SIC
close

Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (AMP) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF3707ZCSTRR Infineon Technologies IRF3707ZCSTRR -
RFQ
 ECAD 1097 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 59A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V 1210 pf @ 15 V - 57W (TC)
IRFP4127PBF Infineon Technologies IRFP4127PBF 6.0800
RFQ
 ECAD 1033 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRFP4127 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001566148 EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 200 V 75A (TC) 10V 21mohm @ 44a, 10v 5V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 5380 pf @ 50 V - 341W (TC)
FP25R12KS4CBPSA1 Infineon Technologies FP25R12KS4CBPSA1 158.4580
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP25R12 230 W Rectificador de Puente Trifásico Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico - 1200 V 40 A 3.7V @ 15V, 25A 5 Ma Si 1.5 NF @ 25 V
SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies Skb02n60atma1 -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Skb02n Estándar 30 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 2A, 118OHM, 15V 130 ns Escrutinio 600 V 6 A 12 A 2.4V @ 15V, 2a 64 µJ 14 NC 20ns/259ns
IAUZ18N10S5L420ATMA1 Infineon Technologies IAUZ18N10S5L420ATMA1 1.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUZ18 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8-32 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 18a (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 9a, 10v 2.2V @ 8 µA 8 NC @ 10 V ± 20V 470 pf @ 50 V - 30W (TC)
BSD214SNL6327 Infineon Technologies BSD214SNL6327 0.0600
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT363-6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5V 1.2V @ 3.7 µA 0.8 NC @ 5 V ± 12V 143 pf @ 10 V - 500MW (TA)
IRF3315LPBF Infineon Technologies IRF3315LPBF -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3315LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 150 V 21a (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
IPF09N03LA Infineon Technologies IPF09N03LA -
RFQ
 ECAD 3633 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPF09N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 30a, 10v 2V @ 20 µA 13 NC @ 5 V ± 20V 1642 pf @ 15 V - 63W (TC)
BCR198WH6327 Infineon Technologies BCR198WH6327 -
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR198 250 MW PG-SOT323-3-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 7,123 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 kohms 47 kohms
BAS16E6393HTSA1 Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Estándar PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000010204 EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
PTFA092211FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092211FLV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 920MHz ~ 960MHz Ldmos H-34288-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000688948 5A991G 8541.29.0095 40 - 175 Ma 50W 18dB - 30 V
IMIC41V07X6SA1 Infineon Technologies IMIC41V07X6SA1 -
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo IMIC41 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001583524 0000.00.0000 1
IRGIB4607DPBF Infineon Technologies IRGIB4607DPBF -
RFQ
 ECAD 9979 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar Un 220FP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001537740 EAR99 8541.29.0095 500 - - 600 V 7 A - 62 µJ (Encendido), 140 µJ (apaguado) -
IRFP150N Infineon Technologies Irfp150n -
RFQ
 ECAD 7536 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 100 V 42a (TC) 10V 36mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 160W (TC)
IPC95R450P7X7SA1 Infineon Technologies IPC95R450P7X7SA1 -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo IPC95 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP002134094 0000.00.0000 1
DD104N14KKHPSA1 Infineon Technologies DD104N14KKHPSA1 -
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Pow-R-Blok ™ Estándar Módulo Pow-R-Blok ™ descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 104a 1.4 V @ 300 A 20 Ma @ 1400 V 150 ° C
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N08S5N018AUMA1 4.4300
RFQ
 ECAD 7576 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn IAUA250 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 250a (TJ) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 150 µA 125 NC @ 10 V ± 20V 8715 pf @ 40 V - 238W (TC)
BCR 196F E6327 Infineon Technologies BCR 196f E6327 -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Sot-723 BCR 196 250 MW PG-TSFP-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 70 Ma 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 5MA, 5V 150 MHz 47 kohms 22 kohms
IPB47N10S33ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10S33ATMA1 -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB47N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 47a (TC) 10V 33mohm @ 33a, 10V 4V @ 2mA 105 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
BSC205N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC205N10LSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 5,000
IRFB3006PBF Infineon Technologies IRFB3006PBF 4.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3006 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570606 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 8970 pf @ 50 V - 375W (TC)
AUIRLR2905 Infineon Technologies Auirlr2905 -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516026 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V ± 16V 1700 pf @ 25 V - 110W (TC)
IAUC120N06S5L011ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L011ATMA1 1.4380
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-53 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 310A (TJ) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 60a, 10v 2.2V @ 130 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 11400 pf @ 30 V - 188W (TC)
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies IRLHS6276TR2PBF -
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 6-Powervdfn IRLHS6276 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w 6-PQFN Dual (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 2 Canal N (Dual) 20V 4.5a 45mohm @ 3.4a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 3.1NC @ 4.5V 310pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
BCR 169T E6327 Infineon Technologies BCR 169T E6327 -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BCR 169 250 MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 200 MHz 4.7 kohms
IRF3704ZCS Infineon Technologies IRF3704ZCS -
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3704ZCS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 67a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 21a, 10v 2.55V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1220 pf @ 10 V - 57W (TC)
IRF7468 Infineon Technologies IRF7468 -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7468 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 40 V 9.4a (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 4.5 V ± 12V 2460 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP057N08N3GXKSA1 2.5300
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP057 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 80a (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 80a, 10v 3.5V @ 90 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 4750 pf @ 40 V - 150W (TC)
SDP20S30 Infineon Technologies SDP20S30 -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 SDP20 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 300 V 10a (DC) 1.7 V @ 10 A 0 ns 200 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
D1481N65TVFXPSA1 Infineon Technologies D1481N65TVFXPSA1 969.622225
RFQ
 ECAD 9103 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis DO-200AC, K-PUK D1481N65 Estándar BG-D7626K-1 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 4 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 6800 V 1.8 V @ 2500 A 50 Ma @ 6800 V 160 ° C (Máximo) 2200A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar