SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF7342TRPBF Infineon Technologies IRF7342TRPBF 1.5200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRF7755 Infineon Technologies IRF7755 -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) IRF775 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 20V 3.9a 51mohm @ 3.7a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 17NC @ 4.5V 1090pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRF9953PBF Infineon Technologies IRF9953PBF -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF995 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001565680 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 30V 2.3a 250mohm @ 1a, 10v 1V @ 250 µA 12NC @ 10V 190pf @ 15V -
IRL1104STRR Infineon Technologies IRL1104STRR -
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
IPD12CN10NG Infineon Technologies IPD12CN10NG -
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 2 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 100 V 67a (TC) 10V 12.4mohm @ 67a, 10v 4V @ 83 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4320 pf @ 50 V - 125W (TC)
IRFR13N20DTRL Infineon Technologies IRFR13N20DTRL -
RFQ
 ECAD 2469 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 13a (TC) 10V 235mohm @ 8a, 10v 5.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 830 pf @ 25 V - 110W (TC)
IRFR3711ZTRR Infineon Technologies Irfr3711ztrr -
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 15a, 10v 2.45V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 20V 2160 pf @ 10 V - 79W (TC)
IRL3705ZSTRL Infineon Technologies IRL3705ZSTRL -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 75A (TC) 8mohm @ 52a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 5 V 2880 pf @ 25 V -
IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5CGATMA1 3.9700
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-Powertdfn IQDH35 Mosfet (Óxido de metal) PG-TTFN-9-U02 - ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 5,000 N-canal 30 V 66a (TA), 700A (TC) 4.5V, 10V 0.35mohm @ 50A, 10V 2V @ 1.46MA 197 NC @ 10 V ± 20V 18000 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 278W (TC)
SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1 2.8700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa08n80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 40W (TC)
BC 808-25 E6433 Infineon Technologies BC 808-25 E6433 -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC 808 330 MW PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
IRF7700TR Infineon Technologies IRF7700TR -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 20 V 8.6a (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 89 NC @ 5 V ± 12V 4300 pf @ 15 V - 1.5W (TC)
IRFR9120NTRL Infineon Technologies Irfr9120ntrl -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR9120 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 6.6a (TC) 10V 480mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 40W (TC)
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065C7AUMA1 9.6200
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL60R065 Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4-1 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 65mohm @ 15.9a, 10v 4V @ 800 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 400 V - 180W (TC)
IDH04SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH04SG60CXKSA1 -
RFQ
 ECAD 9798 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 IDH04SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 4 a 0 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 80pf @ 1v, 1 MHz
IRFR5410TRRPBF Infineon Technologies IRFR5410TRPBF 0.7747
RFQ
 ECAD 7302 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR5410 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 13a (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 25 V - 66W (TC)
IRF3707STRL Infineon Technologies IRF3707Strl -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 62a (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1990 pf @ 15 V - 87W (TC)
SPA17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPA17N80C3XKSA1 5.4500
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SPA17N80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10v 3.9V @ 1MA 177 NC @ 10 V ± 20V 2320 pf @ 25 V - 42W (TC)
IRF7324 Infineon Technologies IRF7324 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF732 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF7324 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 20V 9A 18mohm @ 9a, 4.5V 1V @ 250 µA 63nc @ 5V 2940pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IRL8113L Infineon Technologies IRL8113L -
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL8113L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 105A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 21a, 10v 2.25V @ 250 µA 35 NC @ 4.5 V ± 20V 2840 pf @ 15 V - 110W (TC)
BFP183WE6327BTSA1 Infineon Technologies BFP183WE6327BTSA1 -
RFQ
 ECAD 9914 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP183 450MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 22dB 12V 65mA NPN 70 @ 15 Ma, 8V 8GHz 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPB034N06N3G Infineon Technologies IPB034N06N3G 0.8800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10V 4V @ 93 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 30 V - 167W (TC)
IRL40T209ATMA1 Infineon Technologies IRL40T209ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4592 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN IRL40T209 Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 300A (TC) 4.5V, 10V 0.72mohm @ 100a, 10V 2.4V @ 250 µA 269 NC @ 4.5 V ± 20V 16000 pf @ 20 V - 500W (TC)
IRL3303D1S Infineon Technologies IRL3303D1S -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3303D1S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 20a, 10v 1V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 16V 870 pf @ 25 V - 68W (TC)
AUIRLS4030 Infineon Technologies Auirls4030 -
RFQ
 ECAD 3120 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Auirls4030 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250 µA 130 NC @ 4.5 V ± 16V 11360 pf @ 50 V - 370W (TC)
SPN02N60C3 E6433 Infineon Technologies SPN02N60C3 E6433 -
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SPN02N Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 650 V 400 mA (TA) 10V 2.5ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 80 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 200 pf @ 25 V - 1.8w (TA)
IRLR3715ZTRR Infineon Technologies IRLR3715ZTRR -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 49a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 810 pf @ 10 V - 40W (TC)
IRF7306TR Infineon Technologies IRF7306TR -
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF73 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001551228 EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V 3.6a 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250 µA 25nc @ 10V 440pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRL3402 Infineon Technologies IRL3402 -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3402 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 85A (TC) 4.5V, 7V 8mohm @ 51a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 78 NC @ 4.5 V ± 10V 3300 pf @ 15 V - 110W (TC)
BSO4804 Infineon Technologies BSO4804 -
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO4804 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 8A 20mohm @ 8a, 10v 2V @ 30 µA 17NC @ 5V 870pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
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