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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
IRGSL15B60KDPBF-INF	1.4100	RFQ	250	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Estándar		208 W			Un 262	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	1				400V, 15a, 22ohm, 15V																				Escrutinio	600 V	31 A	62 A	2.2V @ 15V, 15a	220 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado)	56 NC	34ns/184ns
IRFR9120NPBF	-	RFQ	7105	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR9120		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		Canal P			100 V	6.6a (TC)	10V	480mohm @ 3.9a, 10V	4V @ 250 µA	27 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	40W (TC)
IPA80R460CEXKSA1	-	RFQ	2657	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tubo	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA80R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-to220-FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			800 V	5A (TC)	10V	460mohm @ 7.1a, 10V	3.9V @ 680 µA	64 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 100 V	-	34W (TC)
IPD50R1K4CEAUMA1	0.6200	RFQ	9835	Infineon Technologies	CoolMos ™ CE	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD50R1		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal			500 V	3.1a (TC)	13V	1.4ohm @ 900mA, 13V	3.5V @ 70 µA	8.2 NC @ 10 V	± 20V	178 pf @ 100 V	-	42W (TC)
IRGSL15B60KDPBF	-	RFQ	6338	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Estándar		208 W			PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001546378	EAR99	8541.29.0095	50				400V, 15a, 22ohm, 15V																	92 ns			Escrutinio	600 V	31 A	62 A	2.2V @ 15V, 15a	220 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado)	56 NC	34ns/184ns
BSC020N03LSGATMA1	1.5800	RFQ	18	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC020		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			30 V	28a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	2mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	93 NC @ 10 V	± 20V	7200 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 96W (TC)
ISC015N04NM5ATMA1	1.7800	RFQ	4272	Infineon Technologies	Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	ISC015N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			40 V	33A (TA), 206A (TC)	7V, 10V	1.5mohm @ 50A, 10V	3.4V @ 60 µA	67 NC @ 10 V	± 20V	4800 pf @ 20 V	-	3W (TA), 115W (TC)
BSC007N04LS6ATMA1	3.3700	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC007		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal			40 V	381a (TC)	4.5V, 10V	0.7mohm @ 50A, 10V	2.3V @ 250 µA	94 NC @ 4.5 V	± 20V	8400 pf @ 20 V	-	188W
SPB73N03S2L08T	-	RFQ	9390	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Spb73n		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000016257	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			30 V	73a (TC)	4.5V, 10V	8.1mohm @ 36a, 10v	2V @ 55 µA	46.2 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IRF7663	-	RFQ	9146	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	80		Canal P			20 V	8.2a (TA)	2.5V, 4.5V	20mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	45 NC @ 5 V	± 12V	2520 pf @ 10 V	-	1.8w (TA)
IPG20N04S408BATMA1	-	RFQ	9358	Infineon Technologies	Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -T2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8Powervdfn	IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	65W (TC)			PG-TDSON-8-10	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)				40V	20A (TC)		7.6mohm @ 17a, 10v	4V @ 30 µA	36nc @ 10V		2940pf @ 25V	-
BB 659C-02V H7902	-	RFQ	8167	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-79, SOD-523	BB 659C						PG-SC79-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000																						2.75pf @ 28V, 1MHz										Soltero	30 V				15.3	C1/C28	-
IPQC60R040S7XTMA1	11.4400	RFQ	8678	Infineon Technologies	CoolMos ™ S7	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 22 poderos			Mosfet (Óxido de metal)				PG-HDSOP-22	-		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	750		N-canal			600 V	14a (TC)	12V	40mohm @ 13a, 12V	4.5V @ 790 µA	83 NC @ 12 V	± 20V		-	272W (TC)
IRLZ44NL	-	RFQ	9966	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLZ44NL	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			55 V	47a (TC)	4V, 10V	22mohm @ 25A, 10V	2V @ 250 µA	48 NC @ 5 V	± 16V	1700 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
