SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRF3707STRL Infineon Technologies IRF3707Strl -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
IPB03N03LA G Infineon Technologies IPB03N03LA G -
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 55a, 10v 2V @ 100 µA 57 NC @ 5 V ± 20V 7027 pf @ 15 V - 150W (TC)
IRF3704LPBF Infineon Technologies IRF3704LPBF -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3704LPBF EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 77a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 87W (TC)
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon Technologies BC817K40WH6327XTSA1 0.0634
RFQ
 ECAD 4975 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 170MHz
PX8244HDMG018XTMA1 Infineon Technologies Px8244hdmg018xtma1 -
RFQ
 ECAD 2739 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto PX8244HD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPZA65R029CFD7XKSA1 15.4500
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IPZA65 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-4-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 69a (TC) 10V 29mohm @ 35.8a, 10V 4.5V @ 1.79mA 145 NC @ 10 V ± 20V 7149 pf @ 400 V - 305W (TC)
IPB034N06N3G Infineon Technologies IPB034N06N3G 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 167W (TC)
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies IRF7105QTRPBF -
RFQ
 ECAD 7150 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF71 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Vecino del canal 25V 3.5a, 2.3a 100mohm @ 1a, 10v 3V @ 250 µA 27nc @ 10V 330pf @ 15V -
IPI90N06S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA1 -
RFQ
 ECAD 4281 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI90N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10v 2.2V @ 90 µA 170 NC @ 10 V ± 16V 13000 pf @ 25 V - 150W (TC)
TT150N22KOFHPSA1 Infineon Technologies TT150N22KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TT150N Conexión de la Serie: Todos los SCRS descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 2.2 kV 350 A 2 V 4500A @ 50Hz 200 MA 223 A 2 SCRS
BAS 40-07 B6327 Infineon Technologies BAS 40-07 B6327 -
RFQ
 ECAD 6477 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BAS 40 Schottky PG-SOT-143-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 30,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 2 Independientes 40 V 120 mA (DC) 1 V @ 40 Ma 100 ps 1 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo)
BCR166E6393HTSA1 Infineon Technologies BCR166E6393HTSA1 0.0200
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-BCR166E6393HTSA1-448 1
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10v 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
IPC60R165CPX1SA4 Infineon Technologies IPC60R165CPX1SA4 2.4628
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela No hay para Nuevos Diseños IPC60 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000482544 0000.00.0000 1 -
SIDC81D120E6X1SA4 Infineon Technologies SIDC81D120E6X1SA4 -
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic Montaje en superficie Morir Sidc81d Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.9 V @ 100 A 27 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C 100A -
IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies IRLTS6342TRPBF 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IRLTS6342 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 8.3a (TA) 2.5V, 4.5V 17.5mohm @ 8.3a, 4.5V 1.1V @ 10 µA 11 NC @ 4.5 V ± 12V 1010 pf @ 25 V - 2W (TA)
IRF7603TRPBF Infineon Technologies IRF7603TRPBF -
RFQ
 ECAD 1987 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 5.6a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 3.7a, 10v 1V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IPL65R210CFDAUMA2 Infineon Technologies IPL65R210CFDAUMA2 1.9840
RFQ
 ECAD 6383 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL65R210 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 16.6a (TC) 10V 210mohm @ 7.3a, 10v 4.5V @ 700 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 100 V - 151W (TC)
IPP100N10S305AKSA1 Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA1 6.4800
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 100a, 10V 4V @ 240 µA 176 NC @ 10 V ± 20V 11570 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPA50R280CE Infineon Technologies IPA50R280CE -
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 13a (TC) 13V 280mohm @ 4.2a, 13V 3.5V @ 350 µA 32.6 NC @ 10 V ± 20V 773 pf @ 100 V - 30.4W (TC)
IRF7459TR Infineon Technologies IRF7459TR -
RFQ
 ECAD 6674 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 20 V 12a (TA) 2.8V, 10V 9mohm @ 12a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 12V 2480 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
IRFU4104PBF Infineon Technologies IRFU4104PBF -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 140W (TC)
T1190N12TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1190N12TOFVTXPSA1 355.6175
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200ac T1190N12 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 4 500 mA 1.8 kV 2800 A 2 V 22500A @ 50Hz 250 Ma 1190 A 1 SCR
IRG4BH20K-STRLP Infineon Technologies IRG4BH20K-STRLP -
RFQ
 ECAD 7695 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 60 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001540346 EAR99 8541.29.0095 800 960V, 5a, 50ohm, 15V - 1200 V 11 A 22 A 4.3V @ 15V, 5A 450 µJ (Encendido), 440 µJ (apagado) 28 NC 23ns/93ns
BSS7728NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS7728NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.3V @ 26 µA 1.5 NC @ 10 V ± 20V 56 pf @ 25 V - 360MW (TA)
T3160N12TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T3160N12TOFVTXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Do-200ae T3160N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.8 kV 7000 A 2.5 V 63000A @ 50Hz 250 Ma 3160 A 1 SCR
IPI126N10N3 G Infineon Technologies IPI126N10N3 G -
RFQ
 ECAD 4944 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI126N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 58a (TC) 6V, 10V 12.6mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 94W (TC)
BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1 2.2200
RFQ
 ECAD 4416 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSZ16DN25 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 250 V 10.9a (TC) 10V 165mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 32 µA 11.4 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
IPB057N06NATMA1 Infineon Technologies IPB057N06NATMA1 1.5900
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB057 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 17A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 45a, 10V 2.8V @ 36 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 30 V - 3W (TA), 83W (TC)
IRG4IBC20KD Infineon Technologies IRG4IBC20KD -
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 34 W PG-to220-FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4IBC20KD EAR99 8541.29.0095 50 480V, 9a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 11.5 A 23 a 2.8V @ 15V, 9a 340 µJ (Encendido), 300 µJ (apagado) 34 NC 54ns/180ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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