SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IPP70N10SL16AKSA1 Infineon Technologies IPP70N10SL16AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP70N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 70A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 50a, 10v 2V @ 2mA 240 NC @ 10 V ± 20V 4540 pf @ 25 V - 250W (TC)
BCR 164L3 E6327 Infineon Technologies BCR 164L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 164 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 160 MHz 4.7 kohms 10 kohms
IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF -
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH4255 Mosfet (Óxido de metal) 31W, 38W PQFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 25V 64a, 105a 3.2mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 35 µA 15NC @ 4.5V 1314pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
IRF6674TR1PBF Infineon Technologies IRF6674TR1PBF -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MZ Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mz descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 13.4a (TA), 67a (TC) 10V 11mohm @ 13.4a, 10v 4.9V @ 100 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1350 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 89W (TC)
IRF7821TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7821TRPBFXTMA1 1.1400
RFQ
 ECAD 4314 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) PG-Dso-8-902 - ROHS3 Cumplante 4.000 N-canal 30 V 13.6a (TA) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 13a, 10v 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1 70.6760
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo BSM10G 80 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 1200 V 15 A 3.2V @ 15V, 10a 400 µA No 530 pf @ 25 V
IRF7476 Infineon Technologies IRF7476 -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 12 V 15a (TA) 2.8V, 4.5V 8mohm @ 15a, 4.5V 1.9V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 12V 2550 pf @ 6 V - 2.5W (TA)
IRFZ44NSTRR Infineon Technologies Irfz44nstrr -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 17.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 1470 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 94W (TC)
BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies BSP299H6327XUSA1 -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 400 mA (TA) 10V 4ohm @ 400mA, 10V 4V @ 1MA ± 20V 400 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z -
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3715Z EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 870 pf @ 10 V - 45W (TC)
IPD220N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD220N06L3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD220 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 30A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 11 µA 10 NC @ 4.5 V ± 20V 1600 pf @ 30 V - 36W (TC)
IPD80R280P7ATMA1 Infineon Technologies IPD80R280P7ATMA1 3.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD80R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 280mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 500 V - 101W (TC)
IRFZ24NSTRRPBF Infineon Technologies IRFZ24NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
D1230N18TXPSA1 Infineon Technologies D1230N18TXPSA1 127.6300
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Apretar DO-200AA, A-PUK D1230n18 Estándar - descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 12 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1800 V 1.063 v @ 800 A 50 mA @ 1800 V -40 ° C ~ 180 ° C 1230A -
IRFZ44VSTRR Infineon Technologies Irfz44vstrr -
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 55A (TC) 10V 16.5mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 1812 pf @ 25 V - 115W (TC)
IRF2807L Infineon Technologies IRF2807L -
RFQ
 ECAD 6834 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF2807L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 82a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 3820 pf @ 25 V - 230W (TC)
IPI80P04P4L08AKSA1 Infineon Technologies IPI80P04P4L08AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80P Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000840210 EAR99 8541.29.0095 500 Canal P 40 V 80a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 80a, 10v 2.2V @ 120 µA 92 NC @ 10 V +5V, -16V 5430 pf @ 25 V - 75W (TC)
IRL8113S Infineon Technologies IRL8113S -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL8113S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 105A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
IRG4PSC71KPBF Infineon Technologies IRG4PSC71KPBF -
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 274AA IRG4PSC71 Estándar 350 W Super-247 ™ (TO74AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 480v, 60a, 5ohm, 15V - 600 V 85 A 200 A 2.3V @ 15V, 60A 790 µJ (Encendido), 1.98mj (apagado) 340 NC 34ns/54ns
SGB10N60AATMA1 Infineon Technologies SGB10N60AATMA1 -
RFQ
 ECAD 1775 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgb10n Estándar 92 W PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 10a, 25ohm, 15V Escrutinio 600 V 20 A 40 A 2.4V @ 15V, 10a 320 µJ 52 NC 28ns/178ns
IRFS3107TRL7PP Infineon Technologies IRFS3107TRL7PP 5.0200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña), un 263cb IRFS3107 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 240a (TC) 10V 2.6mohm @ 160a, 10v 4V @ 250 µA 240 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 370W (TC)
IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R199CPXKSA1 3.9200
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50R199 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 17a (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 100 V - 139W (TC)
ICA32V08X1SA1 Infineon Technologies ICA32V08X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000966884 Obsoleto 0000.00.0000 1
IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies Iqe022n06lm5scatma1 2.8500
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN IQE022 Mosfet (Óxido de metal) Pg-whson-8 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 24a (TA), 151a (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 48 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 4420 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 100W (TC)
IRF6802SDTR1PBF Infineon Technologies IRF6802SDTR1PBF -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico SA IRF6802 Mosfet (Óxido de metal) 1.7w Directfet ™ sa descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 25V 16A 4.2mohm @ 16a, 10v 2.1V @ 35 µA 13NC @ 4.5V 1350pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
IDD08SG60CXTMA2 Infineon Technologies IDD08SG60CXTMA2 5.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IDD08SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.1 v @ 8 a 0 ns 70 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 240pf @ 1V, 1 MHz
IPA60R600P7 Infineon Technologies IPA60R600P7 -
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
IRLBA1304 Infineon Technologies IRLBA1304 -
RFQ
 ECAD 3020 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 273AA IRLBA130 Mosfet (Óxido de metal) Super-220 ™ (To-273AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLBA1304 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 185A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 110a, 10v 1V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 7660 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFHM8334TRPBF Infineon Technologies IRFHM8334TRPBF -
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 13a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 20a, 10v 2.35V @ 25 µA 15 NC @ 10 V ± 20V 1180 pf @ 10 V - 2.7W (TA), 28W (TC)
IRF7700TR Infineon Technologies IRF7700TR -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 8.6a (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 89 NC @ 5 V ± 12V 4300 pf @ 15 V - 1.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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