IPW65R145CFD7AXKSA1	6.4300	RFQ	4517	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW65R145		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal			650 V	17a (TC)		145mohm @ 8.5a, 10v	4.5V @ 420 µA	36 NC @ 10 V	± 20V	1694 pf @ 400 V	-	98W (TC)
IPB100N08S207ATMA1	2.3255	RFQ	3979	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB100		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal			75 V	100A (TC)	10V	6.8mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	200 NC @ 10 V	± 20V	4700 pf @ 25 V	-	300W (TC)
TZ425N18KOFHPSA1	236.6700	RFQ	2489	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	TZ425N18				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	3			300 mA												1.8 kV	800 A	1.5 V	14500A @ 50Hz	250 Ma	510 A			1 SCR
BSM35GD120DLCE3224BPSA1	194.8453	RFQ	2516	Infineon Technologies	-	Banda	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	Bsm35g			280 W		Estándar	Ag-Econo2a	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor de puente entero																							-	1200 V	70 A		2.6V @ 15V, 35a						80 µA	No	2 NF @ 25 V
IPI60R299CPXKSA1	-	RFQ	8573	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI60R		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			600 V	11a (TC)	10V	299mohm @ 6.6a, 10v	3.5V @ 440 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	96W (TC)
Irfu7746pbf	-	RFQ	9065	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIrfet ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRFU7746		Mosfet (Óxido de metal)				IPAK (TO-251AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001552464	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal			75 V	56a (TC)	6V, 10V	11.2mohm @ 35a, 10v	3.7V @ 100 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	3107 pf @ 25 V	-	99W (TC)
Sgw20n60	2.4800	RFQ	5	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		179 W			PG-TO247-3-21	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	122				400V, 20a, 16ohm, 15V																				Escrutinio	600 V	40 A	80 A	2.4V @ 15V, 20a	440 µJ (Encendido), 330 µJ (apagado)	100 NC	36NS/225NS
Spa11n80c3xksa1	3.3200	RFQ	7	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa11n80		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal			800 V	11a (TC)	10V	450mohm @ 7.1a, 10V	3.9V @ 680 µA	85 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 100 V	-	34W (TC)
BSZ086P03NS3GATMA1	0.9400	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ086		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		Canal P			30 V	13.5A (TA), 40A (TC)	6V, 10V	8.6mohm @ 20a, 10v	3.1V @ 105 µA	57.5 NC @ 10 V	± 25V	4785 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IPI80N06S3L-08	-	RFQ	7403	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI80N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal			55 V	80a (TC)	5V, 10V	7.9mohm @ 43a, 10v	2.2V @ 55 µA	134 NC @ 10 V	± 16V	6475 pf @ 25 V	-	105W (TC)
IGO60R042D1AUMA2	16.1506	RFQ	2406	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-	Montaje en superficie	20-POWERSOIC (0.433 ", 11.00 mm de Ancho)			Ganfet (Nitruro de Galio)				PG-dso-20-85	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		-			600 V	-	-	-	-		-		-	-
IRGP6630DPBF	-	RFQ	2645	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		192 W			To47ac	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001548332	EAR99	8541.29.0095	400				400V, 18a, 22ohm, 15V																	70 ns			-	600 V	47 A	54 A	1.95V @ 15V, 18a	75 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado)	30 NC	40ns/95ns
IRF7750TR	-	RFQ	6590	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	IRF7750		Mosfet (Óxido de metal)	1W			8-TSOP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal P (Dual)				20V	4.7a		30mohm @ 4.7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	39nc @ 5V		1700pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
T4771N22TOFXPSA1	4.0000	RFQ	7012	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Un 200af	T4771N22				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1			350 Ma												2.9 kV	6820 A	2.5 V	100000A @ 50Hz	350 Ma	6110 A			1 SCR
64-2028	-	RFQ	7740	Infineon Technologies	*	Tubo	Activo				64-2028							descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001517860	EAR99	8541.29.0095	50
IRLR2905Z	-	RFQ	5368	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRLR2905Z	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal			55 V	42a (TC)	4.5V, 10V	13.5mohm @ 36a, 10v	3V @ 250 µA	35 NC @ 5 V	± 16V	1570 pf @ 25 V	-	110W (TC)