SIC
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Productos de Semiconducores discretos (16626)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R083M1HXTMA1 10.4400
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Infineon Technologies CoolSic ™ M1 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Imbg65r Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 28a (TC) 18V 111mohm @ 11.2a, 18V 5.7V @ 3.3MA 19 NC @ 18 V +23V, -5V 624 pf @ 400 V - 126W (TC)
DD260N14KHPSA1 Infineon Technologies DD260N14KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto Monte del Chasis Módulo Estándar Módulo descascar No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 1400 V 260a 1.32 V @ 800 A 30 Ma @ 1400 V -40 ° C ~ 150 ° C
IRL1104PBF Infineon Technologies IRL1104PBF -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 167W (TC)
64-4051 Infineon Technologies 64-4051 -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR024 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 16a (TC) 4.5V, 10V 58mohm @ 9.6a, 10v 3V @ 250 µA 9.9 NC @ 5 V ± 16V 380 pf @ 25 V - 35W (TC)
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1 5.3100
RFQ
 ECAD 3832 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ G7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 125mohm @ 6.4a, 10V 4V @ 320 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1080 pf @ 400 V - 120W (TC)
IPB80N06S207ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 10V 6.3mohm @ 68a, 10v 4V @ 180 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRFR024NTRLPBF Infineon Technologies IRFR024NTRLPBF 1.0200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR024 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 17a (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7EHPSA1 355.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Estándar AG-62 MMHB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor de Medio Puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 800 A 1.75V @ 15V, 800A 100 µA No 122 NF @ 25 V
ISC037N12NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC037N12NM6ATMA1 4.9500
RFQ
 ECAD 2316 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC037 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8 FL descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 120 V 19.2a (TA), 163A (TC) 8V, 10V 3.7mohm @ 50A, 10V 3.6V @ 111 µA 58 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 60 V - 3W (TA), 214W (TC)
FS75R12KE3BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BPSA1 143.2800
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS75R12 350 W Estándar Ag-ECONO2B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor de puente entero - 1200 V 105 A 2.15V @ 15V, 75a 5 Ma Si 5.3 NF @ 25 V
IRFR3709Z Infineon Technologies IRFR3709Z -
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 86a (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 2.25V @ 250 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2330 pf @ 15 V - 79W (TC)
IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R250CPXKSA1 1.8880
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP50R250 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10v 3.5V @ 520 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1420 pf @ 100 V - 114W (TC)
IRL3715TR Infineon Technologies IRL3715TR -
RFQ
 ECAD 8766 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 54a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1060 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 71W (TC)
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
AUIRF7478QTR Infineon Technologies Auirf7478qtr -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522778 EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 7a (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250 µA 31 NC @ 4.5 V ± 20V 1740 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
SPD04N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD04N60S5BTMA1 -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000313946 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200 µA 22.9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL716SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) PG-TSOP6-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.5a, 10v 1.8V @ 218 µA 13.1 NC @ 10 V ± 20V 315 pf @ 25 V - 2W (TA)
FP10R06W1E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP10R06W1E3B11BOMA1 39.4800
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Infineon Technologies EasyPim ™ Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FP10R06 68 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 600 V 16 A 2V @ 15V, 10a 1 MA Si 550 pf @ 25 V
IRF6635TRPBF Infineon Technologies IRF6635TRPBF -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 32a, 10v 2.35V @ 250 µA 71 NC @ 4.5 V ± 20V 5970 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB47N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 47a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 33a, 10v 2V @ 2mA 135 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 175W (TC)
IKY100N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY100N120CH7XKSA1 16.4200
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IKY100N120 Estándar 721 W PG-TO247-4-U10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - 99 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 212 A 400 A 2.15V @ 15V, 100A 2.37MJ (Encendido), 2.65mj (apaguado) 714 NC 44ns/359ns
AUIRFR3504ZTRL Infineon Technologies Auirfr3504ztrl 1.1429
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr3504 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001516690 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 42a (TC) 9mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V 1510 pf @ 25 V - 90W (TC)
PTFA092201FV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092201FV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA092201 960MHz Ldmos H-37260-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 10 µA 1.85 A 220W 18.5dB - 30 V
IRFR3711TR Infineon Technologies IRFR3711TR -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 4.5 V ± 20V 2980 pf @ 10 V - 2.5W (TA), 120W (TC)
IRLR8103TR Infineon Technologies IRLR8103TR -
RFQ
 ECAD 2710 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 89A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA (min) 50 NC @ 5 V ± 20V - 89W (TC)
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 263.3300
RFQ
 ECAD 1912 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FF4MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Módulo - ROHS3 Cumplante 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1 EAR99 8542.39.0001 15 2 Canales N (Medio Puente) 1200V 170A (TJ) 4mohm @ 200a, 18V 5.15V @ 80mA 594nc @ 18V 17600pf @ 800V CARBURO DE SILICIO (SIC)
IRF5800TRPBF Infineon Technologies IRF5800TRPBF -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Micro6 ™ (TSOP-6) descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 4a, 10v 1V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 535 pf @ 25 V - 2W (TA)
IPD03N03LA G Infineon Technologies IPD03N03LA G 1.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD03N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 90A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 60a, 10V 2V @ 70 µA 41 NC @ 5 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 115W (TC)
IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies IST011N06NM5AUMA1 6.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-Powersfn Ist011n Mosfet (Óxido de metal) PG-HSOF-5-1 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 38a (TA), 399A (TC) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10v 3.3V @ 148 µA 154 NC @ 10 V ± 20V 8100 pf @ 30 V - 3.8W (TA), 313W (TC)
IRF5810TRPBF Infineon Technologies IRF5810TRPBF -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 IRF58 Mosfet (Óxido de metal) 960MW 6-TSOP descascar 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.9a 90mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 9.6nc @ 4.5V 650pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
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