SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Relación de la capacidad Condición de Relación de Capacitancia Q @ VR, F
BB 857 E7902 Infineon Technologies BB 857 E7902 -
RFQ
ECAD 4605 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-80 BB 857 SCD-80 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 0.52pf @ 28V, 1MHz Soltero 30 V 12.7 C1/C28 -
IGB03N120H2ATMA1616 Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1616 -
RFQ
ECAD 8180 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1
IFS100B17N3E4PB11BPSA1 Infineon Technologies IFS100B17N3E4PB11BPSA1 -
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 Infineon Technologies MIPAQ ™ Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo Ifs100 600 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1700 V 150 A 2.3V @ 15V, 100A 1 MA Si 9 NF @ 25 V
FS6R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies FS6R06VE3B2BOMA1 -
RFQ
ECAD 8156 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS6R06 40.5 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 Puente completo - 600 V 11 A 2V @ 15V, 6a 1 MA Si 330 pf @ 25 V
SGP04N60XKSA1 Infineon Technologies Sgp04n60xksa1 -
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sgp04n Estándar 50 W PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400V, 4a, 67ohm, 15V Escrutinio 600 V 9.4 A 19 A 2.4V @ 15V, 4A 131 µJ 24 NC 22ns/237ns
IRGP4062DPBF Infineon Technologies IRGP4062DPBF -
RFQ
ECAD 8250 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRGP4062 Estándar 250 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001545058 EAR99 8541.29.0095 400 400V, 24a, 10ohm, 15V 89 ns Zanja 600 V 48 A 72 A 1.95V @ 15V, 24a 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 50 NC 41ns/104ns
IRF6893MTRPBF Infineon Technologies IRF6893MTRPBF -
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001531710 EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 25 V 29a (TA), 168a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 29a, 10v 2.1V @ 100 µA 38 NC @ 4.5 V ± 16V 3480 pf @ 13 V - 2.1W (TA), 69W (TC)
IRG4BC30W-S Infineon Technologies IRG4BC30W-S -
RFQ
ECAD 6415 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRG4BC30W-S Estándar 100 W D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4BC30W-S EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 23 a 92 A 2.7V @ 15V, 12A 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 51 NC 25ns/99ns
AUIRGR4045D Infineon Technologies Auirgr4045d -
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Irgr4045 Estándar 77 W Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 400V, 6a, 47ohm, 15V 74 ns Zanja 600 V 12 A 18 A 2V @ 15V, 6a 56 µJ (Encendido), 122 µJ (apaguado) 19.5 NC 27ns/75ns
IRFH5025TRPBF Infineon Technologies IRFH5025TRPBF 3.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH5025 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 250 V 3.8a (TA) 10V 100mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 150 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 2150 pf @ 50 V - 3.6W (TA), 8.3W (TC)
FP25R12W2T7BPSA1 Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1 61.1600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP25R12 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-Easy2b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 25 A - 5.6 µA Si 4.77 NF @ 25 V
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1 -
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF733 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001555168 EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 7a (TA) 30mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1340pf @ 16V -
IPD06N03LB G Infineon Technologies IPD06N03LB G -
RFQ
ECAD 4543 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 50A, 10V 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2800 pf @ 15 V - 83W (TC)
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies SPP80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp80n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 7.4mohm @ 66a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 6130 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPAW70R950CEXKSA1 Infineon Technologies Ipaw70r950cexksa1 -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Ipaw70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 700 V 7.4a (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 150 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 328 pf @ 100 V - 68W (TC)
IQE013N04LM6SCATMA1 Infineon Technologies IQE013N04LM6SCATMA1 3.1000
RFQ
ECAD 5893 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) PG-whson-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 40 V 31a (TA), 205A (TC) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 20a, 10v 2V @ 51 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 107W (TC)
IRLU8721-701PBF Infineon Technologies IRLU8721-701PBF -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-4, DPAK (3 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) I-pak (LF701) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 65a (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 25 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1030 pf @ 15 V - 65W (TC)
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC016N03MSGATMA1 1.6100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC016 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 28a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 173 NC @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 125W (TC)
AUIRFR2905ZTR Infineon Technologies Auirfr2905ztr -
RFQ
ECAD 1465 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522230 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 14.5mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V 1380 pf @ 25 V -
IRF6638TRPBF Infineon Technologies IRF6638TRPBF -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 25A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 100 µA 45 NC @ 4.5 V ± 20V 3770 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS7530PBF Infineon Technologies IRFS7530PBF -
RFQ
ECAD 9253 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 195a (TC) 6V, 10V 2mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 411 NC @ 10 V ± 20V 13703 pf @ 25 V - 375W (TC)
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto IPC60R - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000857778 Obsoleto 0000.00.0000 1 -
IRF8736TRPBF Infineon Technologies IRF8736TRPBF 0.7800
RFQ
ECAD 2845 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF8736 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10v 2.35V @ 50 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2315 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFR48ZTRPBF Infineon Technologies IRFR48ZTRPBF 1.4900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR48 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10v 4V @ 50 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1720 pf @ 25 V - 91W (TC)
IPD78CN10NGBUMA1 Infineon Technologies IPD78CN10NGBUMA1 -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD78C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 13a (TC) 10V 78mohm @ 13a, 10v 4V @ 12 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 716 pf @ 50 V - 31W (TC)
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies IPA65R065C7XKSA1 10.2700
RFQ
ECAD 442 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 65mohm @ 17.1a, 10v 4V @ 850 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3020 pf @ 400 V - 34W (TC)
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 3.6100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB320 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 34a (TC) 10V 32mohm @ 34a, 10V 4V @ 90 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 100 V - 136W (TC)
IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies IPI60R099CPAAKSA1 -
RFQ
ECAD 5310 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 105mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies BSO615CGHuma1 -
RFQ
ECAD 8940 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO615 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 3.1a, 2a 110mohm @ 3.1a, 10v 2V @ 20 µA 22.5nc @ 10V 380pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Bsc0911ndatma1 2.0000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0911 Mosfet (Óxido de metal) 1W PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 18a, 30a 3.2mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 12NC @ 4.5V 1600pf @ 12V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock