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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Estructura	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Current - Hold (IH) (Max)	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Estado Fuera	Current - on State (IT (RMS)) (Max)	Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo)	Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM)	Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo)	Current - On State (IT (AV)) (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Número de Scr, diodos	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BCR133WE6327HTSA1	-	RFQ	7658	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BCR133		250 MW		PG-SOT323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														50 V	100 mA	100NA (ICBO)	NPN - Pre -Sesgado	300mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
IRF6215S	-	RFQ	7335	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal P			150 V	13a (TC)	10V	290mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V	± 20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 110W (TC)
SMBT 3906 B5003	-	RFQ	9409	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SMBT 3906		330 MW		PG-SOT23	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														40 V	200 MA	50NA (ICBO)	PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
IAUC80N04S6L032ATMA1	1.0500	RFQ	8277	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	IAUC80	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000			N-canal			40 V	80a (TC)	4.5V, 10V	3.29mohm @ 40a, 10v	2V @ 18 µA	25 NC @ 10 V	± 16V	1515 pf @ 25 V	-	50W (TC)
IPB50CN10NGATMA1	-	RFQ	1538	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			100 V	20A (TC)	10V	50mohm @ 20a, 10v	4V @ 20 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	1090 pf @ 50 V	-	44W (TC)
BC818K16WH6327XTSA1	0.0712	RFQ	8414	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	BC818		250 MW		PG-SOT323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														25 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	100 @ 100 maja, 1v	170MHz
BC817K40E6327HTSA1	0.3700	RFQ	117	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		500 MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																														45 V	500 mA	100NA (ICBO)	NPN	700mv @ 50 mm, 500 mA	250 @ 100mA, 1V	170MHz
BCX6816H6327XTSA1	0.2970	RFQ	8121	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA	BCX6816		3 W		PG-SOT89	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																														20 V	1 A	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 100 mm, 1a	100 @ 500 mA, 1V	100MHz
ICA21V01X1SA1	-	RFQ	8672	Infineon Technologies	*	Una granela	Obsoleto									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001035636	Obsoleto	0000.00.0000	1
IRLR3103TR	-	RFQ	2828	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			N-canal			30 V	55A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 33a, 10v	1V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 16V	1600 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IQFH55N04NM6ATMA1	2.5190	RFQ	9854	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante			448-IQFH55N04NM6ATMA1TR			3.000
IGOT60R070D1AUMA1	-	RFQ	6771	Infineon Technologies	Coolgan ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	20-POWERSOIC (0.433 ", 11.00 mm de Ancho)	Igot60	Ganfet (Nitruro de Galio)			PG-dso-20-87	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			600 V	31a (TC)	-	-	1.6V @ 2.6mA		-10V	380 pf @ 400 V	-	125W (TC)
IRF7103Q	-	RFQ	3804	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	IRF71	Mosfet (Óxido de metal)	2.4w		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal N (Dual)					50V	3A		130mohm @ 3a, 10v	3V @ 250 µA	15NC @ 10V		255pf @ 25V	-
ETD630N16P60HPSA1	293.4200	RFQ	8272	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	Monte del Chasis	Módulo	ETD630			Conexión de la Serie - SCR/Diodo		descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	2				300 mA												1.6 kV	700 A	2 V	19800a @ 50Hz	250 Ma	635 A								1 scr, 1 diodo
PTFA092213ELV4T400XWSA1	-	RFQ	8106	Infineon Technologies	*	Banda	Obsoleto									descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000820802	EAR99	8541.29.0075	40
IRL3715L	-	RFQ	2804	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRL3715L	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal			20 V	54a (TC)	4.5V, 10V	14mohm @ 26a, 10v	3V @ 250 µA	17 NC @ 4.5 V	± 20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W (TA), 71W (TC)
BFR193E6327HTSA1	0.4000	RFQ	5590	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BFR193		580MW		PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					10dB ~ 15dB																									12V	80mera		NPN		70 @ 30mA, 8V	8GHz			1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPB043N10NF2SATMA1	2.0300	RFQ	745	Infineon Technologies	StrongIrfet ™ 2	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			100 V	21a (TA), 135A (TC)	6V, 10V	4.35mohm @ 80a, 10v	3.8V @ 93 µA	85 NC @ 10 V	± 20V	4000 pf @ 50 V	-	3.8W (TA), 167W (TC)
Irf1104strl	-	RFQ	8456	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal			40 V	100A (TC)	10V	9mohm @ 60a, 10v	4V @ 250 µA	93 NC @ 10 V	± 20V	2900 pf @ 25 V	-	2.4W (TA), 170W (TC)
IDH05SG60CXKSA2	2.2767	RFQ	8906	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	La Última Vez Que Compre		A Través del Aguetero	Un 220-2	IDH05SG60	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO20-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																				600 V	2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5A	110pf @ 1V, 1 MHz
IPA600N25NM3SXKSA1	2.7700	RFQ	6993	Infineon Technologies	Optimos ™ 3	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IPA600	Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220 Paqueto completo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal			250 V	15A (TC)	10V	60mohm @ 15a, 10v	4V @ 89 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	2300 pf @ 100 V	-	38W (TC)
IDD04S60CBUMA1	-	RFQ	9614	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IDD04S60	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO252-3-11	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																				600 V	1.9 v @ 4 a	0 ns	50 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	5.6a	130pf @ 1V, 1 MHz
64-4095pbf	-	RFQ	9281	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-	-	-		-			-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		1			-				-	-	-	-		-		-	-
IRLHS6242TRPBF	0.6300	RFQ	149	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Powervdfn	IRLHS6242	Mosfet (Óxido de metal)			6-PQFN (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000			N-canal			20 V	10a (TA), 12a (TC)	2.5V, 4.5V	11.7mohm @ 8.5a, 4.5V	1.1V @ 10 µA	14 NC @ 4.5 V	± 12V	1110 pf @ 10 V	-	1.98W (TA), 9.6W (TC)
BFG 193 E6433	-	RFQ	1768	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BFG 193		600MW		PG-SOT223-4	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	4.000					10.5db ~ 16db																									12V	80mera		NPN		70 @ 30mA, 8V	8GHz			1DB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPD90N04S40-4ATMA1	1.0000	RFQ	6641	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			40 V	90A (TC)	10V	4.1mohm @ 90a, 10V	4V @ 35.2MA	43 NC @ 10 V	± 20V	3440 pf @ 25 V	-	71W (TC)
IDH03SG60CXKSA2	1.4544	RFQ	2680	Infineon Technologies	Coolsic ™+	Tubo	La Última Vez Que Compre		A Través del Aguetero	Un 220-2	IDH03SG60	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY			PG-TO20-2-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)																				600 V	2.3 v @ 3 a	0 ns	15 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 1v, 1 MHz
Bfp640fe6327	-	RFQ	1886	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-smd, planos de cables	BFP640		200MW		4-TSFP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000					23dB																									4.5V	50mera		NPN		110 @ 30mA, 3V	40 GHz			0.65db ~ 1.2db @ 1.8Ghz ~ 6Ghz
IRFSL5615PBF	2.6200	RFQ	1	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IRFSL5615	Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal			150 V	33A (TC)	10V	42mohm @ 21a, 10v	5V @ 100 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	1750 pf @ 50 V	-	144W (TC)
Irfi9z24n	-	RFQ	4880	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto		A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero		Mosfet (Óxido de metal)			Un entero de 220ab-pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			Canal P			55 V	9.5A (TC)	10V	175mohm @ 5.4a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 20V	350 pf @ 25 V	-	29W (TC)