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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Current - Hold (IH) (Max)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Figura de ruido	Número de Scr, diodos	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF7754	-	RFQ	4629	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	IRF775		Mosfet (Óxido de metal)	1W			8-TSOP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal P (Dual)							12V	5.5a		25mohm @ 5.4a, 4.5V	900MV @ 250 µA	22NC @ 4.5V		1984pf @ 6V	Puerta de Nivel Lógico
IPP100N06S205AKSA2	-	RFQ	1747	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP100N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						55 V	100A (TC)	10V	5mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5110 pf @ 25 V	-	300W (TC)
T1590N26TOFVTXPSA1	740.0050	RFQ	7672	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Do-200ad	T1590N26				Soltero			descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	2				300 mA														2.8 kV	3200 A	3 V	32000A @ 50Hz	300 mA	1590 A		1 SCR
Irf7811avtr	-	RFQ	1112	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001560030	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						30 V	10.8a (TA)	4.5V	14mohm @ 15a, 4.5V	3V @ 250 µA	26 NC @ 5 V	± 20V	1801 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
IRFR12N25DPBF	-	RFQ	7844	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFR12N25DPBF	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						250 V	14a (TC)	10V	260mohm @ 8.4a, 10v	5V @ 250 µA	35 NC @ 10 V	± 30V	810 pf @ 25 V	-	144W (TC)
PXAC261202FCV1S250XTMA1	-	RFQ	3560	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	H-37248-4		2.61GHz	Ldmos				H-37248-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001178446	Obsoleto	0000.00.0000	1	Fuente Común Dual		-		230 Ma	28W	13.5dB																	-						28 V
T1410N02TOFXPSA1	-	RFQ	3693	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 140 ° C	Monte del Chasis	Do-200ab, B-PUK	T1410N				Soltero			descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA														600 V	2500 A	1.5 V	23000A @ 50Hz	250 Ma	1490 A		1 SCR
IRF6712STR1PBF	-	RFQ	9027	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico SQ			Mosfet (Óxido de metal)				Directfet ™ sq	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						25 V	17A (TA), 68A (TC)	4.5V, 10V	4.9mohm @ 17a, 10v	2.4V @ 50 µA	18 NC @ 4.5 V	± 20V	1570 pf @ 13 V	-	2.2W (TA), 36W (TC)
Auirl7766m2tr	-	RFQ	8524	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DirectFet ™ Isométrico M4	Auirl7766		Mosfet (Óxido de metal)				DirectFet ™ Isométrico M4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001516036	EAR99	8541.29.0095	4.800		N-canal						100 V	10a (TA)	4.5V, 10V	10mohm @ 31a, 10v	2.5V @ 150 µA	66 NC @ 4.5 V	± 16V	5305 pf @ 25 V	-	2.5W (TA), 62.5W (TC)
IRFR1010Z	-	RFQ	2250	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFR1010Z	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						55 V	42a (TC)	10V	7.5mohm @ 42a, 10V	4V @ 100 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	2840 pf @ 25 V	-	140W (TC)
SPD03N60C3BTMA1	-	RFQ	2270	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	SPD03N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						650 V	3.2a (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10v	3.9V @ 135 µA	17 NC @ 10 V	± 20V	400 pf @ 25 V	-	38W (TC)
IRFR3910TRPBF	1.3400	RFQ	12	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR3910		Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						100 V	16a (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10v	4V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	640 pf @ 25 V	-	79W (TC)
IPB05N03LB	-	RFQ	6601	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB05N		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO263-3-2	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	5mohm @ 60a, 10v	2V @ 40 µA	25 NC @ 5 V	± 20V	3209 pf @ 15 V	-	94W (TC)
IRL5602	-	RFQ	7720	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)				Un 220b	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		Canal P						20 V	24a (TC)	2.5V, 4.5V	42mohm @ 12a, 4.5V	1V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 8V	1460 pf @ 15 V	-	-
BCP 56-10 H6433	-	RFQ	8771	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BCP 56			2 W			PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	4.000																											80 V	1 A			100NA (ICBO)			NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
IRF7451TRPBF	1.6300	RFQ	12	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF7451		Mosfet (Óxido de metal)				8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						150 V	3.6a (TA)	10V	90mohm @ 2.2a, 10v	5.5V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 30V	990 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRFC4668EF	-	RFQ	4218	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto												descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1									-
Bsm75gb120dlchosa1	-	RFQ	6812	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Módulo	BSM75GB120			690 W		Estándar	Módulo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	2 Independientes																									-	1200 V	170 A	2.6V @ 15V, 75a		5 Ma	No	5.1 NF @ 25 V
SPA07N60CFDXKSA1	-	RFQ	6698	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa07n		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						650 V	6.6a (TC)	10V	700mohm @ 4.6a, 10V	5V @ 300 µA	47 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 25 V	-	32W (TC)
IPC100N04S51R7ATMA1	2.2200	RFQ	5502	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IPC100		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-34	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						40 V	100A (TC)	7V, 10V	1.7mohm @ 50A, 10V	3.4V @ 60 µA	83 NC @ 10 V	± 20V	4810 pf @ 25 V	-	115W (TC)
BCR108SH6327	-	RFQ	5451	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108			250MW			PG-SOT363-6-1	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	1																											50V	100mA			100NA (ICBO)			2 NPN - Precializado (dual)	300mv @ 500 µA, 10 mA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2 kohms	47 kohms
IRF3315LPBF	-	RFQ	5636	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)				Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF3315LPBF	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						150 V	21a (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10v	4V @ 250 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 94W (TC)
T880N12TOFXPSA1	-	RFQ	4758	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Apretar	Do-200ab, B-PUK	T880N				Soltero			descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.30.0080	1				300 mA														1.8 kV	1750 A	2.2 V	17500A @ 50Hz	250 Ma	880 A		1 SCR
T2851N52TS08PRQRXPSA1	-	RFQ	7769	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-40 ° C ~ 125 ° C	Monte del Chasis	Un 200af	T2851N				Soltero			-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000539788	Obsoleto	0000.00.0000	1				350 Ma														5.2 kV	4680 A	2.5 V	82000A @ 50Hz	350 Ma	4120 A		1 SCR
BSC026N08NS5ATMA1	3.2600	RFQ	5856	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC026		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						80 V	23a (TA), 100a (TC)	6V, 10V	2.6mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 115 µA	92 NC @ 10 V	± 20V	6800 pf @ 40 V	-	2.5W (TA), 156W (TC)
IRFP054NPBF	2.9400	RFQ	947	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP054		Mosfet (Óxido de metal)				To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25		N-canal						55 V	81a (TC)	10V	12mohm @ 43a, 10V	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IRL3202STRR	-	RFQ	4408	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						20 V	48a (TC)	4.5V, 7V	16mohm @ 29a, 7v	700mV @ 250 µA (min)	43 NC @ 4.5 V	± 10V	2000 pf @ 15 V	-	69W (TC)
IRL540NSTRRPBF	-	RFQ	9138	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)				D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001550372	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						100 V	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10v	2V @ 250 µA	74 NC @ 5 V	± 16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
IRFR3504ZTRRPBF	-	RFQ	6618	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)				D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6,000		N-canal						40 V	42a (TC)	10V	9mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 20V	1510 pf @ 25 V	-	90W (TC)
BSC160N15NS5ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC160		Mosfet (Óxido de metal)				PG-TDSON-8-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						150 V	56a (TC)	8V, 10V	16mohm @ 28a, 10v	4.6V @ 60 µA	23.1 NC @ 10 V	± 20V	1820 pf @ 75 V	-	96W (TC)