SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Max Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRG4IBC30W Infineon Technologies IRG4IBC30W -
RFQ
 ECAD 7887 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irg4ibc Estándar 45 W PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4IBC30W EAR99 8541.29.0095 50 480V, 12a, 23ohm, 15V - 600 V 17 A 92 A 2.7V @ 15V, 12A 130 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) 51 NC 25ns/99ns
AUIRFP46310Z Infineon Technologies Auirfp46310z -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies Bsc022n04lsatma1 1.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC022 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2600 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies IPT012N06NATMA1 6.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT012 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 240a (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 143 µA 124 NC @ 10 V ± 20V 9750 pf @ 30 V - 214W (TC)
IDY10S120XKSA1 Infineon Technologies Idy10S120xksa1 -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Idy10s120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247HC-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 280 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 10 A 0 ns 120 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A 250pf @ 1V, 1 MHz
BC848CWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC848CWE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 250MHz
SPN01N60C3 Infineon Technologies SPN01N60C3 -
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Spn01n Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 300 mA (TA) 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 3.7V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRFSL4710PBF Infineon Technologies IRFSL4710PBF -
RFQ
 ECAD 6266 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfsl4710pbf EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 45a, 10V 5.5V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6160 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
IRL3202PBF Infineon Technologies IRL3202PBF -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 48a (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 43 NC @ 4.5 V ± 10V 2000 pf @ 15 V - 69W (TC)
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies IRF9383MTRPBF 3.0200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX IRF9383 Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 Canal P 30 V 22a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 22a, 10v 2.4V @ 150 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 7305 pf @ 15 V - 2.1W (TA), 113W (TC)
IRF7901D1TR Infineon Technologies IRF7901D1TR -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7901 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 38mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 10.5nc @ 5V 780pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
BSM400GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM400GA120DLCHOSA1 244.5380
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo BSM400 2500 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 1200 V 625 A 2.6V @ 15V, 400A 5 Ma No 26 NF @ 25 V
SIDC04D60F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC04D60F6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Morir SIDC04 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.6 v @ 9 a 27 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 9A -
BCR 166L3 E6327 Infineon Technologies BCR 166L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 166 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 47 kohms
IRG7PG42UDPBF Infineon Technologies IRG7PG42UDPBF -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Irg7pg Estándar 320 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001532794 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 30a, 10ohm, 15V 153 ns Zanja 1000 V 85 A 90 A 2V @ 15V, 30a 2.11mj (Encendido), 1.18mj (apaguado) 157 NC 25ns/229ns
IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies IPP055N03LGXKSA1 1.2900
RFQ
 ECAD 3070 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP055 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 20V 3200 pf @ 15 V - 68W (TC)
BFS 386L6 E6327 Infineon Technologies BFS 386L6 E6327 -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn 210MW, 380MW TSLP-6-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 10dB ~ 14.5dB 6V 35 Ma, 80 Ma 2 NPN (dual) 60 @ 15 mm, 3V / 60 @ 40 mm, 3V 14GHz 1DB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies IRFS7534TRLPBF 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IRFS7534 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 195a (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250 µA 279 NC @ 10 V ± 20V 10034 pf @ 25 V - 294W (TC)
IPD60R600CPATMA1 Infineon Technologies IPD60R600CPATMA1 -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000680642 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 60W (TC)
IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R022M1HXTMA1 23.5900
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA IMBG65 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 64a (TC) 18V 30mohm @ 41.1a, 18V 5.7V @ 12.3MA 67 NC @ 18 V +23V, -5V 2288 pf @ 400 V - 300W (TC)
SIPC10N65C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC10N65C3X1SA2 -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - - - Sipc10 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001611950 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IPS80R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies IPS80R1K2P7AKMA1 0.6448
RFQ
 ECAD 1246 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS80R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-342 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.7a, 10v 3.5V @ 80 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 500 V - 37W (TC)
SGB02N120CT Infineon Technologies SGB02N120CT -
RFQ
 ECAD 9419 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgb02n Estándar 62 W PG-TO263-3-2 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 800V, 2a, 91ohm, 15V Escrutinio 1200 V 6.2 A 9.6 A 3.6V @ 15V, 2a 220 µJ 11 NC 23ns/260ns
IRF1010EZL Infineon Technologies IRF1010EZL -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf1010bezl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10v 4V @ 100 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF7534D1TR Infineon Technologies IRF7534D1TR -
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 4.3a (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 4.3a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 15 NC @ 5 V ± 12V 1066 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.25W (TA)
BAR 90-07LRH E6327 Infineon Technologies Bar 90-07LRH E6327 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) 4-xfdfn Bar90 PG-TSLP-4-7 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 15,000 100 mA 250 MW 0.35pf @ 1V, 1 MHz PIN - 2 Independiente 80V 800mohm @ 10 Ma, 100MHz
SGW30N60 Infineon Technologies SGW30N60 -
RFQ
 ECAD 6365 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sgw30n Estándar 250 W PG-TO247-3-21 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 400V, 30a, 11ohm, 15V Escrutinio 600 V 41 A 112 A 2.4V @ 15V, 30a 640 µJ (Encendido), 650 µJ (apagado) 140 NC 44ns/291ns
IRF7338TRPBF Infineon Technologies IRF7338TRPBF -
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF733 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 12V 6.3a, 3a 34mohm @ 6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 8.6nc @ 4.5V 640pf @ 9V Puerta de Nivel Lógico
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R099CPATMA1 9.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CP Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 99mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
T1400N16H75VTXPSA1 Infineon Technologies T1400N16H75VTXPSA1 314.2500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - T1400N - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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