 kV 900 A 2.2 V 17000A @ 50Hz 250 Ma 500 A 2 SCRS
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 90.3700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo FF33MR12 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 30 -
DD600N14KHPSA2 Infineon Technologies DD600N14KHPSA2 -
RFQ
ECAD 3838 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo DD600N14 Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 600A 1.32 v @ 1800 a 40 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IPI60R280C6 Infineon Technologies IPI60R280C6 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 600 V 13.8a (TC) 280mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 430 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 100 V - 104W (TC)
IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW40N60H3FKSA1 5.7700
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IGW40N60 Estándar 306 W PG-TO247-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 7.9ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 1.68mj 223 NC 19ns/197ns
IPI50R250CP Infineon Technologies IPI50R250CP 1.1100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 100 V - 114W (TC)
SIPC69SN60C3X3SA1 Infineon Technologies SIPC69SN60C3X3SA1 5.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0040 1.500
AUIRFS4127TRL Infineon Technologies Auirfs4127trl 4.4729
RFQ
ECAD 2865 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirfs4127 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001518830 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 72a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 375W (TC)
IPP054NE8NGHKSA2 Infineon Technologies IPP054NE8NGHKSA2 -
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP054M Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 85 V 100A (TC) 10V 5.4mohm @ 100a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 12100 pf @ 40 V - 300W (TC)
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC011N06LM5ATMA1 4.0900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC011N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-17 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 37a (TA), 288a (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 116 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 3W (TA), 188W (TC)
SPP11N65C3 Infineon Technologies Spp11n65c3 -
RFQ
ECAD 6767 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC886N03LSGATMA1 -
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC886 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 13A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 39W (TC)
IPB45N06S409ATMA1 Infineon Technologies IPB45N06S409ATMA1 -
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB45N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 45a (TC) 10V 9.1mohm @ 45a, 10v 4V @ 34 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3785 pf @ 25 V - 71W (TC)
BCW61DE6327 Infineon Technologies BCW61DE6327 0.0400
RFQ
ECAD 64 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 7,454 32 V 100 mA 20NA (ICBO) PNP 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
BSC027N03S G Infineon Technologies BSC027N03S G -
RFQ
ECAD 5533 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 25A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 50A, 10V 2V @ 90 µA 51 NC @ 5 V ± 20V 6540 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies IRLR7843TRLPBF 1.6200
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR7843 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 161a (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10v 2.3V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 20V 4380 pf @ 15 V - 140W (TC)
IRFR12N25DTRPBF Infineon Technologies IRFR12N25DTRPBF -
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001556902 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 250 V 14a (TC) 10V 260mohm @ 8.4a, 10v 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 144W (TC)
SPA03N60C3XK Infineon Technologies SpA03N60C3XK 1.0000
RFQ
ECAD 8162 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 29.7W (TC)
AUIRF7416QTR Infineon Technologies Auirf7416qtr -
RFQ
ECAD 8954 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 5.6a, 10V 2.04V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 Infineon Technologies DF14MR12W1M1HFB67BPSA1 158.8800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Activo - Monte del Chasis Módulo DF14MR12 Mosfet (Óxido de metal) - Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 - 1200V (1.2kv) - - - - - -
IRF7450TR Infineon Technologies IRF7450TR -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 2.5a (TA) 10V 170mohm @ 1.5a, 10V 5.5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IPC50R045CPX1SA1 Infineon Technologies IPC50R045CPX1SA1 -
RFQ
ECAD 6579 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo IPC50 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000236099 0000.00.0000 1 -
IRF1404STRR Infineon Technologies IRF1404Strr -
RFQ
ECAD 6396 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 162a (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R3K3P7ATMA1 0.3812
RFQ
ECAD 6913 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80R3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 1.9a (TC) 10V 3.3ohm @ 590mA, 10V 3.5V @ 30 µA 5.8 NC @ 10 V ± 20V 120 pf @ 500 V - 18W (TC)
BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies Bsc150n03ldgatma1 1.1100
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn BSC150 Mosfet (Óxido de metal) 26W PG-TDSON-8-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) 30V 8A 15mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 13.2NC @ 10V 1100pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCX70JE6433 Infineon Technologies BCX70JE6433 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8.013 45 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
IRFC7314B Infineon Technologies IRFC7314B -
RFQ
ECAD 6793 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - - - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 - - - - ± 12V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock