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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRF7530TR Infineon Technologies IRF7530TR -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7530 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w Micro8 ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 20V 5.4a 30mohm @ 5.4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 26NC @ 4.5V 1310pf @ 15V -
T2851N48TOHXPSA1 Infineon Technologies T2851N48TOHXPSA1 -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Un 200af T2851N48 Soltero descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 350 Ma 5.2 kV 4860 A 2.5 V 82000A @ 50Hz 350 Ma 4120 A 1 SCR
BCX53-16E6433 Infineon Technologies BCX53-16E6433 0.0900
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W PG-SOT89-4-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.463 80 V 1 A 100NA (ICBO) 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 50 mm, 2v 125MHz
SPB160N04S2L03DTMA1 Infineon Technologies SPB160N04S2L03DTMA1 -
RFQ
 ECAD 5329 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) SPB160N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 300W (TC)
IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R050CFD7AXKSA1 12.6000
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, CoolMos ™ CFD7A Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IPW65R050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 45a (TC) 10V 50mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 NC @ 10 V ± 20V 4975 pf @ 400 V - 227W (TC)
IPP60R190C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R190C6XKSA1 3.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP60R190 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20.2a (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 3.5V @ 630 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 100 V - 151W (TC)
IPA60R600CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R600CPXKSA1 -
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 6.1a (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 100 V - 28W (TC)
T830N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T830N12TOFXPSA1 -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Apretar Do-200ab, B-PUK T830N Soltero descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 1 300 mA 1.8 kV 1500 A 1.5 V 14500A @ 50Hz 250 Ma 844 A 1 SCR
BSO4410 Infineon Technologies BSO4410 -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.1a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 11.1a, 10v 2V @ 42 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 1280 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
IRLU3103 Infineon Technologies IRLU3103 -
RFQ
 ECAD 4125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10v 1V @ 250 µA 50 NC @ 4.5 V ± 16V 1600 pf @ 25 V - 107W (TC)
TD92N16KOFAHPSA1 Infineon Technologies Td92n16kofahpsa1 -
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 140 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo TD92N Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 1.6 kV 160 A 1.4 V 2050a @ 50Hz 120 Ma 102 A 1 scr, 1 diodo
IRFR3708TRRPBF Infineon Technologies IRFR3708TRPBF -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR3708 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575934 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 61a (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 12V 2417 pf @ 15 V - 87W (TC)
IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies IRLS3036TRL7PP 4.0100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRLS3036 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 240a (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10v 2.5V @ 250 µA 160 NC @ 4.5 V ± 16V 11270 pf @ 50 V - 380W (TC)
IRFR13N20DTRL Infineon Technologies IRFR13N20DTRL -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRL540NPBF Infineon Technologies IRL540NPBF 1.7100
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL540 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10v 2V @ 250 µA 74 NC @ 5 V ± 16V 1800 pf @ 25 V - 140W (TC)
IPD70P04P4L08AUMA2 Infineon Technologies IPD70P04P4L08AUMA2 -
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Infineon Technologies Optimos®-P2 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD70 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 - Obsoleto 1 Canal P 40 V 70A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 70a, 10v 2.2V @ 120 µA 92 NC @ 10 V +5V, -16V 5430 pf @ 25 V - 75W (TC)
DD400S33K2CNOSA1 Infineon Technologies DD400S33K2CNOSA1 -
RFQ
 ECAD 1716 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar A-IHV130-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 3300 V - 3.5 V @ 400 A 550 A @ 1800 V -40 ° C ~ 125 ° C
AUIRFP1405 Infineon Technologies Auirfp1405 -
RFQ
 ECAD 2905 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001515966 EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 95A (TC) 10V 5.3mohm @ 95a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
IRFR3704ZPBF Infineon Technologies IRFR3704ZPBF -
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 60A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1190 pf @ 10 V - 48W (TC)
BAW79DH6327XTSA1 Infineon Technologies BAW79DH6327XTSA1 0.2765
RFQ
 ECAD 7579 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie To-243AA Baw79 Estándar PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 500mA 1.6 v @ 1 a 1 µs 1 µA @ 400 V 150 ° C (Máximo)
SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies SPB100N03S2L-03 -
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 8180 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRF3704STRLPBF Infineon Technologies IRF3704StrlpBF -
RFQ
 ECAD 1987 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 77a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 87W (TC)
IRLU3915PBF Infineon Technologies IRLU3915PBF -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 16V 1870 pf @ 25 V - 120W (TC)
IRG4BC20MD-SPBF Infineon Technologies IRG4BC20MD-SPBF -
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 60 W D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 480V, 11a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 18 A 36 A 2.1V @ 15V, 11a 410 µJ (Encendido), 2.03MJ (apagado) 39 NC 21ns/463ns
IRF3711ZPBF Infineon Technologies IRF3711ZPBF -
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 92a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 2150 pf @ 10 V - 79W (TC)
DD1200S33K2CB3S2NDSA1 Infineon Technologies DD1200S33K2CB3S2NDSA1 -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar A-IHV130-3 descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 3300 V 1200A (DC) 3.5 V @ 1200 A 1700 A @ 1800 V -40 ° C ~ 125 ° C
IPD60R800CEATMA1 Infineon Technologies IPD60R800CEATMA1 -
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5.6a (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10v 3.5V @ 170 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 373 pf @ 100 V - 48W (TC)
DD390N16SHPSA1 Infineon Technologies DD390N16SHPSA1 113.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD390N16 Estándar BG-PB50SB-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1600 V 390A 1.34 V @ 800 A 1 ma @ 1600 V -40 ° C ~ 125 ° C
D1030N24TXPSA1 Infineon Technologies D1030N24TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 9647 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Apretar Do-200ab, B-PUK D1030N24 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2400 V 1.11 V @ 10000 A 40 mA @ 2400 V -40 ° C ~ 160 ° C 1030A -
BCX5610H6327XTSA1 Infineon Technologies BCX5610H6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX5610 2 W PG-SOT89 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 100MHz
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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