SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRF9Z24NL Infineon Technologies Irf9z24nl -
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf9z24nl EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 12a (TC) 10V 175mohm @ 7.2a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R2ATMA1 2.8700
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IPC100 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 100A (TC) 7V, 10V 1.2mohm @ 50A, 10V 3.4V @ 90 µA 131 NC @ 10 V ± 20V 7650 pf @ 25 V - 150W (TC)
BDP954E6327HTSA1 Infineon Technologies Bdp954e6327htsa1 -
RFQ
 ECAD 2694 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 5 W PG-SOT223-4-10 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 100MHz
IDK09G65C5XTMA1 Infineon Technologies IDK09G65C5XTMA1 -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IDK09G65 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO263-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.8 V @ 9 A 0 ns 1.6 Ma @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 9A 270pf @ 1v, 1 MHz
IRF7484Q Infineon Technologies IRF7484Q -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7484Q EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 40 V 14a (TA) 7V 10mohm @ 14a, 7v 2V @ 250 µA 100 NC @ 7 V ± 8V 3520 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRF2805STRRPBF Infineon Technologies IRF2805StrrPBF -
RFQ
 ECAD 7260 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 135A (TC) 10V 4.7mohm @ 104a, 10v 4V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5110 pf @ 25 V - 200W (TC)
D251N18BB01XPSA1 Infineon Technologies D251N18BB01XPSA1 -
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Montaje BG-DSW27-1 D251N Estándar BG-DSW27-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000090534 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 30 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 255a -
PTFA260851E V1 R250 Infineon Technologies PTFA260851E V1 R250 -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA260851 2.68 GHz Ldmos H-30248-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 900 mA 85W 14dB - 28 V
BC846SE6327BTSA1 Infineon Technologies BC846SE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846S 250MW PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BC857CWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC857CWH6327XTSA1 0.0558
RFQ
 ECAD 2228 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 250MHz
SPD30P06P Infineon Technologies SPD30P06P -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD30P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10v 4V @ 1.7MA 48 NC @ 10 V ± 20V 1535 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF7807A Infineon Technologies IRF7807A -
RFQ
 ECAD 1942 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7807A EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V - 2.5W (TA)
BSO201SPHXUMA1 Infineon Technologies BSO201SPHXUMA1 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO201 Mosfet (Óxido de metal) PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 12a (TA) 2.5V, 4.5V 8mohm @ 14.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 88 NC @ 4.5 V ± 12V 9600 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
IRF7204PBF Infineon Technologies IRF7204PBF -
RFQ
 ECAD 7848 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 20 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5.3a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 12V 860 pf @ 10 V - 2.5W (TC)
IRFZ46NPBF Infineon Technologies Irfz46npbf 1.4500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFZ46 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 55 V 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 28a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1696 pf @ 25 V - 107W (TC)
BAS16-02VE6327 Infineon Technologies BAS16-02VE6327 -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 Infineon Technologies BAS16 Una granela Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BAS16 Estándar PG-SC79-2-1 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
IRG7PH42UD2PBF Infineon Technologies IRG7PH42UD2PBF -
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG7PH42 Estándar 321 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 30a, 10ohm, 15V Zanja 1200 V 60 A 90 A 2.02V @ 15V, 30A 1.32mj (apaguado) 234 NC -/233ns
IDD04SG60CXTMA1 Infineon Technologies IDD04SG60CXTMA1 -
RFQ
 ECAD 3636 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD04SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 4 a 0 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 5.6a 80pf @ 1v, 1 MHz
BSO612CVGXUMA1 Infineon Technologies BSO612CVGXUMA1 0.4700
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2.500
SPP15P10PHXKSA1 Infineon Technologies Spp15p10phxksa1 -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp15p Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 100 V 15A (TC) 10V 240mohm @ 10.6a, 10v 2.1V @ 1.54mA 48 NC @ 10 V ± 20V 1280 pf @ 25 V - 128W (TC)
MMBD914LT1HTSA1 Infineon Technologies Mmbd914lt1htsa1 0.3900
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd914 Estándar PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 75 V 150 ° C (Máximo) 250 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies IRFS7430TRL7PP 3.8400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IRFS7430 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 240a (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250 µA 460 NC @ 10 V ± 20V 13975 pf @ 25 V - 375W (TC)
IPD12CN10NGATMA1 Infineon Technologies IPD12CN10NGATMA1 2.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD12CN10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 67a (TC) 10V 12.4mohm @ 67a, 10v 4V @ 83 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4320 pf @ 50 V - 125W (TC)
BUZ31 E3045A Infineon Technologies Buz31 E3045A -
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buz31 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 14.5A (TC) 10V 200mohm @ 9a, 5V 4V @ 1MA ± 20V 1120 pf @ 25 V - 95W (TC)
IRF1010ZL Infineon Technologies Irf1010zl -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irf1010zl EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF3710ZSPBF Infineon Technologies IRF3710ZSPBF -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 2900 pf @ 25 V - 160W (TC)
BSP322PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP322PL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4-21 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 1A (TC) 4.5V, 10V 800mohm @ 1a, 10v 1V @ 380 µA 16.5 NC @ 10 V ± 20V 372 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRF7807D2TRPBF Infineon Technologies IRF7807D2TRPBF -
RFQ
 ECAD 6160 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 8.3a (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 12V Diodo Schottky (Aislado) 2.5W (TA)
IRF7530TR Infineon Technologies IRF7530TR -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7530 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 5.4a 30mohm @ 5.4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 26NC @ 4.5V 1310pf @ 15V -
T2851N48TOHXPSA1 Infineon Technologies T2851N48TOHXPSA1 -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af T2851N48 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 350 Ma 5.2 kV 4860 A 2.5 V 82000A @ 50Hz 350 Ma 4120 A 1 SCR
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AD9208BBPZ-3000

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