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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IQD020N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IQD020N10NM5ATMA1 2.1710
RFQ
 ECAD 1189 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IQD020N10NM5ATMA1TR 5,000
T390N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T390N12TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis A-200AA T390N12 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 18 200 MA 1.6 kV 600 A 2 V 4900A @ 50Hz 150 Ma 381 A 1 SCR
BSF024N03LT3GXUMA1 Infineon Technologies BSF024N03LT3GXUMA1 1.1500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 15A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
BFP 420F E6327 Infineon Technologies BFP 420F E6327 -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP 420 160MW 4-TSFP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 5V 35mA NPN 60 @ 5 MMA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
IRFR13N20DPBF Infineon Technologies IRFR13N20DPBF -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 200 V 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
BF888H6327XTSA1 Infineon Technologies BF888H6327XTSA1 0.2385
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF888 160MW PG-SOT343-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 27dB 4v 30mera NPN 250 @ 25A, 3V 47 GHz 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
ISC0806NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0806NLSATMA1 2.6500
RFQ
 ECAD 1943 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC0806N Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 16a (TA), 97a (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 50A, 10V 2.3V @ 61 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
PTFB212507SHV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB212507SHV1R250XTMA1 -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Activo PTFB212507 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001015178 EAR99 8541.29.0095 250
FS500R17OE4DPBOSA1 Infineon Technologies FS500R17OE4DPBOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 9694 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS500R17 20 MW Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Puente completo Parada de Campo de Trinchera 1700 V 1000 A 2.3V @ 15V, 500A 3 MA Si 40 NF @ 25 V
IRFZ44ZS Infineon Technologies Irfz44zs -
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfz44zs EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 51a (TC) 10V 13.9mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 25 V - 80W (TC)
IPB096N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB096N03LGATMA1 -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB096N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 42W (TC)
IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R600C6ATMA1 -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD65R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001121530 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
IM241S6S1BALMA1 Infineon Technologies IM241S6S1BALMA1 7.1934
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Activo Montaje en superficie Módulo 23-Powersmd IGBT - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 240 Inversor de 3 fase 4 A 600 V 2000 VRMS
IPN60R1K5PFD7SATMA1 Infineon Technologies IPN60R1K5PFD7SATMA1 0.7900
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ PFD7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN60R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 3.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 700 mA, 10V 4.5V @ 40 µA 4.6 NC @ 10 V ± 20V 169 pf @ 400 V - 6W (TC)
IRL3103D1S Infineon Technologies IRL3103D1S -
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3103D1S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 34a, 10v 1V @ 250 µA 43 NC @ 4.5 V ± 16V 1900 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 89W (TC)
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R102G7XTMA1 6.8200
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ G7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 23a (TC) 10V 102mohm @ 7.8a, 10v 4V @ 390 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 400 V - 139W (TC)
BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies BFR181E6327HTSA1 0.4700
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BFR181 175MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 18.5dB 12V 20 Ma NPN 70 @ 5mA, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRF6616TR1PBF Infineon Technologies IRF6616TR1PBF -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 19a (TA), 106a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10v 2.25V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 3765 pf @ 20 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
FS150R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FS150R12N2T7BPSA2 248.6053
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 2 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS150R12 20 MW Estándar Ag-Econo2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 150 A 1.8v @ 15V, 150a 1.2 µA Si 30.1 NF @ 25 V
BAS7004SH6827XTSA1 Infineon Technologies BAS7004SH6827XTSA1 0.6200
RFQ
 ECAD 2078 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAS7004 Schottky PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 70 V 70MA (DC) 1 V @ 15 Ma 100 ps 100 na @ 50 V 150 ° C (Máximo)
AUIRGP66524D0 Infineon Technologies Auirgp66524d0 -
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Auirgp66524 Estándar 214 W To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 400V, 24a, 10ohm, 15V 176 ns - 600 V 60 A 72 A 1.9V @ 15V, 24a 915 µJ (Encendido), 280 µJ (apagado) 80 NC 30ns/75ns
SKB15N60HSATMA1 Infineon Technologies Skb15n60hsatma1 -
RFQ
 ECAD 3871 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Skb15n Estándar 138 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 15a, 23ohm, 15V 111 ns Escrutinio 600 V 27 A 60 A 3.15V @ 15V, 15a 530 µJ 80 NC 13ns/209ns
IRFB4332PBF Infineon Technologies IRFB4332PBF 4.5400
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB4332 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 60A (TC) 10V 33mohm @ 35a, 10v 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 30V 5860 pf @ 25 V - 390W (TC)
IRFU024NPBF Infineon Technologies Irfu024npbf -
RFQ
 ECAD 7173 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Irfu024 Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
IPA50R800CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R800CEXKSA2 0.9600
RFQ
 ECAD 343 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R800 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 4.1a (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13V 3.5V @ 130 µA 12.4 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 100 V - 26.4W (TC)
IPA65R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPA65R190C6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3325 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA65R Mosfet (Óxido de metal) PG-to20-3-111 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10v 3.5V @ 730 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 1620 pf @ 100 V - 34W (TC)
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 7162 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD079 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 50A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 50A, 10V 2.2V @ 34 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 4900 pf @ 30 V - 79W (TC)
BAV99UE6359HTMA1 Infineon Technologies Bav99ue6359htma1 -
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-74, SOT-457 BAV99 Estándar PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000012614 EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 2 Pares 80 V 100 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
IRF6798MTRPBF Infineon Technologies IRF6798MTRPBF -
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001529350 EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 25 V 37a (TA), 197a (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 37a, 10v 2.35V @ 150 µA 75 NC @ 4.5 V ± 20V 6560 pf @ 13 V Diodo Schottky (Cuerpo) 2.8W (TA), 78W (TC)
IRF7413QTRPBF Infineon Technologies IRF7413QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13a (TA) 11mohm @ 7.3a, 10v 3V @ 250 µA 79 NC @ 10 V 1800 pf @ 25 V -
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AD9208BBPZ-3000

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