SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IMIC21V01X6SA1 Infineon Technologies IMIC21V01X6SA1 -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Infineon Technologies * Banda Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001067028 Obsoleto 0000.00.0000 1
IDH03G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH03G65C5XKSA1 -
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Idh03g65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 v @ 3 a 0 ns 50 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 100pf @ 1v, 1 MHz
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5N017ATMA1 2.7900
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IAUC120 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-43 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 120a (TJ) 1.7mohm @ 60a, 10v 3.4V @ 94 µA 95.9 NC @ 10 V ± 20V 6952 pf @ 30 V - 167W (TC)
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies IAUC60N06S5L073ATMA1 0.4435
RFQ
 ECAD 8870 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-33 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 60A (TJ) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 19 µA 22.6 NC @ 10 V ± 16V 1655 pf @ 30 V - 52W (TC)
BCX6825E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX6825E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX68 3 W PG-SOT89 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
FF300R12KE4HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KE4HOSA1 163.1100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Infineon Technologies hacer Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FF300R12 1600 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 460 A 2.15V @ 15V, 300A 5 Ma Si 19 NF @ 25 V
AIKB20N60CTATMA1 Infineon Technologies AIKB20N60CTATMA1 4.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab AIKB20 Estándar 156 W PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 600V, 20a, 12ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 60 A 2.05V @ 15V, 20a 310 µJ (Encendido), 460 µJ (apagado) 120 NC 18ns/199ns
IRFS3107PBF Infineon Technologies IRFS3107PBF -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 195a (TC) 10V 3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9370 pf @ 50 V - 370W (TC)
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKZ50N65EH5XKSA1 7.3100
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ 5 Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Ikz50n65 Estándar 273 W PG-TO247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 53 ns Zanja 650 V 85 A 200 A 2.1V @ 15V, 50A 410 µJ (Encendido), 190 µJ (apaguado) 109 NC 20ns/250ns
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies IPN65R1K5CEATMA1 0.3022
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN65R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 5.2a (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 100 µA 10.5 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 100 V - 5W (TC)
BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies Bsc0906nsatma1 0.7000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0906 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
SPS03N60C3AKMA1 Infineon Technologies SPS03N60C3AKMA1 -
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak SPS03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 3.2a (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 3.9V @ 135 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 38W (TC)
BCR133SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR133SH6327XTSA1 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR133 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 NPN - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP030N10N3GXKSA1 6.8700
RFQ
 ECAD 638 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 3mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 275 µA 206 NC @ 10 V ± 20V 14800 pf @ 50 V - 300W (TC)
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2 1.8200
RFQ
 ECAD 5808 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 40 µA 75 NC @ 10 V ± 16V 5680 pf @ 25 V - 79W (TC)
IKD04N60RBTMA1 Infineon Technologies Ikd04n60rbtma1 -
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar 75 W PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns Zanja 600 V 8 A 12 A 2.1V @ 15V, 4A 240 µj 27 NC 14ns/146ns
IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies IPT010N08NM5ATMA1 7.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IPT010N Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 43a (TA), 425A (TC) 6V, 10V 1.05mohm @ 150a, 10V 3.8V @ 280 µA 223 NC @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 375W (TC)
IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2 3.7100
RFQ
 ECAD 2500 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA80R310 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 16.7a (TC) 10V 310mohm @ 11a, 10v 3.9V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 100 V - 35W (TC)
DD1200S33K2CB3NOSA1 Infineon Technologies DD1200S33K2CB3NOSA1 -
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar A-IHV130-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 3300 V 1200A (DC) 3.5 V @ 1200 A 1700 A @ 1800 V -40 ° C ~ 125 ° C
64-4092PBF Infineon Technologies 64-4092pbf -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRLU2705 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R12HP4B9HOSA2 1.0000
RFQ
 ECAD 4603 0.00000000 Infineon Technologies Ihm-b Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FZ1800 10500 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Interruptor Único Zanja 1200 V 2700 A 2.05V @ 15V, 1800A 5 Ma No 110 NF @ 25 V
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM20T65GDXKMA1 15.4800
RFQ
 ECAD 2890 0.00000000 Infineon Technologies CIPOS ™ Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 24 Potencias (1.028 ", 26.10 mm) IGBT IFCM20 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 14 2 fase 20 A 650 V 2000 VRMS
BSP372L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP372L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1.7a (TA) 5V 310mohm @ 1.7a, 5V 2v @ 1 mapa ± 14V 520 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
SPI47N10L Infineon Technologies Spi47n10l -
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Spi47n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000013952 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IRF6718L2TR1PBF Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico L6 Mosfet (Óxido de metal) Directfet l6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 61a (TA), 270a (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 61a, 10V 2.35V @ 150 µA 96 NC @ 4.5 V ± 20V 6500 pf @ 13 V - 4.3W (TA), 83W (TC)
IRF7663TRPBF Infineon Technologies IRF7663TRPBF -
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) Micro8 ™ descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 8.2a (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 45 NC @ 5 V ± 12V 2520 pf @ 10 V - 1.8w (TA)
IRFH7085TRPBF Infineon Technologies IRFH7085TRPBF 1.9700
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH7085 Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 100A (TC) 6V, 10V 3.2mohm @ 75a, 10V 3.7V @ 150 µA 165 nc @ 10 V ± 20V 6460 pf @ 25 V - 156W (TC)
BCR119WE6327 Infineon Technologies BCR119WE6327 0.0200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
94-3316 Infineon Technologies 94-3316 -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Irll014 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 55 V 2a (TA) 140mohm @ 2a, 10v 2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V 230 pf @ 25 V -
IRGP4263D-EPBF Infineon Technologies IRGP4263D-EPBF -
RFQ
 ECAD 2574 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar 325 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48a, 10ohm, 15V 170 ns - 650 V 90 A 192 A 2.1V @ 15V, 48a 2.9mj (Encendido), 1.4mj (apagado) 145 NC 70ns/140ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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