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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	TUPO	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Actual	Voltaje	Voltaje - Aislamiente	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
Irfz46npbf	1.4500	RFQ	25	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		IRFZ46		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100		N-canal					55 V	53A (TC)	10V	16.5mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1696 pf @ 25 V	-	107W (TC)
Auirfs8409-7p	13.0100	RFQ	908	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)		Auirf8409		Mosfet (Óxido de metal)		D2PAK (7-LEAD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	240a (TC)	10V	0.75mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 250 µA	460 NC @ 10 V	± 20V	13975 pf @ 25 V	-	375W (TC)
IPB014N06NATMA1	4.6100	RFQ	6721	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)		IPB014		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					60 V	34A (TA), 180A (TC)	6V, 10V	1.4mohm @ 100a, 10v	2.8V @ 143 µA	106 NC @ 10 V	± 20V	7800 pf @ 30 V	-	3W (TA), 214W (TC)
IM323M6G2XKMA1	11.1600	RFQ	7105	Infineon Technologies	CIPOS ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		A Través del Aguetero	Módulo de 26 Poderos (1.043 ", 26.50 mm)	IGBT	IM323M6					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.39.0001	240	Inversor de 3 fase			10 A	600 V	2000 VRMS
IPSA70R1K4Ceakma1	-	RFQ	3917	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA		IPSA70		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO251-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001605398	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					700 V	5.4a (TC)	10V	1.4ohm @ 1a, 10v	3.5V @ 100 µA	10.5 NC @ 10 V	± 20V	225 pf @ 100 V	-	53W (TC)
IRG4BC20MDPBF	-	RFQ	5715	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Estándar		60 W	Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			480V, 11a, 50ohm, 15V														37 ns	-	600 V	18 A	36 A	2.1V @ 15V, 11a	410 µJ (Encendido), 2.03MJ (apagado)	39 NC	21ns/463ns