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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSP372L6327HTSA1	-	RFQ	2039	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)				PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			100 V	1.7a (TA)	5V	310mohm @ 1.7a, 5V	2v @ 1 mapa		± 14V	520 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
Spi47n10l	-	RFQ	8948	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi47n		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000013952	EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			100 V	47a (TC)	4.5V, 10V	26mohm @ 33a, 10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 25 V	-	175W (TC)
IRF6718L2TR1PBF	-	RFQ	9339	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico L6			Mosfet (Óxido de metal)				Directfet l6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			25 V	61a (TA), 270a (TC)	4.5V, 10V	0.7mohm @ 61a, 10V	2.35V @ 150 µA	96 NC @ 4.5 V	± 20V	6500 pf @ 13 V	-	4.3W (TA), 83W (TC)
IRF7663TRPBF	-	RFQ	9108	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				Micro8 ™	descascar		2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			Canal P			20 V	8.2a (TA)	2.5V, 4.5V	20mohm @ 7a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	45 NC @ 5 V	± 12V	2520 pf @ 10 V	-	1.8w (TA)
IRFH7085TRPBF	1.9700	RFQ	5715	Infineon Technologies	StrongIrfet ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IRFH7085		Mosfet (Óxido de metal)				PQFN (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal			60 V	100A (TC)	6V, 10V	3.2mohm @ 75a, 10V	3.7V @ 150 µA	165 nc @ 10 V	± 20V	6460 pf @ 25 V	-	156W (TC)
BCR119WE6327	0.0200	RFQ	147	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo											descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000
94-3316	-	RFQ	3726	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Activo		Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Irll014		Mosfet (Óxido de metal)				SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	80			N-canal			55 V	2a (TA)		140mohm @ 2a, 10v	2V @ 250 µA	14 NC @ 10 V		230 pf @ 25 V	-
IRGP4263D-EPBF	-	RFQ	2574	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3		Estándar		325 W			Un 247ad	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25					400V, 48a, 10ohm, 15V																			170 ns						-	650 V	90 A	192 A	2.1V @ 15V, 48a	2.9mj (Encendido), 1.4mj (apagado)	145 NC	70ns/140ns
ISC046N04NM5ATMA1	1.2800	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos ™ -5	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	ISC046N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8 FL	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			40 V	19A (TA), 77A (TC)	7V, 10V	4.6mohm @ 35a, 10V	3.4V @ 17 µA	21 NC @ 10 V	± 20V	1400 pf @ 20 V	-	3W (TA), 50W (TC)
BC857B E6327	0.0400	RFQ	297	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC857			330 MW			PG-SOT23	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	8,460																															45 V	100 mA						15NA (ICBO)			PNP	650mv @ 5 mm, 100 mapa	220 @ 2mA, 5V	250MHz
IRF3710Strr	-	RFQ	4742	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IPI60R125CP	-	RFQ	8389	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO262-3-1	descascar						0000.00.0000	1			N-canal			600 V	25A (TC)	10V	125mohm @ 16A, 10V	3.5V @ 1.1MA	70 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 100 V	-	208W (TC)
BCR185SH6327	-	RFQ	9348	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR185			250MW			PG-SOT363-6	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	4,438																															50V	100mA						-			2 PNP - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	200MHz	10 kohms	47 kohms
IPB80P04P405ATMA1	-	RFQ	6798	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80P		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			Canal P			40 V	80a (TC)	10V	4.9mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	151 NC @ 10 V	± 20V	10300 pf @ 25 V	-	125W (TC)
BSC079N03LSCGATMA1	-	RFQ	7337	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC079		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			30 V	14A (TA), 50A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 30W (TC)
Spp07n600s5	0.8800	RFQ	400	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo											descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1
D820N24TXPSA1	-	RFQ	9467	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	DO-200AA, A-PUK	D820N24		Estándar				-	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																				2400 V	1.25 V @ 750 A		40 mA @ 2400 V	-40 ° C ~ 180 ° C	820a	-
IPB80N06S208ATMA1	-	RFQ	7306	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			55 V	80a (TC)	10V	7.7mohm @ 58a, 10v	4V @ 150 µA	96 NC @ 10 V	± 20V	2860 pf @ 25 V	-	215W (TC)
Auirf1324s	-	RFQ	1535	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518994	EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			24 V	195a (TC)	10V	1.65mohm @ 195a, 10v	4V @ 250 µA	240 NC @ 10 V	± 20V	7590 pf @ 24 V	-	300W (TC)
IRFSL4620PBF	-	RFQ	2956	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567964	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			200 V	24a (TC)	10V	77.5mohm @ 15a, 10v	5V @ 100 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	1710 pf @ 50 V	-	144W (TC)
BCX5116E6327HTSA1	0.0900	RFQ	13	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA				2 W			PG-SOT89-4-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																															45 V	1 A						100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	125MHz
D841S45TXPSA1	-	RFQ	5469	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto				D841S45							-	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	6
IPP076N12N3GXKSA1	3.4100	RFQ	498	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP076		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			120 V	100A (TC)	10V	7.6mohm @ 100a, 10v	4V @ 130 µA	101 NC @ 10 V	± 20V	6640 pf @ 60 V	-	188W (TC)
IPG20N06S415ATMA1	-	RFQ	8826	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	IPG20N		Mosfet (Óxido de metal)	50W			PG-TDSON-8-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 Canal N (Dual)					60V	20A		15.5mohm @ 17a, 10v	4V @ 20 µA	29NC @ 10V		2260pf @ 25V	-
BFS-17-SE	-	RFQ	8797	Infineon Technologies	*	Una granela	Activo											-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
IPD65R420CFDATMA2	1.0650	RFQ	8558	Infineon Technologies	CoolMos ™ CFD2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IPD65R420		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal			650 V	8.7a (TC)	10V	420mohm @ 3.4a, 10V	4.5V @ 300 µA	31.5 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W (TC)
T590N12TOFXPSA1	-	RFQ	6562	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	T590N				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA												1.8 kV	1250 A	2.2 V	9400A @ 50Hz	250 Ma	590 A								1 SCR
IRL1004S	-	RFQ	6779	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRL1004		Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			40 V	130A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 78a, 10v	1V @ 250 µA	100 NC @ 4.5 V	± 16V	5330 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 200W (TC)
F3L200R12W2H3B11BPSA1	131.4100	RFQ	15	Infineon Technologies	Easypack ™	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	F3L200			600 W		Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	15	Inversor trifásico																													-	1200 V	100 A		1.75V @ 15V, 100A				1 MA	Si	11.5 NF @ 25 V
IRF3007PBF	-	RFQ	4472	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF3007		Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			75 V	75A (TC)	10V	12.6mohm @ 48a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3270 pf @ 25 V	-	200W (TC)