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Productos de Semiconducores discretos (16626)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB65R420CFDATMA1 | - |  | 9590 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 8.7a (TC) | 10V | 420mohm @ 3.4a, 10V | 4.5V @ 340 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 870 pf @ 100 V | - | 83.3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRD3CH16DD6 | - | | 6632 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | IRD3CH16 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF200P223 | 6.9300 | | 277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRF200 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 100A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 60a, 10v | 4V @ 270 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5094 pf @ 50 V | - | 313W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPB011N04NGATMA1 | 3.4600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | IPB011 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-7-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 180A (TC) | 10V | 1.1mohm @ 100a, 10v | 4V @ 200 µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 20000 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSZ240N12NS3GATMA1 | 1.6500 | | 1088 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | BSZ240 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TSDSON-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 120 V | 37a (TC) | 10V | 24mohm @ 20a, 10v | 4V @ 35 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 60 V | - | 66W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Spp11n60cfdhksa1 | - | | 3908 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Spp11n | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000014533 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 440mohm @ 7a, 10v | 5V @ 500 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IQDH88N06LM5ATMA1 | 1.9670 | | 3793 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IQDH88N06LM5ATMA1TR | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1324 | - | | 3150 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 24 V | 195a (TC) | 10V | 1.5mohm @ 195a, 10v | 4V @ 250 µA | 240 NC @ 10 V | ± 20V | 7590 pf @ 24 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSL205NL6327 | - | | 3099 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | BSL205 | Mosfet (Óxido de metal) | 500MW | PG-TSOP6-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 2.5a | 50mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 11 µA | 3.2NC @ 4.5V | 419pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R074C6XKSA1 | - | | 2606 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 57.7a (TC) | 10V | 74mohm @ 21a, 10v | 3.5V @ 1.4MA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 3020 pf @ 100 V | - | 480.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R600P6XKSA1 | 1.8600 | | 1002 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R600 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 4.9a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 200 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 557 pf @ 100 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPSA70R950Ceakma1 | - | | 1553 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | IPSA70 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3-347 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 700 V | 8.7a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 150 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPI15N60CFD | 1.7400 | | 11 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 13.4a (TC) | 10V | 330mohm @ 9.4a, 10V | 5V @ 750 µA | 84 NC @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 25 V | - | 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auxkng4ph50s-215 | - | | 1487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | Auxkng4 | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001512066 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 400 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 38DN06B02ELEMXPSA1 | 232.6400 | | 19 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | Monte del Chasis | DO-200AC, K-PUK | 38DN06 | Estándar | BG-D-ELEM-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 960 MV @ 4500 A | 50 mA @ 600 V | 180 ° C (Max) | 5140A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA60R180C7XKSA1 | 3.3800 | | 434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220 Paqueto completo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.3a, 10v | 4V @ 260 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 1080 pf @ 400 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC50N08S5N102ATMA1 | 0.6636 | | 8176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-33 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 80 V | 50A (TJ) | 6V, 10V | 10.2mohm @ 25A, 10V | 3.8V @ 24 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1394 pf @ 40 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FB30R06W1E3BOMA1 | 44.2700 | | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | EasyPim ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FB30R06 | 115 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 39 A | 2V @ 15V, 30a | 1 MA | Si | 1.65 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA60R060P7XKSA1 | 6.8000 | | 8048 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA60R060 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10v | 4V @ 800 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2895 pf @ 400 V | - | 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRFHE4250DTRPBF | - | | 6342 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 32-POWERWFQFN | Irfhe4250 | Mosfet (Óxido de metal) | 156W | 32-PQFN (6x6) | descascar | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 86a, 303a | 2.75mohm @ 27a, 10v | 2.1V @ 35 µA | 20NC @ 4.5V | 1735pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPI80P03P405AKSA1 | - | | 5044 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IPI80P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000396316 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 30 V | 80a (TC) | 10V | 5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 253 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 25 V | - | 137W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH8316TRPBF | - | | 8446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 27a (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.95mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 50 µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 pf @ 10 V | - | 3.6W (TA), 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP014N08NM6AKSA1 | 3.6906 | | 9223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKP03N120H2 | - | | 7596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 62.5 W | PG-TO20-3-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V, 3a, 82ohm, 15V | 42 ns | - | 1200 V | 9.6 A | 9.9 A | 2.8V @ 15V, 3A | 290 µJ | 22 NC | 9.2NS/281NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP60R190E6XKSA1 | 3.7100 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP60R190 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 20.2a (TC) | 10V | 190mohm @ 9.5a, 10V | 3.5V @ 630 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IPA028N08N3GXKSA1 | - | | 7935 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA028 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 89A (TC) | 6V, 10V | 2.8mohm @ 89a, 10v | 3.5V @ 270 µA | 206 NC @ 10 V | ± 20V | 14200 pf @ 40 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX56E6327 | 1.0000 | | 8697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DD600S16K4NOSA1 | 669.0400 | | 14 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 600 V | 600A (DC) | 2.8 V @ 600 A | 4 Ma @ 1600 V | 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smbd914e6327htsa1 | 0.4000 | | 64 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SMBD914 | Estándar | PG-SOT23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 250 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS75R12KT4PB11BPSA1 | 162.7680 | | 9657 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONOPACK ™ 2 | Banda | Activo | FS75R12 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 10 |
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