- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Estructura | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Número de Scr, diodos | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | 118.3500 |  | 18 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD042P03L3GATMA1 | 2.1300 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD042 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 70a, 10v | 2V @ 270 µA | 175 NC @ 10 V | ± 20V | 12400 pf @ 15 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5302TR2PBF | - | | 4827 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Pqfn (5x6) muere individual | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 32A (TA), 100A (TC) | 2.1mohm @ 50A, 10V | 2.35V @ 100 µA | 76 NC @ 10 V | 4400 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC12T60NCX7SA1 | - | | 5080 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | SIGC12 | Estándar | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 1 | 300V, 10a, 27ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 10 A | 30 A | 2.5V @ 15V, 10a | - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FT150R12KE3B5BOSA1 | - | | 3694 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | - | - | Ft150 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000083610 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRLR014NTRL | - | | 1507 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 6a, 10v | 1V @ 250 µA | 7.9 NC @ 5 V | ± 16V | 265 pf @ 25 V | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7769L2TR1PBF | - | | 5809 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DirectFet ™ Isométrico L8 | Mosfet (Óxido de metal) | DirectFet ™ Isométrico L8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 375A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 74a, 10v | 4V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11560 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL3715zstrl | - | | 8268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10v | 2.55V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRL2703PBF | - | | 3929 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 30 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 14a, 10v | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSP149L6906HTSA1 | - | | 1062 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4-21 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 660MA (TA) | 0V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1V @ 400 µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 430 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 1.8w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS138N E7854 | - | | 5243 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT23 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 230 mA (TA) | 4.5V, 10V | 3.5ohm @ 230 mm, 10V | 1.4V @ 250 µA | 1.4 NC @ 10 V | ± 20V | 41 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ifs200v12pt4bosa1 | - | | 6892 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MIPAQ ™ | Banda | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Ifs200 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 200 A | 2.15V @ 15V, 200a | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPP60R165CPXKSA1 | 5.6800 | | 2857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R165 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 165mohm @ 12a, 10v | 3.5V @ 790 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 100 V | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | T1220N28TOFVTXPSA1 | 382.1900 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Apretar | Un 200ac | T1220N28 | Soltero | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500 mA | 2.8 kV | 2625 A | 2 V | 25000A @ 50Hz | 250 Ma | 1220 A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IQE008N03LM5CGATMA1 | 2.6800 | | 282 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8-Powertdfn | IQE008N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TTFN-9-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 253A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 16V | 5700 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC30UDPBF | - | | 2770 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 100 W | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V, 12a, 23ohm, 15V | 42 ns | - | 600 V | 23 a | 92 A | 2.1V @ 15V, 12A | 380 µJ (Encendido), 160 µJ (apagado) | 50 NC | 40ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPTC017N12NM6ATMA1 | 7.7100 | | 1346 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | IPTC017 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-U01 | - | 1 (ilimitado) | 1.800 | N-canal | 120 V | 32a (TA), 331A (TC) | 8V, 10V | 1.7mohm @ 150a, 10v | 3.6V @ 275 µA | 141 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 60 V | - | 3.8W (TA), 395W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF400R17KF4CNOSA1 | - | | 9813 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bcr35pne6327btsa1 | - | | 2117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCR35 | 250MW | PG-SOT363-PO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100mA | - | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 70 @ 5MA, 5V | 150MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS45MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 8589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Descontinuado en sic | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Spi08n50c3in | - | | 2654 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 280 | N-canal | 500 V | 7.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.6a, 10V | 3.9V @ 350 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFH5220TRPBF | - | | 4753 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 vqfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570846 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 200 V | 3.8a (TA), 20a (TC) | 10V | 99.9mohm @ 5.8a, 10v | 5V @ 100 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1380 pf @ 50 V | - | 3.6W (TA), 8.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH3707TR2PBF | - | | 1400 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (3x3) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 12a (TA), 29A (TC) | 4.5V, 10V | 12.4mohm @ 12a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 8.1 NC @ 4.5 V | ± 20V | 755 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP65R190CFDXKSA2 | 4.0800 | | 8052 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 17.5a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 4.5V @ 700 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3103D1PBF | - | | 8288 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3103D1PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 64a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 34a, 10v | 1V @ 250 µA | 43 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1900 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7303PBF | - | | 7134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF73 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001563422 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.9a | 50mohm @ 2.4a, 10V | 1V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 520pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFHP8334TRPBF | - | | 9779 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | IRFHP8334TRPBFTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | D452N14ExPSA1 | - | | 8152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Montaje de Tornillo | Sin Estándar | D452N | Estándar | FL54 | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 50 Ma @ 1400 V | -40 ° C ~ 180 ° C | 450A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62-0218pbf | - | | 6493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tubo | Activo | 62-0218 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001562850 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB4640DPBF | - | | 4134 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 250 W | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001548212 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 V | 65 A | 72 A | 1.9V @ 15V, 24a | 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 75 NC | 41ns/104ns |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)