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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
BSO4410T	-	RFQ	4097	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)		Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal	30 V	11.1a (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 11.1a, 10v	2V @ 42 µA	21 NC @ 5 V	± 20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IPA60R125C6E8191XKSA1	-	RFQ	2694	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto				IPA60R					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001214406	EAR99	8541.29.0095	500					-
FS200R06KE3BOSA1	260.1400	RFQ	6	Infineon Technologies	ECONOPACK ™ 3	Banda	Activo	-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FS200R06		600 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Inversor trifásico																						Parada de Campo de Trinchera	600 V	200 A	1.9V @ 15V, 200a	1 MA	Si	13 NF @ 25 V
IRFS3806TRLPBF	1.4100	RFQ	21	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRFS3806	Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800			N-canal	60 V	43a (TC)	10V	15.8mohm @ 25A, 10V	4V @ 50 µA	30 NC @ 10 V	± 20V	1150 pf @ 50 V	-	71W (TC)
Auirfr4104	-	RFQ	7096	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63		Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000			N-canal	40 V	42a (TC)	10V	5.5mohm @ 42a, 10v	4V @ 250 µA	89 NC @ 10 V	± 20V	2950 pf @ 25 V	-	140W (TC)
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	RFQ	3324	Infineon Technologies	-	Banda	Activo	-	Monte del Chasis	Módulo				Estándar	AG-62 MMHB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																						Parada de Campo de Trinchera	2000 V		-		No
Bsp52h6327xtsa1	0.2819	RFQ	1667	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP52		1.5 W		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																								80 V	1 A		10 µA			NPN - Darlington	1.8v @ 1 MMA, 1A	2000 @ 500mA, 10V	200MHz
BAT240AE6327HTSA1	-	RFQ	4960	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BAT240A	Schottky			PG-SOT23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)												Conexión de la Serie de 1 par	240 V	400 mA (DC)	900 MV @ 400 Ma		5 µA @ 200 V	150 ° C (Máximo)
Ddb6u104n18rrbosa1	-	RFQ	1768	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		Monte del Chasis	Módulo		Estándar			Módulo	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10		-												3 Independientes	1800 V	-				-
Auirf3205z	2.8900	RFQ	2	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	AuIRF3205	Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518518	EAR99	8541.29.0095	50			N-canal	55 V	75A (TC)	10V	6.5mohm @ 66a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	3450 pf @ 25 V	-	170W (TC)
IPD80N06S3-09	-	RFQ	9664	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD80N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-11	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500			N-canal	55 V	80a (TC)	10V	8.4mohm @ 40a, 10v	4V @ 55 µA	88 NC @ 10 V	± 20V	6100 pf @ 25 V	-	107W (TC)
IPP120N08S404AKSA1	-	RFQ	7519	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP120	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal	80 V	120a (TC)	10V	4.4mohm @ 100a, 10V	4V @ 120 µA	95 NC @ 10 V	± 20V	6450 pf @ 25 V	-	179W (TC)
DZ1100N22KTIMHPSA1	673.1900	RFQ	8430	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DZ1100	Estándar			BG-PB70AT-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)													2200 V		1.11 V @ 3000 A		80 mA @ 2200 V	150 ° C (Máximo)	1100A	-
IRL1404ZS	-	RFQ	9339	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal	40 V	75A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 75a, 10v	2.7V @ 250 µA	110 NC @ 5 V	± 16V	5080 pf @ 25 V	-	230W (TC)
IPB60R385CPATMA1	-	RFQ	4600	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal	600 V	9A (TC)	10V	385mohm @ 5.2a, 10V	3.5V @ 340 µA	22 NC @ 10 V	± 20V	790 pf @ 100 V	-	83W (TC)
IPB100N04S2L03ATMA1	-	RFQ	8882	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB100N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal	40 V	100A (TC)	4.5V, 10V	3mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Spp15p10pghksa1	-	RFQ	9018	Infineon Technologies	Sipmos®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp15p	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			Canal P	100 V	15A (TC)	10V	240mohm @ 10.6a, 10v	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	± 20V	1280 pf @ 25 V	-	128W (TC)
Ipp26cne8n g	-	RFQ	1095	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP26C	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500			N-canal	85 V	35A (TC)	10V	26mohm @ 35a, 10V	4V @ 39 µA	31 NC @ 10 V	± 20V	2070 pf @ 40 V	-	71W (TC)
SIDC01D60C6	-	RFQ	3409	Infineon Technologies	-	Una granela	Descontinuado en sic		Montaje en superficie	Morir	SIDC01	Estándar			Aserrado en papel	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000017746	EAR99	8541.10.0070	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)																		-55 ° C ~ 150 ° C	-	-
IPB80N06S205ATMA1	-	RFQ	4265	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB80N	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal	55 V	80a (TC)	10V	4.8mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	170 NC @ 10 V	± 20V	5110 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Spa11n60c3xksa1	3.7000	RFQ	7149	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Spa11n60	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-31	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal	600 V	11a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	3.9V @ 500 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	33W (TC)
SN7002WH643333TMA1	0.0551	RFQ	5203	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños				SN7002					descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	10,000						4.5V, 10V				± 20V
FP50R12KT4PB11BPSA1	155.0500	RFQ	5070	Infineon Technologies	ECONOPIM ™ 2	Banda	Activo				FP50R12					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	10
Bav99ue6327	-	RFQ	3035	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo		Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	BAV99	Estándar			PG-SC74-6	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000		Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad												Conexión de la Serie de 2 Pares	80 V	200MA (DC)	1.25 V @ 150 Ma	4 ns	150 na @ 70 V	150 ° C (Máximo)
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	8293	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto				IPC60R					-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857780	Obsoleto	0000.00.0000	1					-
Irf9540nl	-	RFQ	3630	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA		Mosfet (Óxido de metal)			Un 262	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*Irf9540nl	EAR99	8541.29.0095	50			Canal P	100 V	23a (TC)	10V	117mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	97 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W (TA), 140W (TC)
IPB60R280P6ATMA1	2.8900	RFQ	1	Infineon Technologies	CoolMos ™ P6	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R280	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000			N-canal	600 V	13.8a (TC)	10V	280mohm @ 5.2a, 10V	4.5V @ 430 µA	25.5 NC @ 10 V	± 20V	1190 pf @ 100 V	-	104W (TC)
DD435N40KHPSA1	563.8400	RFQ	2	Infineon Technologies	-	Banda	Activo		Monte del Chasis	Módulo	DD435N40	Estándar			Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)												Conexión de la Serie de 1 par	4000 V	573A	1.71 V @ 1200 A		50 mA @ 4000 V	-40 ° C ~ 150 ° C
SPP100N03S2L-03	-	RFQ	2761	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Spp100n	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3-1	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SPP100N03S2L-03IN	EAR99	8541.29.0095	500			N-canal	30 V	100A (TC)	10V	3mohm @ 80a, 10v	2V @ 250 µA	220 NC @ 10 V	± 20V	8180 pf @ 25 V	-	300W (TC)
IPP042N03LGXKSA1	1.4900	RFQ	261	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP042	Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			N-canal	30 V	70A (TC)	4.5V, 10V	4.2mohm @ 30a, 10v	2.2V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 20V	3900 pf @ 15 V	-	79W (TC)