SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Estructura Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (AMP) Current - Hold (IH) (Max) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Current - On State (IT (AV)) (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Número de Scr, diodos Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
IRF7317PBF Infineon Technologies IRF7317PBF -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF731 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Vecino del canal 20V 6.6a, 5.3a 29mohm @ 6a, 4.5V 700mv @ 250 µA 27NC @ 4.5V 900pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BG5120KH6327XTSA1 Infineon Technologies Bg5120kh6327xtsa1 -
RFQ
ECAD 7662 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz Mosfet PG-SOT363-PO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20 Ma 10 Ma - 23dB 1.1db 5 V
IRFB3607PBF Infineon Technologies IRFB3607PBF 1.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRFB3607 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10v 4V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 3070 pf @ 50 V - 140W (TC)
IPB06CN10N G Infineon Technologies IPB06CN10N G -
RFQ
ECAD 6249 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB06C Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 100A (TC) 10V 6.2mohm @ 100a, 10v 4V @ 180 µA 139 NC @ 10 V ± 20V 9200 pf @ 50 V - 214W (TC)
IDH04SG60CXKSA1 Infineon Technologies IDH04SG60CXKSA1 -
RFQ
ECAD 9798 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 IDH04SG60 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO20-2-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 600 V 2.3 v @ 4 a 0 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 80pf @ 1v, 1 MHz
SPA07N65C3XKSA1 Infineon Technologies SPA07N65C3XKSA1 -
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 790 pf @ 25 V - 32W (TC)
BFP840FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp840fesdh6327xtsa1 0.5800
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP840 75MW PG-TSFP-4-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 35dB 2.6V 35mA NPN 150 @ 10mA, 1.8V 85 GHz 0.75db @ 5.5Ghz
IRF7351TRPBF Infineon Technologies IRF7351TRPBF 1.7400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7351 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V 8A 17.8mohm @ 8a, 10v 4V @ 50 µA 36nc @ 10V 1330pf @ 30V Puerta de Nivel Lógico
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS306NH6327XTSA1 0.4200
RFQ
ECAD 123 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS306 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.3a (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 2.3a, 10v 2V @ 11 µA 1.5 NC @ 5 V ± 20V 275 pf @ 15 V - 500MW (TA)
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP405E6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BFP405 75MW PG-SOT343-3D descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 23dB 5V 25 Ma NPN 60 @ 5 MMA, 4V 25 GHz 1.25db @ 1.8Ghz
IRLIB9343 Infineon Technologies IRLIB9343 -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLIB9343 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 14a (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 50 V - 33W (TC)
IPI80N06S3-07 Infineon Technologies IPI80N06S3-07 -
RFQ
ECAD 7265 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.8mohm @ 51a, 10v 4V @ 80 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 7768 pf @ 25 V - 135W (TC)
IRLU3915PBF Infineon Technologies IRLU3915PBF -
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 92 NC @ 10 V ± 16V 1870 pf @ 25 V - 120W (TC)
BCR523E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR523E6327HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR523 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 100 MHz 1 kohms 10 kohms
IDW15G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW15G120C5BFKSA1 11.2700
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™+ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 IDW15G120 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 1200 V 24a (DC) 1.6 V @ 7.5 A 62 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
DD400S45KL3B5NOSA1 Infineon Technologies DD400S45KL3B5NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo Monte del Chasis Módulo DD400S45 Estándar A-IHV130-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 4500 V - 3.1 V @ 400 A 500 A @ 2800 V -50 ° C ~ 125 ° C
TZ310N26KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ310N26KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo TZ310N26 Soltero descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 3 300 mA 2.6 kV 700 A 1.5 V 9000A @ 50Hz 250 Ma 445 A 1 SCR
BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR555E6327HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR555 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 150 MHz 2.2 kohms 10 kohms
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR198WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 7317 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BCR198 250 MW PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 70 @ 5MA, 5V 190 MHz 47 kohms 47 kohms
IRFR1205TRL Infineon Technologies IRFR1205TRL -
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR1205 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 44a (TC) 10V 27mohm @ 26a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 107W (TC)
BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 0.9500
RFQ
ECAD 117 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC050 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 18A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 50a, 10v 2V @ 27 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 20 V - 2.5W (TA), 57W (TC)
IRLI2910 Infineon Technologies IRLI2910 -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLI2910 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 31a (TC) 4V, 10V 26mohm @ 16a, 10v 2V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 16V 3700 pf @ 25 V - 63W (TC)
BAS16UE6727HTSA1 Infineon Technologies BAS16UE6727HTSA1 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie SC-74, SOT-457 BAS16 Estándar PG-SC74-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 3 Independientes 80 V 100 mA (DC) 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 1 µA @ 75 V 150 ° C (Máximo)
HFA15TB60PBF Infineon Technologies Hfa15tb60pbf -
RFQ
ECAD 9436 0.00000000 Infineon Technologies Hexfred® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 HFA15 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
IRFH9310TRPBF Infineon Technologies IRFH9310TRPBF 1.7200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH9310 Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 21a (TA), 40a (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 21a, 10v 2.4V @ 100 µA 58 NC @ 4.5 V ± 20V 5250 pf @ 15 V - 3.1W (TA)
IPB60R360P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R360P7ATMA1 2.1100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB60R360 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 360mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 140 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 555 pf @ 400 V - 41W (TC)
IRFH7787TRPBF Infineon Technologies IRFH7787TRPBF -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn IRFH7787 Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 75 V 68a (TC) 6V, 10V 8mohm @ 41a, 10v 3.7V @ 100 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 4030 pf @ 25 V - 83W (TC)
IRFL024Z Infineon Technologies Irfl024z -
RFQ
ECAD 3865 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 55 V 5.1a (TA) 10V 57.5mohm @ 3.1a, 10v 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 340 pf @ 25 V - 1W (TA)
IPS105N03LGAKMA1 Infineon Technologies IPS105N03LGAKMA1 -
RFQ
ECAD 5374 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 38W (TC)
ISP06P008NXTSA1 Infineon Technologies ISP06P008NXTSA1 -
RFQ
ECAD 9289 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Obsoleto ISP06P - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001727910 Obsoleto 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock