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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRFR3504ZTRRPBF Infineon Technologies IRFR3504ZTRRPBF -
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 9mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC160N15NS5ATMA1 2.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC160 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 150 V 56a (TC) 8V, 10V 16mohm @ 28a, 10v 4.6V @ 60 µA 23.1 NC @ 10 V ± 20V 1820 pf @ 75 V - 96W (TC)
BUZ73E3046XK Infineon Technologies BUZ73E3046XK -
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buz73 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 200 V 7a (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 V - 40W (TC)
IRF6215PBF Infineon Technologies IRF6215PBF -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 110W (TC)
IPD06N03LA G Infineon Technologies IPD06N03LA G -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD06N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 50A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 40 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2653 pf @ 15 V - 83W (TC)
SIDC09D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60E6X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4701 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Montaje en superficie Morir SIDC09D60 Estándar Aserrado en papel descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 20 A 150 ns 27 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
IRFP064VPBF Infineon Technologies IRFP064VPBF -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 60 V 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 78a, 10v 4V @ 250 µA 260 NC @ 10 V ± 20V 6760 pf @ 25 V - 250W (TC)
BAV70WH6433XTMA1 Infineon Technologies Bav70wh643333xtma1 0.0548
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAV70 Estándar PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 80 V 200MA (DC) 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 150 na @ 70 V 150 ° C (Máximo)
TD92N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TD92N12KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 1680 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 130 ° C Monte del Chasis Módulo TD92N12 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 15 200 MA 1.6 kV 160 A 1.4 V 2050a @ 50Hz 120 Ma 104 A 1 scr, 1 diodo
IRG4PC20UPBF Infineon Technologies IRG4PC20UPBF -
RFQ
 ECAD 6181 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PC20 Estándar 60 W To47ac descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 480V, 6.5a, 50ohm, 15V - 600 V 13 A 52 A 2.1V @ 15V, 6.5a 100 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) 27 NC 21ns/86ns
IPB04N03LA Infineon Technologies IPB04N03LA -
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 25 V 80a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 55a, 10v 2V @ 60 µA 32 NC @ 5 V ± 20V 3877 pf @ 15 V - 107W (TC)
IRF7809 Infineon Technologies IRF7809 -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 17.6a (TA) 4.5V 7.5mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 86 NC @ 5 V ± 12V 7300 pf @ 16 V - 3.5W (TA)
IRF3709PBF Infineon Technologies IRF3709PBF -
RFQ
 ECAD 8735 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 5 V ± 20V 2672 pf @ 16 V - 3.1W (TA), 120W (TC)
IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies IRLS3034TRLPBF 3.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRLS3034 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10v 2.5V @ 250 µA 162 NC @ 4.5 V ± 20V 10315 pf @ 25 V - 375W (TC)
BFP740E6327HTSA1 Infineon Technologies BFP740E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 2835 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP740 160MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 27dB 4.7V 30mera NPN 160 @ 25mA, 3V 42 GHz 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies IRFR5410TRPBF 0.7747
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR5410 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
BCR185WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR185WE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 6442 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR185 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
IRF6646TR1PBF Infineon Technologies IRF6646TR1PBF -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MN Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 12A (TA), 68A (TC) 10V 9.5mohm @ 12a, 10v 4.9V @ 150 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2060 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
AUIRFU8403-701TRL Infineon Technologies Auirfu8403-701trl -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-21 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10v 3.9V @ 100 µA 99 NC @ 10 V ± 20V 3171 pf @ 25 V - 99W (TC)
IRF5804TR Infineon Technologies IRF5804TR -
RFQ
 ECAD 5696 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 198mohm @ 2.5a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 2W (TA)
IMIC22V01X6SA2 Infineon Technologies IMIC22V01X6SA2 -
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Obsoleto descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001121576 Obsoleto 0000.00.0000 1
IPP100N04S204AKSA1 Infineon Technologies IPP100N04S204AKSA1 -
RFQ
 ECAD 3985 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 172 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRLMS6802TR Infineon Technologies IRLMS6802TR -
RFQ
 ECAD 3153 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie Sot-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (SOT23-6) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 5.6a (TA) 50mohm @ 5.1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 16 NC @ 5 V 1079 pf @ 10 V -
TD425N16KOFHPSA2 Infineon Technologies TD425N16KOFHPSA2 288.8050
RFQ
 ECAD 7957 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TD425N16 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 1.8 kV 800 A 1.5 V 14500A @ 50Hz 250 Ma 471 A 1 scr, 1 diodo
BC858CWE6327BTSA1 Infineon Technologies BC858CWE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 7516 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC858 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 250MHz
TD240N36KOFHPSA1 Infineon Technologies TD240N36KOFHPSA1 618.5400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TD240N36 Conexión de la Serie - SCR/Diodo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 2 300 mA 3.8 kV 700 A 1.5 V 6100A @ 50Hz 250 Ma 446 A 1 scr, 1 diodo
D740N42TXPSA1 Infineon Technologies D740N42TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5913 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Do-200ab, B-PUK D740N42 Estándar - descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 4200 V 1.45 V @ 700 A 70 mA @ 4200 V -40 ° C ~ 160 ° C 750A -
ACCESSORY33234NOSA1 Infineon Technologies Acesorio33234nosa1 -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Acesorio3 - Alcanzar sin afectado 448-accesory33234nosa1 EAR99 8542.39.0001 1
BCR 129L3 E6327 Infineon Technologies BCR 129L3 E6327 -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SC-101, SOT-883 BCR 129 250 MW PG-TSLP-3-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 10 kohms
BC848BWH6327XTSA1 Infineon Technologies BC848BWH6327XTSA1 0.0534
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC848 250 MW PG-SOT323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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